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最新专利技术
  • 反射型光传感器
    反射型光传感器_迪睿合株式会社_202480037727.9
    提供一种反射型光传感器，其为具有基材11，设置于基材11上的发光元件12和受光元件13，以及发光元件12和受光元件13之间所设置的遮光壁14的反射型光传感器10，发光元件12和遮光壁14的距离dee，受光元件13和遮光壁14的距离drr，遮...
    2026-01-15
  • 半导体装置和光检测装置
    半导体装置和光检测装置_索尼半导体解决方案公司_202480039520.5
    一种半导体装置，包括：凹槽，其从基板的第一表面朝向与第一表面相对的第二表面配置；绝缘栅场效应晶体管，其配置在所述凹槽内的下部处，并且包括隔着栅极绝缘膜埋入在所述凹槽的侧壁中的栅电极；侧壁绝缘体，其配置在所述凹槽内的上部处的所述凹槽的侧壁上，...
    2026-01-15
  • 光检测装置、成像装置和制造光检测装置的方法
    光检测装置、成像装置和制造光检测装置的方法_索尼半导体解决方案公司_202480037504.2
    本发明抑制了由嵌入在被入射光的半导体层中的元件隔离层的界面处的缺陷引起的暗电流的增加。该光检测装置包括：第一导电类型杂质扩散层，其设置在光的入射位置处；第二导电类型杂质扩散层，其与所述第一导电类型杂质扩散层接合；元件隔离层，其嵌入在所述第一...
    2026-01-15
  • 具有金属通孔的堆叠晶体管
    具有金属通孔的堆叠晶体管_国际商业机器公司_202480035289.2
    一种半导体结构包括堆叠器件结构，该堆叠器件结构具有：第一场效应晶体管，其具有第一源极/漏极区；以及垂直堆叠在第一场效应晶体管上方的第二场效应晶体管，该第二场效应晶体管具有第二源极/漏极区以及具有第一侧壁间隔物的栅极区。该堆叠器件结构还包括被...
    2026-01-15
  • 半导体装置
    半导体装置_株式会社索思未来_202380099236.2
    一种半导体装置，在基板上形成：第一电源线、第二电源线及第三电源线，形成在比基板的上表面更为下方之处；第一晶体管，形成在基板的上方，在俯视下与第一电源线重叠配置；第二晶体管，形成在基板的上方；第一通孔，形成在基板上，用于连接第一晶体管的源极和...
    2026-01-15
  • 具有差异外延源极或漏极凹陷的集成电路结构
    具有差异外延源极或漏极凹陷的集成电路结构_英特尔公司_202380098660.5
    描述了具有差异外延源极或漏极凹陷的集成电路结构。例如，集成电路结构包括在纳米线的第一堆叠或鳍之下的第一子鳍结构。第二子鳍结构在纳米线的第二堆叠或鳍之下。第一外延源极或漏极结构位于纳米线的第一堆叠或鳍的一端处，第一外延源极或漏极结构在其中没有...
    2026-01-15
  • 用于全环绕栅极器件的可变垂直堆叠纳米片
    用于全环绕栅极器件的可变垂直堆叠纳米片_高通股份有限公司_202480039598.7
    公开了形成在纳米片晶圆上的全环绕栅极(GAA)器件，该纳米片晶圆包括多个纳米片(NS)结构，该多个纳米片(NS)结构包括第一NS结构和第二NS结构。第一NS结构可以包括N个纳米片，其中N≥2。所有N个纳米片可用作第一NS结构中的沟道。第二N...
    2026-01-15
  • 半导体装置
    半导体装置_株式会社村田制作所_202480037187.4
    半导体装置(1)具备：基板(10)；N个(其中，N是2以上的整数)第一电极(22)，设置在基板(10)上；第一介电膜(23)，设置在N个第一电极(22)上；M个(其中，M是满足M＞N的3以上的整数)第二电极(24)，经由第一介电膜(23)，...
    2026-01-15
  • 半导体装置
    半导体装置_株式会社索思未来_202380099204.2
    一种半导体装置，在基板上形成：形成在比基板的上表面更为下方之处的第一电源线、第二电源线及第一控制线；第一晶体管，形成在所述下方之处，电设置在第一电源线和第二电源线之间，并具有与第一控制线电连接的栅极；抽头单元，具有半导体层和通孔，该半导体层...
    2026-01-15
  • 半导体装置
    半导体装置_三菱电机株式会社_202380099161.8
    半导体装置具备：半导体基板(1)；第一氧化膜(2)，其形成在半导体基板(1)的正面上；第一氧化膜(3)，其形成在第一氧化膜(2)的正面上；无源元件(10)，其形成在第一氧化膜(3)的内部；以及埋入半导体(21)～(23)，其埋入到无源元件(...
