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最新专利技术
  • 压电薄膜传感器的自诊断装置
    压电薄膜传感器的自诊断装置_互联电子公司_202380099289.4
    在一示例中，一种系统可包括第一压电薄膜传感器和第二压电薄膜传感器。所述第一压电薄膜传感器可耦接至感测对象，所述第一压电薄膜传感器具有第一参考电容和第一测量电容，并可被配置为发射驱动信号。所述第二压电薄膜传感器可耦接至所述感测对象，所述第二压...
    2026-01-14
  • 用于单向、双向或全向形变测量的柔性压电设备
    用于单向、双向或全向形变测量的柔性压电设备_蠕虫感应公司_202480035601.8
    本发明涉及一种单晶薄压电元件(PIEZO)，该单晶薄压电元件(PIEZO)采用在由第一方向(x)以及垂直于第一方向的第二方向(y)限定的延伸平面(xy)中延伸的板的形式，在第一方向和第二方向上的尺寸(Lx, Ly)各自大于100μm，并且厚...
    2026-01-14
  • 半导体模块、异常判定系统以及异常判定方法
    半导体模块、异常判定系统以及异常判定方法_拓扑逻辑株式会社_202480035940.6
    本发明提供一种半导体模块、异常判定系统以及异常判定方法，所涉及的半导体模块，其包括：安装有半导体元件的电路基板；以及配置于伴随半导体元件的发热的热流的产生位置处的热流传感器。
    2026-01-14
  • 发光装置、密封片、面光源装置以及液晶显示装置
    发光装置、密封片、面光源装置以及液晶显示装置_大日本印刷株式会社_202480036410.3
    发光装置包含发光基板、和与发光基板沿第1方向重叠的密封片。发光基板包含布线基板和由布线基板支承的多个发光元件。发光元件位于布线基板与密封片之间。密封片包含沿第1方向相对设置的入光侧面及出光侧面。发光元件包含与入光侧面相面对的发光面。处于一个...
    2026-01-14
  • 由金属纳米颗粒制成的低温聚集的高反射电极
    由金属纳米颗粒制成的低温聚集的高反射电极_香港大学_202480035882.7
    本发明提供了一种溶液加工的金属纳米颗粒反射电极，其在堆叠过程中形成分散良好的紧密堆积的结构。配体辅助的金属纳米颗粒具有金属纳米颗粒的自堆积能力和较高的空间占比，粒径分布均匀，储存稳定性优异，可在低温烧结下形成高质量的金属纳米颗粒薄膜。最后，...
    2026-01-14
  • 多色微型LED像素阵列
    多色微型LED像素阵列_上海显耀显示科技有限公司_202580002678.X
    本发明描述了一种多色微型LED单元，包括：多个多色微型LED像素，每个多色微型LED像素包括：发射第一颜色光的第一LED结构，其中所述第一LED结构形成在基板上；形成在所述基板上的第一金属柱；发射第二颜色光的第二LED结构，其中所述第二LE...
    2026-01-14
  • 中介层的腔体内的光子集成电路
    中介层的腔体内的光子集成电路_英特尔公司_202380098778.8
    一种设备，所述设备包括用于将衬底的导电接触件耦合到集成电路装置的导电接触件的中介层，其中，中介层包括靠近中介层的导电接触件的腔体，所述中介层的导电接触件用于耦合到光子集成电路(PIC)的导电接触件。
    2026-01-14
  • 一种具有不连续结构的微型LED结构
    一种具有不连续结构的微型LED结构_上海显耀显示科技有限公司_202580002545.2
    本文描述了一种微型LED像素阵列，该阵列包含多个像素，每个像素包括具有不连续结构的微型LED结构，所述微型LED结构包括：发射第一颜色光的微型LED台面，其中微型LED台面位于基板上，并包含多个半导体外延层，不同微型LED台面的半导体外延层...
    2026-01-14
  • 发光元件和显示装置
    发光元件和显示装置_三星显示有限公司_202480038056.8
    该发光元件包括：第一半导体层；第二半导体层，设置在第一半导体层上；活性层，设置在第一半导体层与第二半导体层之间；第一绝缘膜，至少部分地围绕第一半导体层、第二半导体层和活性层；第二绝缘膜，围绕第一绝缘膜；以及第三绝缘膜，围绕第二绝缘膜，其中，...
    2026-01-14
  • 用于回收光伏模块的可回收组件的装置及方法
    用于回收光伏模块的可回收组件的装置及方法_新加坡理工学院_202480033009.4
    本文公开了用于从光伏(PV)模块中系统性回收可回收组件的装置及方法。该装置能操作以：在输送元件中的一者的一端接纳PV模块；通过该装载工位将该PV模块装载到该边框移除工位上；通过该边框移除工位将边框与该PV模块分离以回收该边框；通过PV模块拆...
