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对基材进行热处理的方法和设备
本发明涉及一种用于对基材进行热处理的方法,其中,基座(5)承载至少一个基材,由加热装置(13)加热,并且围绕转动轴线(A)被转动驱动,其特征在于,在相对于壳体(1)位置固定的热影响区(17)处,热量随着基座(5)的转动同步地从基座(5)导出...
用于镀膜设备的防粒子沉积遮件
本申请公开了一种用于镀膜设备的防粒子沉积遮件,设于镀膜腔内,包括设置呈环状的上板和下板,上板和下板之间通过上下交错并间隔排列的挡板形成有迷宫型气流通道;遮件外缘与镀膜腔内壁之间存在0‑2mm的间隙,镀膜腔的腔壁接地,将间隙构造成以正电荷为主...
承载装置、半导体工艺腔室及半导体工艺设备
本发明公开一种承载装置、半导体工艺腔室及半导体工艺设备,属于半导体工艺设备技术领域,所述的承载装置(100)包括舟加热件(140)以及在第一方向依次堆叠的底部承载舟(110)、中间承载舟(120)和顶部承载舟(130),所述舟加热件(140...
一种匀气结构和真空吸附系统
本发明提供了一种匀气结构及多站真空吸附系统。匀气结构包括:第一端口,设于所述匀气结构的第一端,并连通气源和/或真空泵;第二端口,设于所述匀气结构的第二端,并至少连通真空规;多个第三端口,设于所述第一端口与所述第二端口之间,垂直所述第一端口与...
半导体沉积工艺设备基座中心定位治具
本发明公开了一种半导体沉积工艺设备基座中心定位治具,包括:可形变主体,其形成为中空结构,其连接有气管,其充气后产生形变;气管,其一端连接气源,其另一端连接可形变主体,其用于向可形变主体充入压力气。本发明能提高对齐成功率,能减少PM Fail...
一种混气结构及薄膜沉积设备
本发明提供了一种混气结构及薄膜沉积设备。混气结构包括:混气腔,设有出气口;至少一个进气罐,被设于所述混气腔内,并包括多个相互独立的缓冲腔,其中,每一所述缓冲腔分别具有对应的单向开口;以及多根进气管路,其中,每一所述进气管路的第一端分别连接至...
一种等离子体辅助原子层沉积系统及工艺
本发明公开了一种一种等离子体辅助原子层沉积系统及工艺,属于薄膜沉积技术领域。所述系统包括:工艺腔,所述工艺腔的顶部设有扩散口,所述工艺腔的底部通过升降机构连接样品台,所述工艺腔的底部还通过抽气管路连接真空泵,所述工艺腔上端通过等离子发生器上...
一种衬套、拆装方法及工艺腔室
本发明提供了一种衬套、一种工艺腔室、一种衬套的拆装方法。所述衬套包括衬套本体及固定块。衬套本体设于工艺腔室传片口的内侧壁。所述衬套本体的外侧面设有纵向延伸的阶梯槽,所述阶梯槽包括多个台阶,各所述台阶与所述传片口内侧壁的间距自上而下地递减。固...
一种抽气环组件及工艺腔室
本发明提供了一种抽气环组件包括:第一抽气环,环绕加热盘,所述第一抽气环上设有朝向第一方向的多个第一抽气孔,各所述第一抽气孔包括第一粗段及第一细段,并经由第一抽气路径连接真空机构,其中,所述第一粗段中设有第一堵头,所述第一堵头靠近或远离所述第...
一种管路以及一种次常压化学气相沉积设备
本申请属于半导体技术领域,尤其涉及一种管路以及一种次常压化学气相沉积设备。本申请提供了一种管路,包括:管路主体、氮气通气部以及气泵;氮气通气部包括:加热管以及通气片,通气片设有若干孔状结构,通气片安装于管路主体的侧壁,氮气经加热管加热后通过...
