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  • 本发明提供了一种16路开关量采集电路,涉及开关量输出印制板测试技术领域。该电路包括采集接口、光电隔离子电路、并口转串口子电路、采集显示子电路、输出接口和供电接口,其中,采集接口用于接收外部的16路开关量信号,光电隔离子电路用于对16路开关量...
  • 本发明公开了一种汽车电子电路板测试治具,包括支架,所述滑块上安装有日光灯,所述日光灯变化角度照射在电路板上,检测电路板对光学传感器数据的处理能力;所述喷管上设有向电路板上喷出不同温度空气的喷孔,模拟电路板在不同环境工作的状态。本发明集成了多...
  • 本公开涉及一种芯片闩锁效应测试方法、装置、设备及存储介质,涉及芯片测试技术领域。本公开通过在被测芯片处于系统级测试阶段时,将芯片电源的目标输出电压调整为被测芯片的最大应力电压,目标输出电压为芯片电源输出至被测芯片的电压;获取芯片电源的输入电...
  • 本发明公开了一种集成电路芯片辐射效应评估试验的X射线总剂量确定方法,包括:根据待试验集成电路芯片中与辐射的敏感区相关的各板层结构仿真建模得到真实结构模型,并仿真X射线的辐照环境并统计集成电路芯片的真实结构模型中敏感区的吸收剂量;采用平衡模体...
  • 本发明公开了一种通用芯片测试架构及数据处理方法、装置,该系统包括PC主机、通用测试软件,测试线缆,测试板卡组成的测试系统,其特征在于,将主机与测试板卡互联,通过不同的测试子卡,测试软件进行相应配置进行不同的测试。本发明尽可能覆盖芯片所有测试...
  • 本公开提供了一种板卡的性能测试方法、装置及设备,通过获取对板卡进行测试而生成的标准数据文件,解析标准数据文件得到目标测试套件名称和测量数据集合;确定目标测试套件名称表示的目标测试套件所属的目标板卡类型;基于表示板卡类型和配置文件间对应关系的...
  • 本发明实施例提供了一种功率器件的测试方法、装置、电子设备和存储介质,该方法包括:在晶圆测试阶段,对用于形成功率器件的晶圆依次施加多个逐步增大的电压,并获取晶圆在多个电压下的漏电流值;根据晶圆在多个电压下的漏电流值,确定满足预设第一测试条件的...
  • 本申请适用于芯片测试领域,提供一种芯片测试方法、系统、计算机设备及存储介质,其中方法包括:依照芯片测试项,在探针卡中的探针不与晶圆上的芯片接触的情况下执行测试处理,得到所述探针卡中每个工位的第一测试结果,并记录于所述存储器中,在所述探针卡中...
  • 本发明公开了一种用于半导体加工的芯片测试装置,涉及半导体加工技术领域。该种用于半导体加工的芯片测试装置,包括装置底座和承载支架,所述装置底座的顶部固定安装有承载支架,所述承载支架的顶部固定安装有芯片放置盒,所述芯片放置盒的内部放置有待测试芯...
  • 本发明提供一种解决晶圆级多个分立器件同测中测试失效的方法,该方法旨在解决现有技术中因单个器件失效导致整个测试批次数据丢失和良率不准的问题。本发明的方法包括:对待测器件组进行并行测试;若发生测试失效,则根据预设算法分析测试结果,识别并记录导致...
  • 本公开提供一种电源管理芯片的测试平台,包括上位机、控制板、负载子板和仪表;控制板,被配置为接收上位机发送的测试指令,基于测试指令对仪表进行配置,向负载子板发送测试信号,接收负载子板发送的响应信号,基于响应信号得到测试结果,将测试结果发送给上...
  • 本说明书实施例提供基于动态电性序列RNN的ATE内嵌式晶圆缺陷检测方法及装置,其中方法包括:从ATE测试过程中获取原始电性参数数据,并对原始电性参数数据进行预处理确定质量参数数据;基于质量参数数据,构建序列数据;构建初始深度序列学习模型,并...
  • 本发明属于半导体器件性能测试技术领域,具体涉及一种VCSEL外延片电阻率分布测量方法及系统,其方法包括:构建表征外延片的三维离散化模型和包含垂直电阻率、顶部横向电阻率及衬底漏电结非线性电阻的未知参数向量;定义物理响应函数,通过离散点拟合算法...
  • 本发明公开了一种氮化镓功率开关管的导通电阻检测电路及系统。其中电路包括电压输出电路、电容器、第一电压钳位电路、充电二极管、放电二极管、电压探测器以及控制单元;在氮化镓功率开关管断开时电容器充电,电容器与氮化镓功率开关管的源极和漏极并联,第一...
  • 本发明涉及数据处理技术领域,尤其涉及一种高频二极管导电损耗特性测试系统,该系统包括:获取模块、第一判定模块、第二判定模块、第一确定模块、第二确定模块、调整模块以及输出模块。本发明通过采集多重关键数据,先根据正向电压、反向恢复电荷快速筛查,再...
  • 本申请公开了一种宽量程的开关管漏电流检测方法及其系统涉及半导体器件检测技术领域,方法包括将待测NMOS开关管接跨阻放大器,采集漏极电流;跨阻放大器将漏极电流转化为输出电压信号V,可切换反馈电阻至少包括两路对应不同量程的反馈支路;检测到输出电...
  • 本发明涉及IGBT模块测试技术领域,具体是涉及一种IGBT模块的绝缘测试设备,用于测试IGBT模块本体的绝缘情况,包括:底座,底座顶部的中心位置还设置有与IGBT模块本体配合的测试台,所述测试台的两侧还设置有与IGBT模块本体上的引脚片配合...
  • 本发明属于特高压直流输电技术领域,具体涉及一种换流阀晶闸管级故障快速定位检测装置。检测装置通过接收模块接收阀控设备下发的触发信号,通过发送模块将触发信号转发给晶闸管级控制单元;还通过接收模块接收晶闸管级控制单元反馈的回检信号;逻辑处理模块根...
  • 本申请涉及二极管领域,公开了一种多基色发光二极管模组参数指标的双向预测及优化方法,包括以下步骤,S1:采集多基色发光二极管模组在不同工作条件下的实验数据,所述实验数据至少包含散热器温度、各基色驱动电流以及对应的光学与色度参数;S2:基于S1...
  • 本申请公开了一种功率半导体器件的结点温度检测方法、装置以及车辆。其中,该方法包括:基于驱动电机中功率半导体器件的功率控制参数,确定功率半导体器件的第一损耗参数;将第一损耗参数和功率半导体器件的目标环境参数输入至温度预测模型中,利用温度预测模...
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