    2026-01-15
  • 多芯片模块及其制造方法
    多芯片模块及其制造方法_因派科技术有限合伙公司_202480020652.3
    本文公开了一种多芯片模块，具有：包括热沉的开放/暴露/裸露的背侧，热沉被配置用于从多芯片模块散热；一个或多个电子部件；以及包括无芯中介物的正侧，无芯中介物包括：多个层，其中多个层中的每一层包括多个导电线/焊盘以及多个导电线/焊盘之间的一个或...
    2026-01-15
  • 集成电路及其制造方法
    集成电路及其制造方法_国立大学法人东北大学_202480037755.0
    提供适于在1THz以上的信号频带中使用的集成电路。集成电路具备基板和单晶的石墨烯层且一体地形成有短栅长晶体管和天线元件，所述基板至少最上表面为碳化硅的单晶，具有与最上表面相交且从最上表面向下方延伸的垂直面、和与最上表面大致平行且与垂直面相交...
    2026-01-15
  • 晶体管及其制造方法、以及集成电路
    晶体管及其制造方法、以及集成电路_国立大学法人东北大学_202480037780.9
    一种晶体管，其具有极短长度的栅极和极薄的载流子传输层，具备：基板，其具有平坦的最上表面、与最上表面相交且从最上表面向下方延伸的垂直面、和与最上表面大致平行且与垂直面相交的下层面；导电薄膜，其与基板的最上表面相接而形成；绝缘膜，其以至少覆盖垂...
    2026-01-15
  • 金刚石半导体装置以及金刚石半导体装置的制造方法
    金刚石半导体装置以及金刚石半导体装置的制造方法_强力金刚石系统株式会社_202480030365.0
    提供一种在正面具有沟槽部的金刚石半导体装置，其具备金刚石层、设置在所述金刚石层上的金刚石外延层、设置在所述外延层的上方的正面侧绝缘膜、以及设置在所述正面侧绝缘膜上的正面侧电极，所述正面侧绝缘膜具有与所述沟槽部的沟槽侧壁相接并填充到所述沟槽部...
    2026-01-15
  • 半导体装置
    半导体装置_富士电机株式会社_202480029525.X
    提供一种半导体装置，抑制了耐压性能降低。具有：活性部(101)；终端区(102)，其在俯视观察时将活性部包围；第一导电型的漂移层(3)，其以遍及活性部及终端区的方式设置；第二导电型的基极区(5)，其设置在活性部的、漂移层的上表面侧；以及第二...
    2026-01-15
  • 半导体装置以及电力转换装置
    半导体装置以及电力转换装置_美蓓亚功率半导体株式会社_202480039108.3
    半导体芯片(200)中，选择性的晶体缺陷区域(237)以包围有源区域(210)的方式设置在至少包含主接合区域(224)的漂移层(234)内，主接合区域(224)的晶体缺陷的密度比有源区域(210)的晶体缺陷的密度高，或者，在将半导体装置的表...
    2026-01-15
  • 具有多厚度前势垒的GaN晶体管
    具有多厚度前势垒的GaN晶体管_宜普电源转换公司_202480038093.9
    一种氮化镓(GaN)晶体管，其包括多层/多厚度势垒层，该势垒层由栅极(22)和漏极(20)之间逐渐增加厚度的区段(40、42、44、46)形成，以逐渐增加从栅极到漏极的沟道中的2DEG密度。GaN栅极(26)可以形成在基部势垒层(16)上，...
    2026-01-15
  • 拾取支援装置及拾取支援方法
    拾取支援装置及拾取支援方法_株式会社富士_202380099357.7
    拾取支援装置具备轨道单元、腔室单元、拍摄部、更新部及判断部。拍摄部针对多个腔室中的至少一个即被确认为已由元件安装机拾取了元件的各个第一腔室，在推定为第一腔室中未收容元件的可拍摄期间对第一腔室进行拍摄。更新部针对各个第一腔室，使用由拍摄部对第...
    2026-01-15
  • 元件安装机、图像处理方法及计算机程序
    元件安装机、图像处理方法及计算机程序_株式会社富士_202380099315.3
    元件安装机具备：元件保持部，保持元件；拍摄装置，能够从侧方拍摄由元件保持部保持的元件；以及图像处理装置，基于由拍摄装置拍摄的元件的图像，来取得由元件保持部保持的元件的姿态。元件具有：第一边，当向基板表面安装时，相对于基板表面而位于与基板表面...
    2026-01-15
  • 元件安装机及控制方法
    元件安装机及控制方法_株式会社富士_202380098339.7
    元件安装机具备：取得部、元件供给装置及动作控制部。取得部针对被供给到元件供给装置的拾取位置的元件，从具有能够识别元件的元件识别信息的识别部件取得元件识别信息，上述元件供给装置供给向基板安装的元件。元件供给装置通知第一完成通知或第二完成通知，...
    2026-01-15
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