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最新专利技术
  • 一种防撕拉亚麻的煮漂细化工艺
    一种防撕拉亚麻的煮漂细化工艺_泰兴诺得亚麻纺织有限公司_202511609356.X
    本发明涉及纺织技术领域，具体涉及一种防撕拉亚麻的煮漂细化工艺。本发明通过电场强化离子液体预处理、声化学催化脱胶、光催化‑植物多酚协同漂白及微胶囊自修复整理四步协同，显著提升了亚麻纤维的综合性能。该工艺利用离子液体在电场下的高效渗透与降解作用...
    2026-03-22
  • 一种磷化铟籽晶的高精度制备方法
    一种磷化铟籽晶的高精度制备方法_中砥半导体技术(江苏)有限公司_202511523244.2
    本发明提供了一种磷化铟籽晶的高精度制备方法，该方法包括以下步骤：对磷化铟单晶锭进行晶向校准，然后使用空心钻头进行垂直钻孔形成圆柱形粗坯，将圆柱形粗坯进行酸洗预处理后抛光，将抛光后籽晶浸入涂覆液中生成致密抗氧化层，随后超声清洗、精密检测合格所...
    2026-03-22
  • 一种光伏硅片扩散炉
    一种光伏硅片扩散炉_上海柯帆达材料科技有限公司_202511492661.5
    本发明属于光伏发电技术领域，且公开了一种光伏硅片扩散炉，包括底座，还包括：处理组件，所述处理组件设置于所述底座的顶部；注气组件，所述注气组件设置于所述处理组件的内部，用于向处理组件内注入反应气体。本发明通过分散管位于相邻两个硅片之间的中部，...
    2026-03-22
  • 一种丙二酸氟硼酸镁非线性光学晶体及制备方法和用途
    一种丙二酸氟硼酸镁非线性光学晶体及制备方法和用途_中国科学院新疆理化技术研究所_202511599545.3
    本发明涉及一种丙二酸氟硼酸镁非线性光学晶体及制备方法和用途，该晶体的分子式为MgB22C99O1414F44H1212，分子量为466.02g/mol，单斜晶系，空间群PP211，晶胞参数为a=6.992(3) Å b=15.572(5) ...
    2026-03-22
  • 一种红外非线性光学晶体及其制备方法和用途
    一种红外非线性光学晶体及其制备方法和用途_扬州大学_202511487566.6
    一种红外非线性光学晶体及其制备方法和用途，属于非线性光学晶体技术领域，所述晶体的化学式为Na44Ag22Ga1212S2121，结晶于正交晶系，空间群为Cmc211。本发明通过向硫镓银体系中引入碱金属钠，成功合成了一种结构全新的化合物。该晶...
    2026-03-22
  • 一种消除Ⅲ族氮化物晶体的反转畴的方法、Ⅲ族氮化物晶体及半导体器件
    一种消除Ⅲ族氮化物晶体的反转畴的方法、Ⅲ族氮化物晶体及半导体器件_苏州纳维科技有限公司_202511715963.4
    本发明公开一种消除Ⅲ族氮化物晶体中反转畴的方法、Ⅲ族氮化物晶体及半导体器件，该方法包括：提供待修复Ⅲ族氮化物晶体；待修复Ⅲ族氮化物晶体包括至少一个反转畴以及设置于反转畴周围的晶体基体，待修复Ⅲ族氮化物晶体具有相对设置的第一表面与第二表面，反...
    2026-03-22
  • 一种等料面距生长大厚度SiC晶体的方法及装置
    一种等料面距生长大厚度SiC晶体的方法及装置_哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司_202511730528.9
    本发明涉及SiC晶体的制备技术领域，且公开了一种等料面距生长大厚度SiC晶体的方法及装置，包括制晶炉装置，所述制晶炉装置包括：制晶炉外壳和，所述制晶炉外壳包括：红外测温仪、制晶炉管、进气口、排气口、充气泵和制晶炉盖，所述制晶炉管包括第一电机...
    2026-03-22
  • 一种8英寸SiC单晶快速生长方法
    一种8英寸SiC单晶快速生长方法_哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司_202511730503.9
    本发明涉及半导体材料制备领域，公开了一种8英寸SiC单晶快速生长方法，旨在解决传统物理气相传输法在大尺寸SiC单晶生长中存在的速率低、温场均匀性差、晶体质量不稳定及成本高昂的问题。该方法通过缩短气相传输距离至20‑60mm，重新设计生长温场...
    2026-03-22
  • 一种减小粘接应力的碳化硅籽晶粘接方法
    一种减小粘接应力的碳化硅籽晶粘接方法_北京北方华创真空技术有限公司_202511647061.1
    本申请涉及碳化硅单晶制备的技术领域，提供一种减小粘接应力的碳化硅籽晶粘接方法，其包括对原料进行表面预处理，在籽晶托上通过涂覆粘接剂、贴合片形石墨纸、微孔化处理、固化等步骤形成复合过渡层，将籽晶粘接于复合过渡层上，再将石墨屏蔽环套设并粘接于籽...
    2026-03-22
  • 增强石英销倒影分辨率的方法、石英销以及直拉法单晶生长系统
    增强石英销倒影分辨率的方法、石英销以及直拉法单晶生长系统_上海新昇半导体科技有限公司_202511493051.7
    本发明提供一种增强石英销倒影分辨率的方法、石英销以及直拉法单晶生长系统，使用紫外激光器对石英销的目标区域进行表面粗糙化处理，以增加所述目标区域在高温环境下的辐射亮度，从而当直拉法单晶生长系统采用该石英销进行液距测量，该石英销在硅熔液中的倒影...
