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最新专利技术
  • 一种复合纤维与快干剂及其在硅溶胶精铸制壳上的应用
    一种复合纤维与快干剂及其在硅溶胶精铸制壳上的应用_山东泰山钢铁集团有限公司_202511478447.4
    本发明公开了一种用于硅溶胶精铸制壳的复合纤维，所述复合纤维为三元性能互补复配体系，按质量百分比计，由玻璃纤维60％‑70％、碳纤维20％‑30％、氧化铝纤维5％‑10％组成；所述复合纤维的长度为1‑5mm，直径为5‑15μm；一种用于硅溶胶...
    2026-04-09
  • 一种耐火浇注料及其制备方法
    一种耐火浇注料及其制备方法_包头市住房保障事业发展中心_202511435817.6
    本发明属于浇注料技术领域，涉及一种耐火浇注料及其制备方法。本发明提供以稀土化合物为基料的耐火浇注料，耐火浇注料包括第一复合耐火料、第二复合耐火料、结合剂、减水剂和水；第一复合耐火料由第一耐火骨架和第一助剂组成；第一耐火骨架包括稀土化合物粉体...
    2026-04-09
  • 一种LTCC用水性生瓷片及其制备方法
    一种LTCC用水性生瓷片及其制备方法_强一半导体(苏州)股份有限公司_202511376361.0
    本发明属于低温共烧陶瓷技术领域，具体涉及一种LTCC用水性生瓷片及其制备方法。其是通过混合浆料经流延成型获得，所述混合浆料包括陶瓷粉、玻璃粉、增塑剂、分散剂、水和原位生成的聚丙烯酸酯类粘结剂，制备粘结剂的原料包括单体、引发剂、乳化剂、水和氨...
    2026-04-09
  • 一种高强韧、低摩擦系数氮化硅陶瓷及其制备方法
    一种高强韧、低摩擦系数氮化硅陶瓷及其制备方法_中国科学院上海硅酸盐研究所_202511547476.1
    本发明涉及一种高强韧、低摩擦系数氮化硅陶瓷及其制备方法。所述高强韧、低摩擦系数氮化硅陶瓷的化学组成包括：结晶β‑Si33N44基体，以及5‑10 vol%结晶h‑BN增强相、5wt%的晶界相；所述制备方法包括以下步骤：将氮化硅原料、Y22O...
    2026-04-09
  • 氮化硅陶瓷的还原烧结方法及其应用
    氮化硅陶瓷的还原烧结方法及其应用_甬江实验室_202511326147.4
    本申请属于陶瓷材料领域，公开了一种氮化硅陶瓷的还原烧结方法及其应用。该方法通过在陶瓷粉体中引入特定还原剂，有效清除表面氧，抑制晶界玻璃相形成，并通过气相传输机制显著促进烧结致密化过程。所制备的氮化硅陶瓷晶粒尺寸≤200 nm，本申请制备得到...
    2026-04-09
  • 一种组合式氮化硅陶瓷天线罩及其制备方法
    一种组合式氮化硅陶瓷天线罩及其制备方法_山东工业陶瓷研究设计院有限公司_202511989082.1
    本发明提供了一种组合式氮化硅陶瓷天线罩及其制备方法，属于氮化硅陶瓷天线罩技术领域；所述制备天线罩主罩体，包括制备初级罩体和表面封孔；所述制备初级罩体，包括制备钛溶胶、制备坯体和烧结；所述制备坯体，将硅粉、氮化铝粉末、烧结助剂和十二烷基苯磺酸...
    2026-04-09
  • 导电氮化硅复合陶瓷及其制备方法和应用
    导电氮化硅复合陶瓷及其制备方法和应用_甬江实验室_202511370930.0
    本申请公开导电氮化硅复合陶瓷及其制备方法和应用。一种制备导电氮化硅复合陶瓷的方法，包括：对第一陶瓷粉体进行表面氧化处理，以得到具有氧化膜层的第一陶瓷粉体；将第二陶瓷粉体与具有氧化膜的第一陶瓷粉体进行混合处理，以得到混合物；在1700℃‑25...