    2026-01-14
  • 光检测装置和电子设备
    光检测装置和电子设备_索尼半导体解决方案公司_202480032655.9
    根据本发明的实施方案的光检测装置包括：第一基板，其具有对光进行光电转换的多个光电转换元件；第二基板，其与所述第一基板层叠并且具有多个读出电路，所述多个读出电路能够基于由所述光电转换元件转换的电荷输出第一信号；贯通电极，其针对所述第二基板中的...
    2026-01-14
  • 用于单片堆叠器件的多重栅极电介质
    用于单片堆叠器件的多重栅极电介质_国际商业机器公司_202480035293.9
    提供一种半导体结构，包括具有不同栅极电介质的多个堆叠器件。设计了用于堆叠器件的不同栅极电介质以改进堆叠器件中的每一个堆叠器件的性能以及可靠性。
    2026-01-14
  • 与P通道耦接的N通道以及制造方法
    与P通道耦接的N通道以及制造方法_应用材料公司_202480027265.2
    兹提供逻辑元件及制造逻辑元件的方法。所述半导体逻辑元件包括：位于基板上之n‑通道环绕式栅极(n‑GAA)场效晶体管，其与位于基板上之p‑通道环绕式栅极(p‑GAA)场效晶体管整合，p‑通道环绕式栅极(p‑GAA)场效晶体管邻近n‑通道环绕式...
    2026-01-14
  • 具有栅极切口以增强载流子迁移率的三维场效应晶体管和相关制造方法
    具有栅极切口以增强载流子迁移率的三维场效应晶体管和相关制造方法_高通股份有限公司_202480037904.3
    一种延伸穿过与3D FET的沟道区相邻的栅极的栅极切口使栅极在彼此正交的方向上将第一力和第二力施加在沟道区上以改善载流子迁移率，从而增加驱动强度。该栅极切口可包括栅极切口壁以使栅极在第一方向上将第一力施加在沟道区上。该栅极切口可包括栅极切口...
    2026-01-14
  • 采用功函数金属层的热膨胀以用于应变效应的场效应晶体管(FET)和相关的制造方法
    采用功函数金属层的热膨胀以用于应变效应的场效应晶体管(FET)和相关的制造方法_高通股份有限公司_202480037629.5
    在相对于半导体板的第一方向上施加到半导体板的沟道区的力可以在晶体结构中产生应变，该应变提高载流子迁移率以提高沟道区中的驱动强度。在三维(3D)FET结构(600)中，在半导体板(例如纳米片)的相对面上提供功函数金属层(616)，以使力在对应...
    2026-01-14
  • 具有注入电荷补偿区的MOSFET
    具有注入电荷补偿区的MOSFET_沃孚半导体公司_202480032340.4
    一种半导体器件，包括：具有第一导电类型的半导体层；半导体层中的阱区，阱区具有与第一导电类型相对的第二导电类型；阱区中具有第一导电类型的源极区；以及阱区下方的半导体层中的注入电荷补偿区。源极区相邻于阱区中的沟道区。一种形成半导体器件的方法，包...
    2026-01-14
  • 半导体装置、半导体装置的制造方法及电子设备
    半导体装置、半导体装置的制造方法及电子设备_株式会社半导体能源研究所_202480037821.4
    提供一种能够实现微型化或高集成化的半导体装置。层叠设置有第一晶体管和第二晶体管，它们之间设置有电容器。第一晶体管及第二晶体管的沟道形成区域分别在沿着设置于层间绝缘层中的开口部的侧壁的方向上设置。开口部的内部依次设置有半导体层、栅极绝缘层及栅...
    2026-01-14
  • 半导体装置及半导体装置的制造方法
    半导体装置及半导体装置的制造方法_株式会社半导体能源研究所_202480037820.X
    提供一种包括通态电流大的晶体管的半导体装置。半导体装置包括：半导体层、第一至第三导电层；以及第一及第二绝缘层。第一绝缘层具有到达第一导电层的第一开口部。第二导电层位于第一绝缘层上，并在与第一开口部重叠的区域中具有第二开口部。半导体层具有与第...
    2026-01-14
  • 半导体装置及其制造方法
    半导体装置及其制造方法_罗姆股份有限公司_202480034161.4
    一种半导体装置，包含：芯片，其具有主面；平面型的多个栅极构造，其分别包含覆盖所述主面的栅极绝缘膜、配置在所述栅极绝缘膜之上的栅极电极、以及覆盖所述栅极电极的侧壁的侧壁绝缘膜，多个所述栅极构造隔开间隔地配置在所述主面之上；开口，其在多个所述栅...
    2026-01-14
  • 具有高k场缓解介电结构的半导体装置
    具有高k场缓解介电结构的半导体装置_德州仪器公司_202380098929.X
    描述了包含高k场缓解介电结构(122)的半导体装置。微电子装置(100)包括：衬底(103)，其包含所述衬底(103)上的体区(108)和漏极漂移区(145)；栅极介电层(152)，其在所述体区(108)和所述漂移区(145)上方延伸；场缓...
    2026-01-14
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