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最新专利技术
  • 显示面板及显示装置
    显示面板及显示装置_京东方科技集团股份有限公司_202480001038.2
    本申请公开了一种显示面板及显示装置，涉及显示技术领域。该显示面板包括衬底基板，多个像素单元以及多条栅极信号线。其中，栅极信号线包括沿第一方向延伸的主体部分，以及和主体部分连接且位于衬底基板的显示区域中靠近周边区域的目标透明区的弯折部分。由于...
    2025-12-24
  • 显示基板及显示装置
    显示基板及显示装置_京东方科技集团股份有限公司_202480000632.X
    一种显示基板和显示装置，该显示基板的子像素中，连接结构电连接第一电极的第一部分和第一电极的第二部分，且包括第一延伸部、第二延伸部和连接部；第一延伸部的第一端与第一电极的第一部分电连接，第二延伸部的第一端与第一电极的第二部分电连接，连接部位于...
    2025-12-24
  • 一种可拉伸器件、其制作方法及美容装置
    一种可拉伸器件、其制作方法及美容装置_京东方科技集团股份有限公司_202480000596.7
    本公开提供了一种可拉伸器件、其制作方法及美容装置，包括基材层，以及设置在基材层上彼此隔开的多个岛区、设置在相邻岛区之间的孔区以及连接相邻岛区的桥区，至少一个岛区包括一个子像素；岛区包括设置在基材层上的阳极、发光层和阴极，岛区包括有效发光区以...
    2025-12-24
  • 发光器件
    发光器件_株式会社半导体能源研究所_202480025581.6
    提供一种能够用于高清晰显示装置且发光效率及可靠性高的串联型发光器件。提供一种发光器件，该发光器件包括第一电极、第二电极以及位于所述第一电极与所述第二电极之间的有机化合物层，所述有机化合物层从所述第一电极一侧依次包括第一发光单元、中间层及第二...
    2025-12-24
  • 电荷传输性清漆
    电荷传输性清漆_日产化学株式会社_202480032571.5
    作为形成空穴注入性优异的电荷传输性薄膜的电荷传输性清漆，提供下述电荷传输性清漆，其包含用由式(S1)表示的硅烷偶联剂表面处理过的金属氧化物纳米粒子、电荷传输性物质和有机溶剂。(Rv1～Rv3相互独立地表示氢原子、氯原子、羟基、可具有取代基的...
    2025-12-24
  • 电荷传输性清漆和化合物
    电荷传输性清漆和化合物_日产化学株式会社_202480033267.2
    作为形成空穴传输性优异的电荷传输性薄膜的电荷传输性清漆，提供如下电荷传输性清漆，其包含电荷传输性物质、SiO2纳米粒子、和溶剂，上述电荷传输性物质包含芳基胺衍生物(其中，不包括由下述式(E1)表示的化合物。)。(式中，R1表示氢原子，R2各...
    2025-12-24
  • 像素用半导体发光器件及包括该发光器件的显示装置
    像素用半导体发光器件及包括该发光器件的显示装置_LG电子株式会社_202380098177.7
    实施例的像素用半导体及包括该像素用半导体的显示装置可以包括：发光结构物，包括第一导电型半导体层、活性层以及第二导电型半导体层；接触孔，贯穿所述第二导电型半导体层和所述活性层，使得所述第一导电型半导体层的一部分露出，并且所述接触孔配置在所述发...
    2025-12-24
  • 连接膜以及包括连接膜的显示面板
    连接膜以及包括连接膜的显示面板_三星电子株式会社_202480031973.3
    公开了一种用于连接基板和多个发光二极管的连接膜以及包括该连接膜的显示面板。连接膜可以包括具有黑色调颜色的片以及以间隔提供在片上的多个导电粘合构件。
    2025-12-24
  • 发光基板及显示装置
    发光基板及显示装置_京东方科技集团股份有限公司_202480000571.7
    一种发光基板及显示装置。发光基板包括衬底(10)、焊盘组、发光元件(42)及多个连接部。焊盘组包括第一焊盘(21)和第二焊盘(22)，第一焊盘(21)和第二焊盘(22)沿第一方向间隔设置。发光元件(42)设置有第一焊脚(421)和第二焊脚(...
    2025-12-24
  • 一种封装组件及其组装方法和摄像模组
    一种封装组件及其组装方法和摄像模组_宁波舜宇光电信息有限公司_202480032093.8
    本发明公开了一种封装组件及其组装方法和摄像模组。封装组件的组装方法包括步骤：a：提供一线路板，线路板一侧表面设有多个线路板焊盘，将至少一锡球植入线路板焊盘；b：提供一芯片，芯片上设有多个芯片焊盘，将至少一金球植入芯片焊盘；c：将胶水涂覆至线...
