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最新专利技术
  • 一种多基岛引线框架及封装体
    一种多基岛引线框架及封装体_晶艺半导体有限公司_202511426912.X
    本申请提供了一种多基岛引线框架及封装体，涉及封装技术领域。引线框架包括四个基岛、第一类型引脚区和第二类型引脚区。四个基岛分别用于贴装第一功率开关器件、第二功率开关器件、自举二极管和驱动电路。第一类型引脚区分别同第一、第二和第三基岛连接；第二...
    2026-01-14
  • 一种基于TO-263框架的系统级封装结构
    一种基于TO-263框架的系统级封装结构_信天翁半导体(杭州)有限公司_202511433649.7
    本发明涉及半导体测试技术领域，尤其涉及一种基于TO‑263框架的系统级封装结构；一种基于TO‑263框架的系统级封装结构，包括：mos芯片、系统控制芯片，电子元件，陶瓷基板，其中，所述电子元件为1个；所述电子元件为电容元件，所述陶瓷基板为镀...
    2026-01-14
  • 功率半导体装置
    功率半导体装置_同欣电子工业股份有限公司_202410810142.8
    本发明公开一种功率半导体装置，包括安装基座；功率芯片，固定在安装基座上；接合导线，将功率芯片电连接至安装基座上的电路图案；柱状电极座，设置于安装基座上；塑料壳体，包覆安装基座的上表面、功率芯片、接合导线，以及柱状电极座，其中，塑料壳体包括穿...
    2026-01-14
  • 一种基于微通道高效散热和光学互连的计算芯片
    一种基于微通道高效散热和光学互连的计算芯片_中南大学_202511345347.4
    本发明公开了一种基于微通道高效散热和光学互连的计算芯片；涉及高性能计算芯片技术领域包括基板，基板上设有介质层，介质层中开设有供高折射率液体流通的流通槽，流通槽两端连通至介质层的顶面；介质层的顶部还安装有多个EIC芯粒，EIC芯粒上安装有PD...
    2026-01-14
  • 半导体装置
    半导体装置_富士电机株式会社_202510527502.8
    提供一种半导体装置，抑制功率半导体模块的背面导电性板与冷却器之间的电位差并实现小型化，可靠性高。该半导体装置包括：半导体模块(10)，其具备在相对介电常数εο的绝缘基板(22)的两面配置导电性板(21a、21b、23)而成的层叠基板(2)、...
    2026-01-14
  • 集成热电制冷模块的芯片封装结构及方法
    集成热电制冷模块的芯片封装结构及方法_上海大学_202511464520.2
    本发明公开了一种集成热电制冷模块的芯片封装结构及方法，涉及半导体封装领域，包括基板、中阶层、主芯片组件、互联芯片、热电制冷模块和金属盖板，金属盖板与基板固定连接并形成封装腔，中阶层、主芯片组件、互联芯片和热电制冷模块均设置在封装腔内；热电制...
    2026-01-14
  • 陶瓷覆金属基板及功率模块
    陶瓷覆金属基板及功率模块_海南亿塔科技有限公司_202511396892.6
    本发明公开了一种陶瓷覆金属基板，包括：位于中间导热陶瓷层的反面上的第一金属覆层；第一金属覆层中至少复合了一层热解石墨层。第一金属子层的正面焊接在中间导热陶瓷层的反面，热解石墨层的正面焊接在第一金属子层的反面。第二金属子层的正面焊接在热解石墨...
    2026-01-14
  • 功率器件
    功率器件_海南亿塔科技有限公司_202511505306.7
    本发明公开了一种功率器件，包括：一体化绝缘导热金属底板，由上表面金属层、绝缘导热层和下表面金属层通过热压工艺结合形成。上表面金属层具有芯片贴装区域以及电路拓扑的电气连接图形，功率器件的端子都和上表面金属层连接。下表面金属层的厚度大于上表面金...
    2026-01-14
  • 分立器件及分立器件散热装置
    分立器件及分立器件散热装置_无锡瑞鸿兴半导体设备有限公司_202511394474.3
    分立器件及分立器件散热装置，包括分立器件本体，所述分立器件本体的下部安装有引脚，所述分立器件本体的外部固定包裹有固定导热壳，所述固定导热壳的一端固定连接有螺旋散热片，所述固定导热壳、螺旋散热片之间设有空隙。所述固定导热壳的上端固定连接有挡片...
    2026-01-14
  • 功率模块的封装结构、半桥功率模组、全桥功率模组、电机控制器及车辆
    功率模块的封装结构、半桥功率模组、全桥功率模组、电机控制器及车辆_辰致汽车科技集团有限公司上海驰驱智能控制技术分公司_202511321798.4
    本发明涉及一种功率模块的封装结构、半桥功率模组、全桥功率模组、电机控制器及车辆，包括散热背铜层、第一导热绝缘层、绝缘基板层、core FR4层、导热绝缘填充层、功率芯片S‑Cell层、第二导热绝缘层、上桥臂功率铜层、第三导热绝缘层、下桥臂功...
