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最新专利技术
  • 嵌入式低压纳米栅铁电晶体管结构及其制备方法
    嵌入式低压纳米栅铁电晶体管结构及其制备方法_北京大学_202511674034.3
    本发明涉及一种嵌入式低压纳米栅铁电晶体管结构及其制备方法，涉及存储器件领域，包括一硅基CMOS逻辑电路，在硅基CMOS逻辑电路上设置有第一绝缘介质层以及水平布置的若干纳米栅铁电晶体管，相邻的纳米栅铁电晶体管之间具有一第二绝缘介质层；纳米栅铁...
    2026-02-18
  • 半导体器件和包括该半导体器件的数据存储系统
    半导体器件和包括该半导体器件的数据存储系统_三星电子株式会社_202510555444.X
    一种半导体器件，包括：导电层；堆叠结构，在第一区域和第二区域中，包括在第一方向上彼此间隔开并顺序地堆叠的栅电极；第一分离区域和第二分离区域，穿透堆叠结构，在与第一方向垂直的第二方向上延伸，并且在与第一方向和第二方向垂直的第三方向上彼此间隔开...
    2026-02-18
  • 包含十字形接触结构的微电子装置及相关方法及电子系统
    包含十字形接触结构的微电子装置及相关方法及电子系统_美光科技公司_202511040395.2
    本申请案涉及包含十字形接触结构的微电子装置及相关方法及电子系统。一种微电子装置包含：第一微电子装置结构；第二微电子装置结构，其接合到所述第一微电子装置结构；及十字形接触结构，其在所述第一微电子装置结构与所述第二微电子装置结构的接合界面处。所...
    2026-02-18
  • 半导体存储装置
    半导体存储装置_铠侠股份有限公司_202510054110.4
    本发明提供一种半导体存储装置，其能够提高动作的可靠性。实施方式的半导体存储装置具备：第1多个字线，积层于衬底的上方；第2多个字线，积层于第1多个字线的上方；选择栅极线，设置于第2多个字线的上方；中间柱(MMP)，设置于衬底的上方，沿Z方向贯...
    2026-02-18
  • 半导体器件和半导体芯片以及包括该半导体器件和半导体芯片的电子系统
    半导体器件和半导体芯片以及包括该半导体器件和半导体芯片的电子系统_三星电子株式会社_202510176924.5
    根据一些示例实施例的半导体芯片包括：衬底；多个晶体管，在衬底上，多个晶体管中的每个晶体管包括栅极结构和该栅极结构的侧表面上的间隔物，栅极结构包括栅极绝缘层、栅电极和封盖层，封盖层的至少一部分在栅电极上，并且封盖层包括绝缘材料：以及覆盖层，包...
    2026-02-18
  • 半导体器件及其制造方法、电子设备
    半导体器件及其制造方法、电子设备_北京超弦存储器研究院_202411031055.9
    本申请提供了一种半导体器件及其制造方法、电子设备。该半导体器件包括：衬底、第一电容结构、第二电容结构和导电柱组件；第一电容结构和第二电容结构，分别设置于衬底两面，第一电容结构和第二电容结构均包括：第一电极层组、介电层组和第二电极层组；第一电...
    2026-02-18
  • 高电容耦合比的3D-NAND堆叠结构及其制备方法
    高电容耦合比的3D-NAND堆叠结构及其制备方法_北京大学_202511673935.0
    本发明涉及一种高电容耦合比的3D‑NAND堆叠结构及其制备方法，属于存储器件领域，包括在衬底上设置有若干堆叠结构，堆叠结构包括交错层叠的若干第一绝缘介质层和纳米浮栅存储单元；贯穿堆叠结构的若干通孔，在每个通孔侧壁依次设置有隧穿介质层和中心沟...
    2026-02-18
  • 高集成度纳米浮栅3D NAND堆叠结构及其制备方法
    高集成度纳米浮栅3D NAND堆叠结构及其制备方法_北京大学_202511673536.4
    本发明涉及一种高集成度纳米浮栅3D NAND堆叠结构及其制备方法，属于存储器件领域，包括一衬底，在衬底上设置有若干堆叠结构，堆叠结构包括交错层叠的若干第一绝缘介质层和纳米浮栅存储单元；贯穿堆叠结构的若干通孔，在每个通孔侧壁依次设置有隧穿介质...
    2026-02-18
  • 超低压纳米浮栅3D-NAND堆叠结构及其制备方法
    超低压纳米浮栅3D-NAND堆叠结构及其制备方法_北京大学_202511673275.6
    本发明涉及一种超低压纳米浮栅3D‑NAND堆叠结构及其制备方法，属于存储器件领域，包括一衬底，在衬底上设置有若干堆叠结构，堆叠结构包括交错层叠的若干第一绝缘介质层和纳米浮栅存储单元；贯穿所述堆叠结构的若干通孔，在每个所述通孔侧壁依次设置有隧...
