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  • 本发明涉及碳化硅技术领域,尤其涉及一种调平碳化硅晶体界面的方法以及装置,所述装置包括:坩埚;所述坩埚的顶部设置有用于生长碳化硅晶体的籽晶;所述坩埚底部设置有导电料;所述导电料内部设置有圆柱形的石墨纸环。本发明在碳化硅(SiC)晶体生长过程中...
  • 本发明公开了一种防止母液残留的水平液相外延石墨舟及方法,属于半导体薄膜生长技术领域,该石墨舟主要包括:外壳、底板、滑块、活动块。其特点是:滑块滑动至衬底上方的生长位置时,活动块可以密封住母液槽保证外延薄膜的生长;当生长结束后,滑块继续滑动,...
  • 本申请提供一种基于行星旋转的多籽晶碳化硅液相生长方法、装置及系统,液相生长方法包括前置准备阶段、第一生长阶段和第二生长阶段。前置准备阶段包括将籽晶承载部通过斜面承载离轴籽晶,斜面的法线方向与籽晶承载部的轴线方向所形成的夹角匹配离轴籽晶的离轴...
  • 本发明公开了一种可降低功耗的单晶炉,包括底盘本体、设置在底盘本体中心且与坩埚托相连的托杆,以及设置在底盘本体上表面的保温部件,所述保温部件包括炉底软毡、炉底下固毡、保温软毡和炉底上固毡,所述炉底软毡设置在底盘本体的上表面,所述炉底下固毡设置...
  • 本发明公开了一种单晶炉加料筒用自动挂取装置及其定位方法,通过设置移动组件、定位组件、检测重锤位置的水平激光定位仪和径向激光定位仪,成加料筒在加料前的自动化定位和挂取,无需人工手动挂取,提高定位精度和工作效率,减少因人员操作引起的粉尘等污染。
  • 本发明实施例公开的基于单晶定向生长提纯金属铟的方法,包括:将纯度不小于5N的金属铟原料填充在石墨舟内的空腔中;其中,石墨舟内的空腔的端部设置为圆锥形,石墨舟的内壁覆盖有热解碳或热解氮化硼层;加热石墨舟内的圆锥形空腔端部,使金属铟原料熔融填充...
  • 本发明提供了一种晶体生长装置和晶体生长方法,解决了现有芯片制造工艺中晶圆利用率低、晶体生长速度慢、效率低、均匀性差等技术问题。本发明摒弃传统圆柱形安瓿结构,创新性地采用环形安瓿设计,使晶体生长为与目标晶片规格高度适配的内中空圆筒状;将加热器...
  • 本发明属于氧化物晶体生长技术领域,具体涉及一种氮化硼复合坩埚及其在氧化镓晶体生长中的应用。本发明基于化学气相沉积(CVD)技术,采用“气体渐变通入+温度精准控制”实现梯度涂层制备,在石墨内芯外侧依次沉积碳化硼(B4C)涂层、碳化硼‑热解氮化...
  • 本发明公开了单晶铜热型连铸工艺及其设备,属于键合线技术领域。工艺关键为:控制熔化保温炉液位高于铸型出口5~10mm,铸型型口温度1100~1108℃,冷却水量25~50L/h、冷却距离30~40mm,连铸速度100~150mm/min,使固...
  • 本发明涉及β‑Ga2O3晶体材料生长技术领域,特别是涉及一种β‑Ga2O3晶体的助熔剂及其单晶X射线探测器的制备方法。生长β‑Ga2O3晶体的助熔剂包括碲氧化物和二价碱土金属碳酸盐。将氧化镓和助熔剂混匀得到混合物料;将所述混合物料移入晶体生...
  • 本发明涉及一种利用助熔剂生长氟化铽锂磁光晶体的方法。其过程包括(1)将助熔剂与原料充分混合。(2)将混合料放进坩埚并送入高温熔盐炉中,将炉内抽真空,通入保护气体。(3)控制升温速率,加热至混合料完全熔化,恒温数小时。(4)缓慢降温至晶体完全...
  • 本发明公开了一种基于钙镁基固废调控制备海胆型文石晶须材料及其方法,属于固体废弃物资源化利用技术领域。本发明通过钙基固废与镁基固废溶液的协同作用,并在特定的工艺参数(pH=6.2~7.0、温度60~90℃、CO2浓度15~99%、固液比1 :...
  • 本发明公开了一种在单晶金刚石表面构筑金属终端的方法,主要步骤是,将金属颗粒和单晶金刚石共同置于反应容器中,单晶金刚石位于金属颗粒的上方,对反应容器抽真空后密封;对密封的反应容器进行加热熔化金属颗粒并进一步形成气态金属蒸汽,气态金属蒸汽充满整...
  • 本发明属于不锈钢管表面处理技术领域,提供了一种水平卧式结构的电解抛光设备,包括:阳极组架,所述阳极组架上固定待电解抛光的不锈钢管,所述不锈钢管接电流正极;高扬程离心泵,所述高扬程离心泵将电解液由不锈钢管的一端泵入并充满不锈钢管后由另一端流出...
  • 本发明公开了一种适用于医用锆基非晶合金的电解等离子体抛光液及抛光方法,通过协同选取适合的第一铵源、第一碱金属源、含氟盐、磷酸系缓蚀剂、过渡金属无机酸系缓蚀剂、磺酸盐型阴离子表面活性剂、多羟基酸系络合剂的材料组成及其浓度配比,构建了适合锆基非...
  • 本发明公开了一种用于GH4169合金中次生相的电解腐蚀剂及腐蚀方法,属于金属材料的化学法蚀刻技术领域,包括乙二醇2份、氢氟酸1份、硝酸1份、去离子水1份;将合金切割试样,经砂纸逐级打磨后,采用抛光膏预处理,再精抛;以试样为阳极,以石墨电极为...
  • 本发明提供一种基板处理方法,包括:保持基板相对于电镀液的液面倾斜;垂直往下移动所述基板,使所述基板与所述电镀液接触;放平所述基板,将所述基板浸入所述电镀液中,本发明中基板处理方法,在浸入基板至电镀液过程中,基板与电镀液液面倾斜以使气泡沿着倾...
  • 本公开提供一种载体铜箔生产设备及载体铜箔,涉及铜箔制备技术领域,旨在解决现有载体铜箔生产中铜箔层制备稳定性差的技术问题。该设备包括生箔机、输送辊组、剥离层生成装置、铜箔层生成装置以及表面处理装置;生箔机、剥离层生成装置、铜箔层生成装置及表面...
  • 本申请提供了一种电镀装置及电镀方法,涉及半导体制造设备领域,所述电镀装置包括:基板保持架,用于固持并旋转所述基板;膜架,位于所述基板保持架的下方,所述膜架的内部用于容纳电镀液,所述膜架设有多个出液孔,用于向所述基板的表面喷射所述电镀液;屏蔽...
  • 一种单片龙门电镀挂具及电镀设备,属于电镀挂具技术领域,单片龙门电镀挂具包括挂架,挂架上可拆卸安装有若干夹具,夹具包括相铰接的第一夹腿和第二夹腿,第一夹腿用于与工件接触的位置处设有第一夹持凸条,第二夹腿用于与工件接触的位置处设有第二夹持凸条,...
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