碳化钽/石墨复合材料及其制备方法
本申请公开了碳化钽/石墨复合材料及其制备方法。所述碳化钽/石墨复合材料包括石墨基体、铪掺杂碳化钽膜层和碳化钽膜层,所述铪掺杂碳化钽膜层位于所述石墨基体和所述碳化钽膜层之间。铪掺杂碳化钽膜层具有一定的塑性(延展性),作为缓冲层,设置在石墨基体...
一种在高纯碳化硅基体上快速碳化硅CVD涂层的方法
本发明涉及陶瓷材料制备技术领域,且公开了一种在高纯碳化硅基体上快速碳化硅CVD涂层的方法,该在高纯碳化硅基体上快速碳化硅CVD涂层的方法S1、采用功率为300‑500W、频率为20‑40kHz超声波清洗基体表面10‑20分钟,去除基体表面的...
一种免剥离自脱落的金刚石膜及其制备方法和应用
本发明公开了一种免剥离自脱落的金刚石膜的制备方法、金刚石膜及其应用,该制备方法包括:在硅衬底上沉积过渡层,所述过渡层的材料的热膨胀系数高于硅衬底和金刚石的热膨胀系数;在所述过渡层上沉积金刚石种晶层,在所述金刚石种晶层上沉积金刚石厚膜,沉积完...
用于锗种子层的组合物及其使用方法
本发明涉及用于(a) 形成含硅膜和(b) 将衬底表面官能化以形成适用于沉积Ge膜的锗种子层的前体和方法。在一个方面,提供了如本文所描述的式I的前体和/或式II的前体。
填充衬底表面上的间隙的方法
提供了一种填充衬底表面上的间隙的方法。该方法可以包括:(a)将衬底放置在反应室内的基座上,衬底包括间隙;(b)沉积步骤,包括:使碳前体流入反应室;并且将碳前体暴露于等离子体,其中碳前体反应以形成第一沉积材料;以及(c)处理步骤,包括:在含原...
填充衬底表面上的间隙的方法
提供了一种填充衬底表面上的间隙的方法。该方法可以包括以下步骤:(a)将衬底放置在反应室内的基座上,衬底包括间隙;(b)沉积步骤,包括:使碳前体流入反应室;其中碳前体的化学式包括:具有包含C、H和N的环状结构的环状化合物;羰基;和甲基、乙基、...
冷泵挡板位置调节装置、真空腔室以及真空调节方法
本申请属于半导体设备技术领域,公开一种冷泵挡板位置调节装置、真空腔室以及真空调节方法,装置包括:安装支架,安装在真空腔室的外壁上;驱动传动机构,安装在所述安装支架上,用于对连接杆施加轴向推拉力;连接杆,置于波纹管内,一端与所述驱动传动机构的...
一种薄膜沉积设备、沉积方法及一种介质
本发明涉及一种薄膜沉积设备及一种薄膜沉积方法。该薄膜沉积设备包括反应腔室、第一气源、第二气源、检测器和抽气泵。该反应腔室用于容纳晶圆。该第一气源用于向反应腔室提供第一工艺气体。该第二气源用于向反应腔室提供第二工艺气体。该检测器的第一端经由第...
一种真空镀膜设备
本说明书实施例提供一种真空镀膜设备,包括观察窗结构、衬套和观察窗通道;所述观察窗通道设置在真空镀膜设备的腔体侧壁上,观察窗结构与所述观察窗通道相连接,观察窗结构的中心处设置有高透玻璃;衬套设置在观察窗通道内并与观察窗结构相抵接,观察窗通道与...
一种光学镜片表面镀膜装置
本发明提供的一种光学镜片表面镀膜装置,包括太阳轮、行星轮、驱动板、镀膜托架、万向节、第一连杆、第二连杆、第三连杆、安装壳体、滚轮以及环形导轨,将待镀膜的镜片逐个放入镀膜托架的放置孔内;在驱动机构的驱动下,驱动板带动行星轮围绕太阳轮转动,在第...
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