    2026-03-22
  • 一种稀土掺杂氟化物和纯氟化物晶体实现键合生长的方法
    一种稀土掺杂氟化物和纯氟化物晶体实现键合生长的方法_中国科学院上海硅酸盐研究所_202511396996.7
    本发明涉及一种稀土掺杂氟化物和纯氟化物晶体实现键合生长的方法，属于晶体生长技术领域。针对现有晶体键合方法存在的对预键合面抛光质量要求高、键合界面折射率突变以及键合面积受限等技术问题，本发明选择纯氟化物基质晶体或稀土掺杂氟化物晶体中的一种作为...
    2026-03-22
  • 降低马赛克法生长大尺寸金刚石单晶界面应力的方法
    降低马赛克法生长大尺寸金刚石单晶界面应力的方法_中南钻石有限公司_202511548136.0
    本发明公开了降低马赛克法生长大尺寸金刚石单晶界面应力的方法，具体按照如下步骤实施：步骤1，选择多个尺寸大于10mm×10mm的金刚石单晶衬底；步骤2，利用激光切割对步骤1中的金刚石单晶衬底进行加工，在靠近边缘的位置处切割出多个方形孔或者一个...
    2026-03-22
  • 一种改善外延片少子寿命的工艺方法
    一种改善外延片少子寿命的工艺方法_中环领先半导体科技股份有限公司_202511398280.0
    本申请提供一种改善外延片少子寿命的工艺方法，步骤包括：获取传输腔和工艺反应腔的压力；计算传输腔与工艺反应腔之间的压力差，并判断所述压力差是否大于等于第一阈值；若是，控制晶圆从所述传输腔中传送至工艺反应腔中。本申请工艺方法，通过精确控制传输腔...
    2026-03-22
  • 一种外延生长设备
    一种外延生长设备_季华实验室_202511894882.5
    本申请涉及半导体晶体生长设备领域，本申请提供一种外延生长设备，包括反应室、工件台和气体注入装置，工件台位于反应室底部的工件台，用于承载基片；气体注入装置位于反应室顶部，其包括壳体以及设于壳体内且与反应室连通的吹扫气体通道和多个独立设置的反应...
    2026-03-22
  • 一种多区域进气的外延沉积设备
    一种多区域进气的外延沉积设备_中国电子科技集团公司第四十八研究所_202511694066.X
    本发明公开了一种多区域进气的外延沉积设备，包括反应室腔体，所述反应室腔体内设有石墨大盘，所述石墨大盘均匀划分为多个独立的生长区域，晶圆放置在生长区域上进行外延工艺，所述反应室腔体侧部均匀设有多个独立的进气装置，以实现多种工艺气体独立输送；所...
    2026-03-22
  • 一种分子束外延设备四溴化碳源材料循环利用装置
    一种分子束外延设备四溴化碳源材料循环利用装置_新磊半导体科技(苏州)股份有限公司_202511575026.3
    本发明提供一种分子束外延设备四溴化碳源材料循环利用装置，涉及分子束外延生长技术领域。该装置包括分子束外延设备四溴化碳源材料装载区、管道加热区、液氮存储区、四溴化碳源出口管道、金属加热丝、控制器，分子束外延设备四溴化碳源材料装载区与四溴化碳源...
    2026-03-22
  • 碳化硅外延片及其制备方法、半导体器件
    碳化硅外延片及其制备方法、半导体器件_江苏鑫华半导体科技股份有限公司_202511370573.8
    本发明涉及半导体技术领域，本发明提供了一种碳化硅外延片的制备方法，包括：S1、将碳化硅衬底置于反应腔室内，在所述衬底的至少一侧沉积第一掺杂层；S2、在1610℃~1660℃的温度下，300mbar~1000mbar的压力下，采用氢气或含氯气...
    2026-03-22
  • 一种基于石墨烯的可剥离Ga2O3薄膜的制备及转移方法
    一种基于石墨烯的可剥离Ga2O3薄膜的制备及转移方法_浙江大学_202511283167.8
    本发明公开了一种基于石墨烯的可剥离Ga22O33薄膜的制备及转移方法，具体方案为：首先通过湿法转移将至少双层石墨烯转移到Al22O33单晶衬底上；然后在Al22O33/石墨烯衬底上生长Ga22O33薄膜；最后将Ga22O33薄膜从Al22O...
    2026-03-22
  • 铜单晶晶圆及其制备方法和应用
    铜单晶晶圆及其制备方法和应用_北京石墨烯研究院_202410940268.7
    本发明公开一种铜单晶晶圆的制备方法，该方法制备的铜单晶晶圆及其应用。所述铜单晶晶圆的制备方法，包括：对晶面取向为c面的蓝宝石单晶晶圆表面进行氧等离子体预处理；在预处理后的蓝宝石单晶晶圆表面沉积铜薄膜；以及对所述铜薄膜进行退火。本发明的制备方...
    2026-03-22
  • 一种进气控制装置及方法和PVT碳化硅长晶炉
    一种进气控制装置及方法和PVT碳化硅长晶炉_北京天科合达半导体股份有限公司_202511899761.X
    本申请提供了一种进气控制装置及方法和PVT碳化硅长晶炉，涉及碳化硅晶体生长技术领域。本申请提供的技术方案，基于闭环反馈控制的温控方式调整混合气体的温度，从而将进气温度和炉内温度的差异精确控制在允许范围内，优化了PVT碳化硅长晶炉的进气控制，...
    2026-03-22
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