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最新专利技术
  • 基于动态循环吸附的电子级硫酸深度脱杂生产工艺
    基于动态循环吸附的电子级硫酸深度脱杂生产工艺_昆山市年沙助剂有限公司_202511146665.8
    本发明涉及电子化学品生产技术领域，公开了基于动态循环吸附的电子级硫酸深度脱杂生产工艺，包括以下步骤：吸附剂准备，提供负载双硫腙‑膦酸双功能基团的介孔硅胶作为吸附剂，所述介孔硅胶的孔径为10‑50nm，比表面积大于500m²/g；系统构建，建...
    2026-02-11
  • 一种生物硫磺制备纳米硫磺的生产工艺
    一种生物硫磺制备纳米硫磺的生产工艺_山东富硫生物技术有限公司_202511246789.3
    本发明属于硫磺的技术领域，具体涉及一种生物硫磺制备纳米硫磺的生产工艺。本发明公开生物硫磺制备纳米硫磺的生产工艺，首先通过旋流器有效实现生物脱硫工艺中生物硫磺乳浊液中不同粒径硫磺的高效分离，得到粒径较大的微米级生物硫磺乳浊液，再通过超声破碎、...
    2026-02-11
  • 一种安全环保复合型双氧水的生成方法
    一种安全环保复合型双氧水的生成方法_山东华鲁恒升化工股份有限公司_202511294617.3
    本发明公开了一种安全环保复合型双氧水的生成方法，所述生成方法包括：包括S1、原料准备与配制；S2、氢化反应；S3、氧化反应；S4、产品分离与纯化；S5、尾气处理与排放；S6、废水处理。本发明有益效果是：有效降低了氧化尾气中芳烃的排放浓度，达...
    2026-02-11
  • 一种去除双氧水中金属离子的超纯化方法
    一种去除双氧水中金属离子的超纯化方法_洛阳理工学院_202511349016.8
    一种去除双氧水中金属离子的超纯化方法，涉及高纯电子化学品领域，本发明利用五级逆流反渗透级联系统对工业级双氧水进行过滤分离，可降低工业级双氧水中的金属离子浓度，满足SEMI G5级(金属离子浓度＜10ppt)标准，相比传统蒸馏、离子交换等方法...
    2026-02-11
  • 一种从各种富碘蒸发母液及其它富碘废液中多级氧化回收碘的工艺方法
    一种从各种富碘蒸发母液及其它富碘废液中多级氧化回收碘的工艺方法_河北绿鸿科技有限公司_202511271356.3
    本发明公开了一种从各种富碘蒸发母液及其它富碘废液中多级氧化回收碘的工艺方法，涉及工业废液资源化利用技术领域，该方法包括原料预处理、梯度冷却结晶、固液分离、一级氧化沉淀、二级氧化沉淀及碘产品处理步骤，通过梯度冷却结晶，利用预冷器和冷却器将母液...
    2026-02-11
  • 基于多级定制树脂柱的电子级盐酸连续纯化生产工艺
    基于多级定制树脂柱的电子级盐酸连续纯化生产工艺_昆山市年沙助剂有限公司_202511283543.3
    本发明涉及电子级盐酸领域，公开了基于多级定制树脂柱的电子级盐酸连续纯化生产工艺，该工艺包括以下步骤：对原料盐酸进行过滤以去除固体杂质；将过滤后的盐酸流经填充有硫代氨基螯合树脂的第一吸附柱；对第一吸附柱流出液进行氧化处理，以重构化学环境；将氧...
    2026-02-11
  • 一种低温下催化甲醇水蒸气重整制氢的方法
    一种低温下催化甲醇水蒸气重整制氢的方法_广东三藤科技有限公司_202511321273.0
    本发明涉及制氢技术领域，具体涉及一种低温下催化甲醇水蒸气重整制氢的方法。该方法包括原料配制、汽化与预热、重整反应、产物后处理等步骤，其中所使用的Pt‑Co/N‑C催化剂以氧化石墨烯、苯胺、硝酸铁等为原料，经聚合、热解、盐酸处理、金属负载还原...
    2026-02-11
  • 一种基于生物炭催化作用的沼气固碳制氢模拟装置及试验方法
    一种基于生物炭催化作用的沼气固碳制氢模拟装置及试验方法_东北电力大学_202511484455.X
    本发明公开了一种基于生物炭催化作用的沼气固碳制氢模拟装置及试验方法，包括依次连接的气体制备与输送系统、反应与温控系统和产物处理与分析系统；所述气体制备与输送系统包括通过导管依次连接CH4气瓶和第一流量调节器与混合气罐连接，通过导管依次连接C...
    2026-02-11
  • 一种利用燃气电厂余热直接制氢的方法及系统
    一种利用燃气电厂余热直接制氢的方法及系统_中海石油气电集团有限责任公司_202410793594.X
    本发明公开了一种利用燃气电厂余热直接制氢的方法及系统。所述方法包括如下步骤：S1、溴化钙和/或氯化镁与水经高温水解反应，得到氧化钙、氧化镁以及氯化氢和溴化氢；S2、氧化钙、氧化镁与氯气和溴气的混合气体经氯化反应，得到溴化钙和氯化镁，作为S1...
    2026-02-11
  • 一种复合储氢材料及其制备方法
    一种复合储氢材料及其制备方法_国网湖北省电力有限公司襄阳供电公司_202511702295.1
    本发明属于储氢材料技术领域，具体涉及一种复合储氢材料及其制备方法。本发明提供的复合储氢材料，采用聚乙烯醇/聚丙烯腈改性的TiO2材料作为催化剂与MgH2球磨共混，不仅能降低放氢的温度、提高放氢效率，还具有优异的储/放氢容量及良好的储/放氢稳...