    2026-04-09
  • 一种高导热氮化硅陶瓷基板及其制备方法
    一种高导热氮化硅陶瓷基板及其制备方法_四川泛翌新材料有限公司_202511818813.6
    本发明属于陶瓷材料制备技术领域，提供了一种高导热氮化硅陶瓷基板及其制备方法；本方法通过共沉淀煅烧法制备高熵氧化物烧结助剂，并化学合成钛杂化聚碳硅烷作为功能助剂，同时对氮化硅粉体进行表面包覆改性；将改性氮化硅粉体与上述两种助剂均匀混合、流延成...
    2026-04-09
  • 一种无锆、无放射性、耐酸碱的光学瓷板
    一种无锆、无放射性、耐酸碱的光学瓷板_广东高瓷科技股份有限公司_202511700184.7
    本发明属于陶瓷材料技术领域，公开了一种无锆、无放射性、耐酸碱的光学瓷板。本发明包括以下质量份的原料：聚乙二醇辛基苯基醚1.2‑1.5份、氮化铝粉末100份、硼掺杂氮化铝量子点分散液80‑100份、改性氧化石墨烯0.3‑0.8份、氧化钇5‑6...
    2026-04-09
  • 一种基于动态压力的高热导率氮化铝陶瓷基板及制备方法
    一种基于动态压力的高热导率氮化铝陶瓷基板及制备方法_西南交通大学_202511698235.7
    本发明公开了一种基于动态压力的高热导率氮化铝陶瓷基板及制备方法，包括以下步骤：步骤1：将氮化铝陶瓷粉体装模后，升温至预烧温度进行预烧，冷却后得到预烧坯体；预烧温度为1300～1600 ℃；升温阶段加载基础静态压力，达到预烧温度后，叠加动态压...
    2026-04-09
  • 一种TiB2基复合陶瓷及其制备方法和应用
    一种TiB2基复合陶瓷及其制备方法和应用_中国有色桂林矿产地质研究院有限公司_202511559955.5
    本发明属于复合材料制备技术领域，具体涉及一种TiB22基复合陶瓷及其制备方法和应用。本发明将表层原料、过渡层原料和芯部层原料分别进行研磨处理，分别得到表层原料混合粉体、过渡层原料混合粉体和芯部层原料混合粉体；将表层原料混合粉体、过渡层原料混...
    2026-04-09
  • 一种利用大颗粒碳化硅快速制备高导热陶瓷的方法及制成的高导热陶瓷和应用
    一种利用大颗粒碳化硅快速制备高导热陶瓷的方法及制成的高导热陶瓷和应用_广东工业大学_202511685505.0
    本发明属于功能材料技术领域，公开了一种利用大颗粒碳化硅快速制备高导热陶瓷的方法及制成的高导热陶瓷和应用。该方法包括以下步骤：S1、将粒径为30nm的碳化硅粉和烧结助剂粉末称量装罐，添加酒精和磨球，进行20~28h球磨，然后在300 ℃下进行...
    2026-04-09
  • 反应烧结碳化硅陶瓷表面微小孔缺陷修复方法及反应烧结碳化硅陶瓷
    反应烧结碳化硅陶瓷表面微小孔缺陷修复方法及反应烧结碳化硅陶瓷_季华实验室_202511974728.9
    本发明公开了一种反应烧结碳化硅陶瓷表面微小孔缺陷修复方法及反应烧结碳化硅陶瓷，属于碳化硅陶瓷技术领域。本发明的修复方法包括：碳化硅陶瓷导电化烧结处理和微小孔缺陷修复步骤，首先将金属硅填充到碳化硅晶粒之间形成一种SiC/Si复合的反应烧结碳化...
