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最新专利技术
  • 一种高硬度锯齿溅射镀膜方法
    一种高硬度锯齿溅射镀膜方法_奥歌新材料(大连)有限公司_202511662687.X
    本发明涉及表面处理技术领域，公开了一种高硬度锯齿溅射镀膜方法，包括：多元缓蚀剂复合转化膜处理、含硼氮化物双层溅射镀膜、溶胶‑凝胶致密封闭层处理、化学气相渗透强化处理和低温等离子聚合封孔处理。该方法通过在锯齿基体表面依次形成Cr‑Mo‑W‑稀...
    2026-03-06
  • 一种磁控溅射装置
    一种磁控溅射装置_无锡尚积半导体科技股份有限公司_202511630849.1
    本发明涉及溅射镀膜工艺技术领域，具体涉及一种磁控溅射装置，包括安装壳，该安装壳具有用于布置磁控溅射靶材的背板，安装壳中设有绕中心轴回转的底座，底座上设有磁体，磁体的磁场在磁体随底座回转过程中作用于所述磁控溅射靶材，磁体沿着与所述背板平行方向...
    2026-03-06
  • 一种GCr15轴承钢表面类石墨增强涂层及其制备方法
    一种GCr15轴承钢表面类石墨增强涂层及其制备方法_苏州翔楼新材料股份有限公司_202511321370.X
    本发明涉及耐磨涂层技术领域，尤其涉及一种GCr15轴承钢表面类石墨增强涂层及其制备方法。本发明的增强涂层，包括结合层和耐磨润滑层，通过磁控溅射依次沉积Ti结合层、Ti靶和复合靶共同溅射的耐磨润滑层而得到，所述复合靶材是通过二硫化钼‑石墨烯核...
    2026-03-06
  • 一种采用连续性磁控溅射进行真空镀膜的方法及其应用
    一种采用连续性磁控溅射进行真空镀膜的方法及其应用_江苏赛浦汽车零部件有限公司_202511292318.6
    本发明提供了一种采用连续性磁控溅射进行真空镀膜的方法及其应用，采用连续性磁控溅射进行真空镀膜的方法包括基材除尘、清洗活化、镀附着力增强层，沉积铜膜层，反面镀膜等步骤；本发明还公开了在汽车承载和连接功率电子元件上进行镀膜的应用；通过控制镀膜功...
    2026-03-06
  • 一种提高高温接触角的高疏液态铅铋合金氮化物涂层及其制备方法
    一种提高高温接触角的高疏液态铅铋合金氮化物涂层及其制备方法_西北有色金属研究院_202511287713.5
    本发明公开了一种提高高温接触角的高疏液态铅铋合金氮化物涂层的制备方法，通过对基体预处理后，采用磁控溅射在基体表面沉积FeCrAl涂层，然后对FeCrAl涂层进行氮化，得到氮化物涂层；本发明还公开了一种提高高温接触角的高疏液态铅铋合金氮化物涂...
    2026-03-06
  • 一种石榴石电解质表面原位去碳酸锂形成界面层的方法
    一种石榴石电解质表面原位去碳酸锂形成界面层的方法_西安交通大学_202511259961.9
    本发明属于固态电解质材料表面改性技术领域，涉及一种石榴石电解质表面原位去碳酸锂形成界面层的方法，包括：1、基体预处理：选取表面有Li2CO3杂质层的石榴石型固态电解质基体清洗、干燥；2、磁控溅射沉积金属氧化物薄膜：将预处理后的基体材料通过金...
    2026-03-06
  • 供气系统及磁控溅射镀膜设备
    供气系统及磁控溅射镀膜设备_东莞南玻智能装备制造有限公司_202511167253.2
    本发明公开了一种供气系统及磁控溅射镀膜设备，供气系统包括：排气件，具有出气腔，所述出气腔的腔壁包括第一壁和第二壁，所述第一壁和所述第二壁相对设置，所述第一壁设置有多个出气孔，多个所述出气孔和所述出气腔连通；进气件，包括进气端，所述进气件设置...
    2026-03-06
  • 半导体工艺腔室、等离子体起辉方法和半导体工艺设备
    半导体工艺腔室、等离子体起辉方法和半导体工艺设备_北京集成电路装备创新中心有限公司_202511121173.3
    本发明涉及半导体加工技术领域，具体涉及一种半导体工艺腔室、等离子体起辉方法和半导体工艺设备。所提供的半导体工艺腔室，包括：腔体、辅助起辉组件和溅射组件，腔体内具有工艺腔，腔体的侧壁设有安装孔；辅助起辉组件包括管路、阀门和电子发生器，管路设于...
    2026-03-06
  • 一种h-BN掺杂LiPON固态电解质薄膜的制备方法
    一种h-BN掺杂LiPON固态电解质薄膜的制备方法_电子科技大学_202511099054.2
    本发明提供一种h‑BN掺杂LiPON固态电解质薄膜制备方法，该方法采用分段磁控溅射，以Li3PO4与h‑BN作为溅射靶材，通过调控沉积的工艺参数，提高固态电解质薄膜致密度，提升其离子电导率；同时解决薄膜电解质与基底在溅射过程中因热膨胀系数导...
    2026-03-06
  • 一种高硬度DLC复合镀层钢化膜及其制备方法和在电子屏幕保护中的应用
    一种高硬度DLC复合镀层钢化膜及其制备方法和在电子屏幕保护中的应用_深圳市蓝橙创新科技有限公司_202511070748.3
    本发明涉及钢化膜技术领域，具体涉及一种高硬度DLC复合镀层钢化膜及其制备方法和在电子屏幕保护中的应用，高硬度DLC复合镀层钢化膜自基体表面向外依次包括：Cr/W纳米梯度过渡层、Si‑DLC缓冲层、W‑DLC/B4C纳米叠层和FLC类富勒烯碳...