    2026-01-14
  • 用于电子部件的热控制设备
    用于电子部件的热控制设备_波音公司_202510679522.7
    本申请涉及用于电子部件的热控制设备。本公开提供了一种热控制设备。热控制设备包括集成电路(IC)和布置为与所述IC热连通的加热器膜。加热器膜被布置为在相对冷的条件期间，或者更确切地说，当与所述IC相关联的温度达到阈值时，选择性地加热所述IC。...
    2026-01-14
  • 半导体封装件中的引线稳定化
    半导体封装件中的引线稳定化_意法半导体公司_202511347326.6
    本公开涉及半导体封装件中的引线稳定化。总体描述的一个或多个实施例针对包括多个引线的半导体封装件及其形成方法。多个引线包括电耦合到半导体管芯的键合焊盘并由此耦合到半导体管芯的有源组件的有源引线，以及未电耦合到半导体管芯的键合焊盘的无源引线。有...
    2026-01-14
  • 一种兼具低热阻和低应力的碳化硅功率模块封装结构
    一种兼具低热阻和低应力的碳化硅功率模块封装结构_山东大学_202511258855.9
    本发明公开了一种兼具低热阻和低应力的碳化硅功率模块封装结构，属于半导体器件技术领域。本发明的封装结构包括：金属基板；绝缘陶瓷层，设置在所述金属基板之上；电路层，设置在所述绝缘陶瓷层之上；碳化硅芯片，其下表面通过第一界面层与所述电路层连接；复...
    2026-01-14
  • 封装基板及其制法
    封装基板及其制法_芯爱科技(南京)有限公司_202411654362.2
    本发明提出一种封装基板及其制法。封装基板包括于一具有核心层的核心板体的其中一侧上形成线路结构，使该核心板体的另一侧作为植球侧，以减少该封装基板的层数，故该封装基板的总厚度有利于减薄。
    2026-01-14
  • 封装结构及其形成方法
    封装结构及其形成方法_北京有竹居网络技术有限公司_202410814399.0
    本公开实施例提供一种封装结构及其形成方法，所述封装结构包括：电路板，具有彼此相对的第一侧和第二侧，基板构件，设置于所述电路板的所述第一侧，且与所述电路板电连接；互联构件，设置于所述电路板的所述第二侧，且与所述电路板电连接；以及芯片模组，包括...
    2026-01-14
  • 使用CTAB减少互连结构之间的EM枝晶短路的发生的半导体器件和方法
    使用CTAB减少互连结构之间的EM枝晶短路的发生的半导体器件和方法_JCET星科金朋韩国有限公司_202510544143.7
    一种半导体器件具有衬底、在衬底的第一表面上方包括多个互连结构的电部件、以及设置在电部件的多个互连结构上方以减少多个互连结构中的第一个和多个互连结构中的第二个之间的枝晶形成的CTAB涂层。电部件可以是半导体管芯或分立器件。密封剂沉积在电部件和...
    2026-01-14
  • 一种大尺寸电子封装外壳及其制造方法
    一种大尺寸电子封装外壳及其制造方法_合肥圣达电子科技实业有限公司_202511731286.5
    本申请公开了一种大尺寸电子封装外壳及其制造方法，属于电子封装技术领域。该封装外壳包括：金属壳体，所述金属壳体的材质为4J29可伐合金或含碳量在0.08%‑1.3%之间的碳素结构钢；嵌于所述金属壳体底部的密封绝缘子，所述密封绝缘子包括空心圆柱...
    2026-01-14
  • 物理不可仿制功能产生器
    物理不可仿制功能产生器_力晶积成电子制造股份有限公司_202410892614.9
    本发明公开一种物理不可仿制功能产生器，其包括导电图案、绝缘层、多条导线以及通孔阵列。导电图案设置在基底上。绝缘层设置在基底上以覆盖导电图案。多条导线设置在绝缘层上。通孔阵列设置在绝缘层中且包括第一通孔群以及多个第二通孔群。第一通孔群与导电图...
    2026-01-14
  • 半导体装置、半导体存储器以及半导体装置形成方法
    半导体装置、半导体存储器以及半导体装置形成方法_长鑫科技集团股份有限公司_202410805947.3
    本公开实施例提供了一种半导体装置、半导体存储器以及半导体装置形成方法，包括：衬底和侧壁，衬底的正面设置有正面介质层，衬底的背面设置有背面介质层，正面介质层和/或背面介质层包括低K材料；侧壁沿衬底的背面延伸到衬底的正面，侧壁包括正面介质层的侧...
    2026-01-14
  • 通孔刻蚀方法
    通孔刻蚀方法_原集微(上海)电子有限公司_202511725667.2
    本发明提供一种通孔刻蚀方法，通过形成具有特定倾角α、底部宽度及厚度的灰度掩膜层，解决了现有技术角度调控不灵活、工艺窗口狭窄、角度容差大以及晶圆级刻蚀均匀性差的问题。通过调整掩膜层的倾角α，实现对通孔倾角β的连续调节和精确控制，从而显著提升了...
    2026-01-14
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