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最新专利技术
  • 使用三维交叉场效应自对准晶体管的标准单元之间的零扩散中断
    使用三维交叉场效应自对准晶体管的标准单元之间的零扩散中断_超威半导体公司_202480033348.2
    一种用于高效地创建标准单元的布局以改进芯片的平面规划的装置和方法。在各种具体实施中，集成电路使用在单元边界处没有扩散中断的多个标准单元。标准单元使用垂直堆叠的非平面晶体管。多个晶体管形成有有源区，该有源区具有在单个晶体管的源极区与漏极区之间...
    2025-12-24
  • 阵列基板及显示装置
    阵列基板及显示装置_京东方科技集团股份有限公司_202480002720.3
    一种阵列基板，包括：多行子像素；以及多个栅线。至少四个栅线被配置为向多行子像素中的一行提供信号。多个栅线中的至少一个栅线位于一行子像素的发光区域和第一相邻行子像素的发光区域之间。多个栅线中的至少另一个栅线位于一行子像素的发光区域和第二相邻行...
    2025-12-24
  • 显示设备及其制造方法
    显示设备及其制造方法_三星显示有限公司_202480033878.7
    该显示设备包括：衬底；第一晶体管，包括设置在衬底上的第一底栅电极、设置在第一底栅电极上并且包括第一沟道区域、第一漏极区域和第一源极区域的第一有源层以及设置在第一有源层的其中包括第一沟道区域的部分上的第一顶栅电极；第一绝缘层，设置在第一底栅电...
    2025-12-24
  • 显示设备及其制造方法
    显示设备及其制造方法_三星显示有限公司_202480033844.8
    该显示设备包括：衬底；第一晶体管，设置在衬底上，并且包括第一有源层和第一栅电极，第一有源层包括第一部分以及第二部分和第三部分，第一部分包括第一沟道区域，第二部分和第三部分彼此间隔开且第一部分插置在第二部分和第三部分之间，第一栅电极设置在第一...
    2025-12-24
  • 包括台面区的沟槽结型场效应晶体管
    包括台面区的沟槽结型场效应晶体管_英飞凌科技奥地利有限公司_202480034327.2
    提出了一种沟槽结型场效应晶体管，沟槽JFET(100)。沟槽JFET(100)包括：台面区(103)，其由在半导体主体(102)的第一横向方向(x1)上彼此间隔开的第一沟槽和第二沟槽(1061, 1062)限定，第一沟槽和第二沟槽(1061...
    2025-12-24
  • 具有包括超晶格的齐平源极/漏极掺杂剂阻挡结构的纳米结构晶体管和相关方法
    具有包括超晶格的齐平源极/漏极掺杂剂阻挡结构的纳米结构晶体管和相关方法_阿托梅拉公司_202480021055.2
    一种半导体装置可以包括衬底和衬底上的间隔开的栅极堆叠，所述栅极堆叠在其间限定相应的沟槽。每个栅极堆叠可以包括第一半导体材料和第二半导体材料的交替层，其中第二半导体材料的层限定纳米结构。该半导体装置还可以包括沟槽内的相应的源极/漏极区、与第一...
    2025-12-24
  • 高电子迁移率晶体管及其驱动装置
    高电子迁移率晶体管及其驱动装置_露西德微系统有限公司_202480031838.9
    一实施例，提供一种HEMT(high electron mobility transistor)，包括：第一漏极端子；栅极端子；第二漏极端子；沟道层，在所述第一漏极端子与所述栅极端子之间形成第一漂移区，在所述栅极端子对应的位置形成沟道区，并...
    2025-12-24
  • 半导体装置、系统及其形成方法
    半导体装置、系统及其形成方法_长江存储科技有限责任公司_202480000989.8
    提供了用于管理半导体装置中的电容器覆盖层的系统、装置和方法。在一个方面，一种半导体装置包括晶体管，该晶体管具有沿第一方向延伸的半导体主体和与半导体主体相邻的栅极结构。电容器耦合到晶体管。电容器沿第一方向延伸并包括第一电极、第二电极以及电介质...
    2025-12-24
  • 元件安装机及元件供给带的凹槽的状态的判定方法
    元件安装机及元件供给带的凹槽的状态的判定方法_雅马哈发动机株式会社_202380098552.8
    在带式供料器(5)执行间距进给之后，执行安装头(31)试行从供给位置(Ls)吸附元件(E)的元件吸附的供给吸附动作(步骤(S101))。然后，如果在连续执行的两次以上的触发次数的供给吸附动作中安装头(31)吸附元件失败(在步骤(S108)中...
    2025-12-24
  • 电子器件调温设备和电化学系统
    电子器件调温设备和电化学系统_罗伯特·博世有限公司_202480034306.0
    本发明涉及一种用于电化学系统的电子器件调温设备，该电子器件调温设备具有：用于接纳电化学系统的电子器件单元(16a；16b；16c；16d；16e)的至少一个电子器件接纳单元(14a；14b；14c；14d；14e)；和用于冷却电子器件接纳单...