    2026-03-06
  • 磁控管装置和磁控溅射设备
    磁控管装置和磁控溅射设备_北京北方华创微电子装备有限公司_202410758947.2
    本发明公开一种磁控管装置和磁控溅射设备，所公开的磁控管装置用于与磁控溅射设备的靶材组件配合，所述磁控管装置包括第一驱动机构、翻转支架、第一磁控管和第二磁控管，其中：所述第一磁控管和所述第二磁控管沿所述靶材组件的径向间隔地设于所述翻转支架；所...
    2026-03-06
  • 能在管状工件内壁表面进行难熔金属镀膜的设备
    能在管状工件内壁表面进行难熔金属镀膜的设备_上海福宜真空设备有限公司_202511436017.6
    本发明涉及一种能在管状工件内壁表面进行难熔金属镀膜的设备，采用了旋转阴极升降装置和管状工件旋转装置驱动若干个旋转阴极和若干个管状工件旋转装置的同时，将旋转阴极的下部一一对应地伸入到管状工件中进行镀膜；采用了三多层可伸缩真空腔体结构，通过伺服...
    2026-03-06
  • 一种基于不同厚度纳米材料涂层提升盾构机刀具性能的方法
    一种基于不同厚度纳米材料涂层提升盾构机刀具性能的方法_武汉大学_202511168030.8
    本发明提供了一种基于不同厚度纳米材料涂层提升盾构机刀具性能的方法，属于隧道工程施工装备技术领域。本发明先对盾构机刀具基体进行表面清洁和喷砂粗化处理，然后在处理后的刀具基体表面依次制备底层为厚度2‑3μm的纳米钴‑镍合金涂层，中间层为厚度5‑...
    2026-03-06
  • 一种具有晶片防护机构的半导体镀膜设备
    一种具有晶片防护机构的半导体镀膜设备_南京国微纳半导体设备有限公司_202511273595.2
    本发明涉及晶片镀膜领域，且公开了一种具有晶片防护机构的半导体镀膜设备，包括柜体和设置在柜体内的放置机构，所述放置机构包括设置在柜体内部的放置组件，所述放置组件上方设置有防护盖板组件，所述防护盖板组件上方设置有连接组件，本发明通过氩气气幕系统...
    2026-03-06
  • 一种蒸镀机自动化工艺控制方法及系统
    一种蒸镀机自动化工艺控制方法及系统_上海源拓真空技术有限公司_202511039121.1
    本发明公开了一种蒸镀机自动化工艺控制方法及系统，适用于多种材料和多工艺条件下的薄膜沉积过程。该系统包括工艺初始化模块、镀膜控制执行模块和后处理与数据反馈模块。工艺初始化模块用于完成蒸镀任务前的参数配置、环境准备与启动条件确认，确保系统具备进...
    2026-03-06
  • 蒸镀设备及其控制方法
    蒸镀设备及其控制方法_上海升翕光电科技有限公司_202511668780.1
    本申请提供了一种蒸镀设备及其控制方法，该蒸镀设备包括冷水机、吹扫气源、切换阀和至少一个待冷却单元，冷水机具有出水口，切换阀具有第一开口、第二开口和第三开口，第一开口与出水口连通，第二开口与至少一个待冷却单元连通，第三开口与吹扫气源连通，切换...
    2026-03-06
  • 一种坩埚回转机构的冷却结构
    一种坩埚回转机构的冷却结构_苏州佑伦真空设备科技有限公司_202511630336.0
    本发明公开了一种坩埚回转机构的冷却结构，涉及真空蒸镀机技术领域，包括安装架，所述安装架上转动连接有旋转轴，且旋转轴的上端设置有坩埚本体，且坩埚本体的边侧连通设置有进水管与排水管，且进水管位于排水管的下侧，所述旋转轴的内部与坩埚本体之间设置有...
    2026-03-06
  • 一种蒸镀设备
    一种蒸镀设备_浙江晟霖益嘉科技有限公司_202511336211.7
    本发明属于薄膜制备技术领域，公开了一种蒸镀设备。该蒸镀设备包括本体、盖体、驱动件、限位件和检测件。本体设有腔室；盖体具有打开腔室的第一状态和关闭腔室的第二状态，盖体设有安装位；驱动件与盖体传动连接，用于带动盖体在第一状态和第二状态之间切换；...
    2026-03-06
  • 沉积源和电子装置
    沉积源和电子装置_三星显示有限公司_202510664051.2
    公开沉积源和电子装置。该沉积源可包括：外壳；喷嘴部件，设置在外壳上，并且包括第一喷嘴和与第一喷嘴相邻的第二喷嘴；第一储存器，设置在外壳中并且被配置以容纳第一沉积材料；第二储存器，设置在外壳中并且被配置以容纳第二沉积材料；以及盖，设置在外壳与...
    2026-03-06
  • 一种Ga2O3/GaN异质结及其制备方法和应用
    一种Ga2O3/GaN异质结及其制备方法和应用_陕西科技大学_202511275571.0
    本发明公开了一种Ga2O3/GaN异质结及其制备方法和应用，属于半导体材料制备技术领域。一种Ga2O3/GaN异质结的制备方法包括以下步骤：将Sn金属蒸镀在部分GaN薄膜上，得到镀Sn的GaN；在空气气氛下，将镀Sn的GaN与Ga单质在85...
    2026-03-06
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