    2026-02-18
  • 半导体结构及半导体结构的制备方法
    半导体结构及半导体结构的制备方法_长鑫科技集团股份有限公司_202512059357.8
    本公开提供了一种半导体结构及半导体结构的制备方法，涉及半导体技术领域。该半导体结构的制备方法包括以下步骤：提供衬底；在衬底沿第一方向堆叠形成堆叠结构，堆叠结构包括有源层；在有源层沿第二方向的至少一侧形成开口，开口贯穿堆叠结构，并暴露衬底；在...
    2026-02-18
  • 一种半导体器件
    一种半导体器件_福建省晋华集成电路有限公司_202511627096.9
    本发明提供了一种半导体器件，应用于半导体技术领域。在本发明中，利用在埋入式字线结构上设置介质层，来隔离埋入式字线结构和相应的位线结构，实现避免随着半导体器件尺寸的微缩所衍生的埋入式字线结构中第一功函数材料层的第二部分与相应位线结构发生短接、...
    2026-02-18
  • 存储装置
    存储装置_株式会社半导体能源研究所_202511623121.6
    本发明提供一种新颖的存储装置。本发明的一个方式是包括多个存储单元的存储装置，一个存储单元包括第一晶体管及第二晶体管。第一晶体管的源极及漏极中的一个通过节点SN电连接到第二晶体管的栅极。通过第一晶体管写入的信息保持在节点SN中。通过使用OS晶...
    2026-02-18
  • 一种半导体结构
    一种半导体结构_福建省晋华集成电路有限公司_202511607336.9
    本发明提供了一种半导体结构，应用于半导体技术领域。在本发明中，基底的周边区和单元中的绝缘结构的形状和面积均可不同，从而达到不同的隔绝效果，避免部分绝缘结构发生剥落。
    2026-02-18
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_南亚科技股份有限公司_202511607065.7
    本发明提供了一种方法，方法包括形成延第一方向延伸且在垂直于第一方向的第二方向彼此分隔开的位元线结构，在位元线结构之间延第一方向形成沟槽，在沟槽中形成导电层，延第二方向穿过导电层和位元线结构的顶部形成隔离结构，移除导电层的顶部以形成接触件，其...
    2026-02-18
  • 具有隔离结构的半导体元件及其制造方法
    具有隔离结构的半导体元件及其制造方法_南亚科技股份有限公司_202510223781.9
    本申请公开一种具有隔离结构的半导体元件及此半导体元件的制造方法。此半导体元件包括：一基板、多个穿基板通孔、多个绝缘片段以及多个衬层。该基板包括一第一表面以及与该第一表面相对的一第二表面。该多个穿基板通孔贯穿该基板。该多个绝缘片段的每一者包括...
    2026-02-18
  • 半导体结构及其制造方法
    半导体结构及其制造方法_南亚科技股份有限公司_202411349021.4
    本发明的实施例提供一种半导体结构，且包括基板、设置在基板上方的位元线结构、设置在位元线结构的侧壁上并沿着位元线结构的侧壁延伸的间隔件结构、及设置在每个主动区中并接触第二间隔件的底部的位元线触点。间隔件结构包括围绕位元线结构的侧壁的第一间隔件...
    2026-02-18
  • 芯片以及用于制备芯片的方法
    芯片以及用于制备芯片的方法_华为技术有限公司_202411035210.4
    本申请中的芯片，包括衬底；设置于衬底上的第一存储单元、第二存储单元和第三存储单元、第一字线结构和第二位线结构，第一字线结构垂直设置于衬底之上且与第一存储单元连接；第一位线结构与第一存储单元和第二存储单元连接；沿垂直于衬底的方向，每两层相邻位...
    2026-02-18
  • 存储阵列、存储器和电子设备
    存储阵列、存储器和电子设备_华为技术有限公司_202411028711.X
    本申请实施例提供了一种存储阵列、存储器和电子设备，涉及电子设备技术领域。其中，存储阵列包括衬底、多个存储矩阵、位线、字线和多个第一外连结构。每个存储矩阵包括N个子矩阵。位线与N个数量的子矩阵电连接，字线与一个子矩阵电连接，每个子矩阵均对应与...
    2026-02-18
  • 存储器器件、半导体器件及其制造方法
    存储器器件、半导体器件及其制造方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202511435551.5
    本申请的实施例公开了存储器器件、半导体器件及其制造方法。存储器器件包括具有第一侧和第二侧的衬底；形成在第一侧上的第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管和第四晶体管，第一至第四晶体管均形成有p型导电性；形成在第一侧上并在第一至第四晶体管上方的第五...
    2026-02-18
  • 贴片机抛料处理的智能管理方法及系统
    贴片机抛料处理的智能管理方法及系统_立臻精密智造(昆山)有限公司_202511434911.X
    本申请揭示了一种贴片机抛料处理的智能管理方法及系统，方法包括以下步骤：实时采集贴片机的抛料数据，识别并匹配抛料信息；对抛料信息进行分析，根据分析的结果将抛料信息按照不同抛料要素分别排序；自动侦测每一项抛料要素的抛料率，当单项抛料要素的抛料率...
    2026-02-18
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