    2025-12-24
  • 具有设计用于减少载流子复合的电池架构的太阳能电池
    具有设计用于减少载流子复合的电池架构的太阳能电池_迈可晟太阳能有限公司_202480033196.6
    公开了一种太阳能电池。所述太阳能电池包含基底、形成在所述基底的背面上的电介质层以及在所述电介质层上的具有第一极性的多个非邻接沉积发射区。所述太阳能电池还包括：所述电介质层上的具有第二极性的至少一个沉积发射区，所述至少一个沉积发射区与所述多个...
    2025-12-24
  • 半导体封装件和半导体封装件制造方法
    半导体封装件和半导体封装件制造方法_索尼半导体解决方案公司_202480033203.2
    在这个腔体结构半导体封装件中改善了图像质量。该半导体封装件设置有半导体芯片、玻璃和密封树脂。在这个设置有半导体芯片、玻璃和密封树脂的半导体封装件中，多个像素布置在半导体芯片的光接收表面上。此外，在该半导体封装件中，玻璃放置在半导体芯片上而在...
    2025-12-24
  • 具有玻璃料密封件的光伏模块和其制造方法
    具有玻璃料密封件的光伏模块和其制造方法_康宁股份有限公司_202480031177.X
    一种光伏模块(和其制造步骤)，其包含：外部玻璃层；内部玻璃层；一个或多个光伏(PV)结构，其安置在所述外部玻璃层、所述内部玻璃层上或所述层之间；聚合物密封件，其安置在所述内部玻璃层与所述外部玻璃层之间且与所述内部玻璃层和所述外部玻璃层接触；...
    2025-12-24
  • 使用三维交叉场效应自对准晶体管的标准单元之间的零扩散中断
    使用三维交叉场效应自对准晶体管的标准单元之间的零扩散中断_超威半导体公司_202480033348.2
    一种用于高效地创建标准单元的布局以改进芯片的平面规划的装置和方法。在各种具体实施中，集成电路使用在单元边界处没有扩散中断的多个标准单元。标准单元使用垂直堆叠的非平面晶体管。多个晶体管形成有有源区，该有源区具有在单个晶体管的源极区与漏极区之间...
    2025-12-24
  • 阵列基板及显示装置
    阵列基板及显示装置_京东方科技集团股份有限公司_202480002720.3
    一种阵列基板，包括：多行子像素；以及多个栅线。至少四个栅线被配置为向多行子像素中的一行提供信号。多个栅线中的至少一个栅线位于一行子像素的发光区域和第一相邻行子像素的发光区域之间。多个栅线中的至少另一个栅线位于一行子像素的发光区域和第二相邻行...
    2025-12-24
  • 显示设备及其制造方法
    显示设备及其制造方法_三星显示有限公司_202480033878.7
    该显示设备包括：衬底；第一晶体管，包括设置在衬底上的第一底栅电极、设置在第一底栅电极上并且包括第一沟道区域、第一漏极区域和第一源极区域的第一有源层以及设置在第一有源层的其中包括第一沟道区域的部分上的第一顶栅电极；第一绝缘层，设置在第一底栅电...
    2025-12-24
  • 显示设备及其制造方法
    显示设备及其制造方法_三星显示有限公司_202480033844.8
    该显示设备包括：衬底；第一晶体管，设置在衬底上，并且包括第一有源层和第一栅电极，第一有源层包括第一部分以及第二部分和第三部分，第一部分包括第一沟道区域，第二部分和第三部分彼此间隔开且第一部分插置在第二部分和第三部分之间，第一栅电极设置在第一...
    2025-12-24
  • 包括台面区的沟槽结型场效应晶体管
    包括台面区的沟槽结型场效应晶体管_英飞凌科技奥地利有限公司_202480034327.2
    提出了一种沟槽结型场效应晶体管，沟槽JFET(100)。沟槽JFET(100)包括：台面区(103)，其由在半导体主体(102)的第一横向方向(x1)上彼此间隔开的第一沟槽和第二沟槽(1061, 1062)限定，第一沟槽和第二沟槽(1061...
    2025-12-24
  • 具有包括超晶格的齐平源极/漏极掺杂剂阻挡结构的纳米结构晶体管和相关方法
    具有包括超晶格的齐平源极/漏极掺杂剂阻挡结构的纳米结构晶体管和相关方法_阿托梅拉公司_202480021055.2
    一种半导体装置可以包括衬底和衬底上的间隔开的栅极堆叠，所述栅极堆叠在其间限定相应的沟槽。每个栅极堆叠可以包括第一半导体材料和第二半导体材料的交替层，其中第二半导体材料的层限定纳米结构。该半导体装置还可以包括沟槽内的相应的源极/漏极区、与第一...
    2025-12-24
  • 高电子迁移率晶体管及其驱动装置
    高电子迁移率晶体管及其驱动装置_露西德微系统有限公司_202480031838.9
    一实施例，提供一种HEMT(high electron mobility transistor)，包括：第一漏极端子；栅极端子；第二漏极端子；沟道层，在所述第一漏极端子与所述栅极端子之间形成第一漂移区，在所述栅极端子对应的位置形成沟道区，并...
    2025-12-24
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