    2026-04-09
  • 一种垃圾高温裂解炉用微孔碳化硅耐磨砖及制备方法
    一种垃圾高温裂解炉用微孔碳化硅耐磨砖及制备方法_宜兴市海科窑炉工程有限公司_202511590571.X
    本发明涉及耐火砖技术领域，具体涉及一种垃圾高温裂解炉用微孔碳化硅耐磨砖，按重量百分比计，包括：莫来石：10~20%；红柱石：10~15%；α‑Al22O33微粉：3~5%；高岭石：8~12%；铝矾土：7~9%；改性磷尾矿陶粒：4~6%；结合...
    2026-04-09
  • 一种高纯度碳陶复合内衬及其制备方法
    一种高纯度碳陶复合内衬及其制备方法_宁波伏尔肯科技股份有限公司_202511581717.4
    本发明公开了一种高纯度碳陶复合内衬及其制备方法，制备方法包括以下步骤：S1、配制高纯度的陶瓷浆料；S2、在碳纤维布表面涂覆所述陶瓷浆料，并采用二维缠绕方式将所述碳纤维布缠绕于石墨芯模上，得到预制体；S3、将所述预制体进行加热固化，得到生坯；...
    2026-04-09
  • 一种碳化硅陶瓷3D打印浆料及其制备方法和应用
    一种碳化硅陶瓷3D打印浆料及其制备方法和应用_西安国宏天易智能科技有限公司_202511571977.3
    本发明公开了一种碳化硅陶瓷3D打印浆料及其制备方法和应用，按体积比包括：36％～53％vt碳化硅粉末、36％～53％vt光敏树脂、3％～7％vt复合分散稳定剂、1.5％～4.5％vt固化引发剂和5％～8％vt溶剂，浆料的固含量可提高约5vo...
    2026-04-09
  • 一种高导热Cf/C-SiC复合材料的快速制备方法
    一种高导热Cf/C-SiC复合材料的快速制备方法_哈尔滨工业大学_202511531219.9
    本发明涉及Cff/C‑SiC复合材料相关领域，尤其涉及一种高导热Cff/C‑SiC复合材料的快速制备方法，该方法主要使用先驱体浸渍热解法，先将纤维定向均匀分散于特制的模具中，然后将酚醛树脂缓慢倒入模具中，在真空环境下进行均匀浸渍，通过烘箱固...
    2026-04-09
  • 基于表面改性的液相熔渗致密化重结晶碳化硅及其制备方法
    基于表面改性的液相熔渗致密化重结晶碳化硅及其制备方法_中国科学院上海硅酸盐研究所_202511529128.1
    本发明涉及基于表面改性的液相熔渗致密化重结晶碳化硅及其制备方法。所述基于表面改性的液相熔渗致密化重结晶碳化硅的组成包括：重结晶碳化硅基体材料，位于所述重结晶碳化硅基体材料表面的改性层，以及填充于所述重结晶碳化硅基体材料的多孔中的硅；优选地，...
    2026-04-09
  • 一种低介电SiOC陶瓷粉体及其制备方法与应用
    一种低介电SiOC陶瓷粉体及其制备方法与应用_联瑞新材(连云港)有限公司_202511684277.5
    本发明涉及无机材料技术领域，尤其涉及一种低介电SiOC陶瓷粉体及其制备方法与应用。本发明提供的低介电SiOC陶瓷粉体具备低介电特性以及高绝缘性，介电损耗角正切值＜0.0010，表面电阻＞4×101414Ω，体积电阻＞5×101212Ω，电导...
    2026-04-09
  • 一种低成本制备粒径可调控的球形ZrC粉体的方法及其应用
    一种低成本制备粒径可调控的球形ZrC粉体的方法及其应用_哈尔滨工业大学_202511661271.6
    一种低成本制备粒径可调控的球形ZrC粉体的方法及其应用，本发明是要解决现有制备ZrC粉体的方法成本高、无法有效控制ZrC粉体形貌粒径的技术问题。制备方法：一、将去离子水、水溶性糖类和ZrOCl22·8H22O搅拌混合；二、在140~200℃...
    2026-04-09
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