    2025-12-24
  • 电子设备及冷却电子设备的方法
    电子设备及冷却电子设备的方法_通快霍廷格有限责任公司_202480033685.1
    一种电子设备(10)、特别是用于在等离子体处理中对基板进行偏置的高功率(HP)、高电压(HV)脉冲电力供应装置，所述电子设备(10)包括：‑ 多个电气部件(15)，所述多个电气部件能够在设备(10)处于使用中时产生热；‑ 容器(12)，在该...
    2025-12-24
  • 中框及电子设备
    中框及电子设备_荣耀终端股份有限公司_202480029358.9
    本申请实施例提供一种中框及电子设备，中框包括中框本体和阻隔件，中框本体由金属材料制成，中框本体具有与外部相连通的安装口。安装口被构造为安装电子设备的金属功能件，且安装口的内壁面向金属功能件。阻隔件设置于安装口的至少部分内壁上，用于隔离开中框...
    2025-12-24
  • 带有用于将功率从功率管理集成电路(IC)(PMIC)路由到次级电路板的电感器的电路板设备以及有关组装方法
    带有用于将功率从功率管理集成电路(IC)(PMIC)路由到次级电路板的电感器的电路板设备以及有关组装方法_高通股份有限公司_202480031581.7
    一种电路板设备，其采用堆栈式电路板且带有(多个)电感器以用于将功率从功率管理集成电路(IC)(PMIC)路由到次级电路板，以及相关的制造方法。(多个)电感器在第一垂直方向上被耦合在第一电路板与第二电路板之间，作为第一电路板上的PMIC与第二...
    2025-12-24
  • 光源腔室中的清洁结构表面
    光源腔室中的清洁结构表面_ASML荷兰有限公司_202480033767.6
    一种设备包括：极紫外(EUV)光源的腔室的部件，部件包括至少一个暴露表面；以及清洁设备，被配置为从部件的暴露表面移除目标碎屑，而不将部件与腔室分离。清洁设备包括：一个或多个表面波等离子体(SWP)生成器，其中每个SWP生成器被设置在形成在部...
    2025-12-24
  • 用于管理辐射源中副产物堆积的系统和方法
    用于管理辐射源中副产物堆积的系统和方法_ASML荷兰有限公司_202480033744.5
    提供了一种减少堆积在辐射源的洗涤器内的表面上的副产物的系统和方法。该系统和方法通过使该表面的温度在靶材的熔化温度上下循环，或者控制该表面的温度分布，使得在一个时间处仅该表面的部分被加热到高于靶材的熔化温度的温度。
    2025-12-24
  • 一种基于语言大模型的照明效果控制方法
    一种基于语言大模型的照明效果控制方法_深圳市纽尔科技有限公司_202580002010.5
    在部分实施方式中，该方法可以包括一个或多个处理器接收与用户输入相关联的对话内容。此外，该方法可以包括一个或多个处理器基于语言大模型库来处理对话内容，以识别与照明设备相关的照明效果信息。该方法可以包括一个或多个处理器将照明效果信息转换为至少一...
    2025-12-24
  • 确定光设置到灯串的光源的非线性映射
    确定光设置到灯串的光源的非线性映射_昕诺飞控股有限公司_202480031144.5
    控制器(41)被配置成向灯串(1)发射呈现光效果的命令。该命令指定一种或多种颜色和/或光强度。控制器或灯串被配置成接收指定第一空间分布的第一输入信号。该第一空间分布指示灯串的光源(11‑19)相对于对象的第一位置。灯串被配置成：接收命令；响...
    2025-12-24
  • 检测泄漏电流
    检测泄漏电流_昕诺飞控股有限公司_202480033999.1
    一种用于检测LED照明装置中的故障的机构。监测设备被配置为通过用于LED照明设备的LED驱动器的接地电路来监测感测到的泄漏信号。监测设备被配置为响应于感测到的泄漏信号来确定或预测LED照明装置中的故障的存在或不存在。接地电路包括Y电容器(C...
    2025-12-24
  • 坯料旋转保持装置及坯料保持单元
    坯料旋转保持装置及坯料保持单元_泰拉尔株式会社_202580002536.3
    本发明提供一种坯料旋转保持装置(S)，配置为包括电动机(M)、加压机(P)和坯料保持单元(U)，坯料保持单元包括电动机侧保持件和加压机侧保持件，坯料保持单元配置为利用从加压机轴输出的朝向轴线方向第一侧的加压力，通过电动机侧保持件及加压机侧保...
    2025-12-24
  • 发热单元及其制造方法
    发热单元及其制造方法_乐天化学株式会社_202480034259.X
    本发明的发热单元的特征在于，包括：基板，由包含聚芳醚酮树脂约100重量份及激光直接成型用添加剂约1重量份至约20重量份的热塑性树脂组合物形成；以及镀层，通过激光直接成型工艺及镀覆工艺形成在所述基板的表面的至少一部分区域，其中，所述镀层是铜镀...
    2025-12-24
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