    2026-02-11
  • 一种Mg基储氢材料及其制备方法与应用
    一种Mg基储氢材料及其制备方法与应用_一汽解放汽车有限公司_202511306488.5
    本发明提供了一种Mg基储氢材料及其制备方法与应用，所述Mg基储氢材料中包括MgH2与MOF材料碳化衍生物；所述MOF材料碳化衍生物包括碳化后的Ni‑Ce双金属MOF材料。本发明以包含碳化后的Ni‑Ce双金属MOF材料的MOF材料碳化衍生物，...
    2026-02-11
  • 一种分级冷却连续正仲氢转化方法及装置
    一种分级冷却连续正仲氢转化方法及装置_中国科学院大连化学物理研究所_202511287135.5
    本发明涉及正仲氢转化技术领域，具体涉及一种分级冷却连续正仲氢转化方法及装置。该方法包括以下步骤：步骤S1：对装有磁性催化剂的正仲氢转化管路进行加热并抽真空，使磁性催化剂在真空条件下加热活化；步骤S2：对正仲氢转化管路内磁性催化剂进行降温处理...
    2026-02-11
  • 一种利用高介电常数薄膜提高MEMS碳化硅电容式压力传感器灵敏度的方法
    一种利用高介电常数薄膜提高MEMS碳化硅电容式压力传感器灵敏度的方法_厦门大学_202511376140.3
    一种利用高介电常数薄膜提高MEMS碳化硅电容式压力传感器灵敏度的方法，涉及半导体领域，步骤包括上/下基片预加工(导电晶圆制绝缘层、金属掩模，沉积高介电薄膜后剥离成接触层，下基片另经ICP刻凹槽)、键合及后续(对准键合成空腔，减薄上基片成敏感...
    2026-02-11
  • 一种压力驱动型MEMS碳化硅高温微型化数字开关制备方法
    一种压力驱动型MEMS碳化硅高温微型化数字开关制备方法_厦门大学_202511376122.5
    一种压力驱动型MEMS碳化硅高温微型化数字开关制备方法，属于MEMS领域，包括上、下基片加工及键合，制备的开关包括衬底和敏感膜，空腔及腔内顶、底电极、焊盘，在外部气压作用下，敏感膜产生形变挠度，以此产生数字开关信号。对于所要实现的不同目标压...
    2026-02-11
  • 一种晶圆级异构并行装配工艺方法及系统
    一种晶圆级异构并行装配工艺方法及系统_西北工业大学_202511075524.1
    本发明属于零件装配技术领域，公开了一种晶圆级异构并行装配工艺方法及系统，从晶圆级并行装配技术入手，基于显微视觉实现零件的检测与定位，通过单轴机器人实现零件的自动拾取及装配、基于自动点胶技术实现胶粘剂的微量涂敷，实现惯性传感器中不同材质、结构...
    2026-02-11
  • 一种硅纳米线的制作方法
    一种硅纳米线的制作方法_山东大学深圳研究院_202511686362.5
    本发明涉及一种硅纳米线的制作方法，属于MEMS技术领域。步骤包括：S1、提供一SOI衬底；S2、在SOI衬底上形成掩膜层；S3、图形化掩膜层，形成腐蚀窗口；S4、通过腐蚀窗口对SOI衬底进行各向同性刻蚀，形成空腔和硅纳米柱；S5、对硅纳米柱...
    2026-02-11
  • 一种双波段非制冷红外探测器制作方法
    一种双波段非制冷红外探测器制作方法_深圳海清智元科技股份有限公司_202511304702.3
    本发明公开一种双波段非制冷红外探测器制作方法，涉及红外探测领域。该方法包括制作MEMS工艺与CMOS电路连接电极，实现两者的集成化，制作牺牲层通孔，在完成通孔制作的牺牲层上沉积支撑层，在刻蚀后的支撑层上沉积热敏层，并对热敏层进行光刻、刻蚀，...
    2026-02-11
  • 一种开放MEMS芯片的加工方法
    一种开放MEMS芯片的加工方法_西北工业大学_202511075521.8
    本发明属于MEMS芯片加工技术领域，公开了一种开放MEMS芯片的加工方法，其包括以下步骤：在结构层或衬底层上形成浅槽，将两者键合，再将结构层减薄至设计厚度，获得晶圆；在晶圆结构层表面进行贴膜；进行预切划片，将衬底层划出一定深度的盲槽；进行膜...
    2026-02-11
  • 用于制造MEMS构件的方法和MEMS构件
    用于制造MEMS构件的方法和MEMS构件_罗伯特·博世有限公司_202510824176.7
    本发明涉及一种用于制造MEMS构件的方法，包括下列步骤：在基底中从基底的正面产生由多个分别具有底部和侧壁的沟槽构成的沟槽结构，直接在基底的正面上如此构造由多晶硅构成的牺牲层，使得沟槽的各自的底部和各自的侧壁以及正面的在沟槽之间的和在沟槽结构...
    2026-02-11
  • 一种具有垂直方向缓冲止挡结构的MEMS芯片及其制造方法
    一种具有垂直方向缓冲止挡结构的MEMS芯片及其制造方法_安徽芯动联科微系统股份有限公司_202511399183.3
    本发明公开一种具有垂直方向缓冲止挡结构的MEMS芯片及其制造方法，属于芯片设计和制造的技术领域，所述的MEMS芯片包括MEMS结构层和熔融键合在MEMS结构层上下两面的两个止挡层，两个止挡层均设有由埋氧锚点、止挡锚点、止挡弹簧和止挡块组成的...
    2026-02-11
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