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最新专利技术
  • 一种短中波硅基红外探测器的背面增透薄膜制备方法
    一种短中波硅基红外探测器的背面增透薄膜制备方法_中国电子科技集团公司第十一研究所_202511005509.X
    本申请公开了一种短中波硅基红外探测器的背面增透薄膜制备方法。所述方法包括：将固定有红外探测器的夹具装入镀膜设备的腔室中；对腔室进行抽真空；在腔室满足预设条件的情况下，以一氧化硅为薄膜材料在红外探测器的预设区域制备背面增透薄膜；其中，腔室包括...
    2025-12-01
  • 具有分离光电检测像素和正方形光电检测像素两者的混合图像传感器
    具有分离光电检测像素和正方形光电检测像素两者的混合图像传感器_苹果公司_202510630866.9
    公开了用于混合像素阵列的各种结构。该混合像素阵列包括正方形光电二极管(PD)像素结构和分离PD像素结构的组合。正方形PD像素结构每像素单元包括一个光电二极管，而分离PD像素结构每像素单元包括两个光电二极管。在某些实例中，在该混合像素阵列中，...
    2025-12-01
  • 光检测传感器
    光检测传感器_三星电子株式会社_202510530736.8
    提供了一种光检测传感器，所述光检测传感器包括：基底，包括第一表面和与第一表面相对的第二表面，其中，第二表面是光入射表面；深沟槽隔离件，在基底中的深沟槽内并且限定像素区域；至少一个凹陷，从第二表面到像素区域中；透明电极，在第二表面和所述至少一...
    2025-12-01
  • 一种光电晶体管及其制备方法
    一种光电晶体管及其制备方法_北京大学深圳研究生院_202410621328.9
    本申请涉及一种光电晶体管，包括衬底；位于所述衬底上方的控制极；位于所述衬底和所述控制极上方的介质层；位于所述介质层上方的有源层；位于所述有源层上方与有源层接触的第一电极，以及位于所述有源层上方、至少部分与所述有源层接触的第二电极；其中所述第...
    2025-12-01
  • 一种nBn型红外探测器材料及其制备方法
    一种nBn型红外探测器材料及其制备方法_武汉高芯科技有限公司_202511050167.3
    本发明提供了一种nBn型红外探测器材料，包括衬底，以及在所述衬底上由下至上依次生长的缓冲层、下接触层、电子势垒层、吸收层、上接触层和盖层；所述电子势垒层与所述吸收层之间设置空间电荷区调制层，所述空间电荷区调制层为N型重掺杂的半导体材料。该n...
    2025-12-01
  • 一种长波超晶格红外探测器
    一种长波超晶格红外探测器_武汉高芯科技有限公司_202511026362.2
    本发明提供了一种长波超晶格红外探测器，包括衬底以及由衬底向上依次生长的缓冲层、下接触层、电子势垒层、吸收层、上接触层和盖层，所述下接触层和电子势垒层之间生长非故意掺杂的超晶格的隔离层，以使得所述电子势垒层与所述吸收层的价带偏差近零。该发明通...
    2025-12-01
  • 一种宽光谱InGaAs探测器结构
    一种宽光谱InGaAs探测器结构_中国科学院上海技术物理研究所_202511182479.X
    本发明涉及一种宽光谱InGaAs探测器，为台面型、正照射结构，包括InP衬底、N+型InP缓冲层、i型InGaAs吸收层、P+型InP帽层、NiOx透明导电帽层、金属电极以及台面位置的SiNx介质钝化层。NiOx透明导电帽层位于InP帽层的...
    2025-12-01
  • 硅紫外光光电二极管及其制造方法
    硅紫外光光电二极管及其制造方法_原相科技股份有限公司_202411326260.8
    本发明提供了一种硅紫外光光电二极管及其制造方法。该硅紫外光光电二极管包括：一N型区，形成于硅基板的上表面下方并与其接触；一P+区，形成于N型区下方并与其接触；一深N型阱区，形成于该P+区下方并与其接触；以及一N型导电通道，连接至深N型阱区，...
    2025-12-01
  • 一种高偏振度及快响应速度的光电探测器及其制备方法
    一种高偏振度及快响应速度的光电探测器及其制备方法_湖南大学_202511512099.8
    本发明公开了一种高偏振度及快响应速度的光电探测器及其制备方法。该光电探测器由下至上依次为基底材料、光伏层和电极层；所述光伏层由下至上依次为Si层、SiO2层，Au层、氧化铝层、MoS2层、PtSe2层、MoS2层、和光栅层；所述PtSe2层...
    2025-12-01
  • 光电突触器件及其制备方法、用途
    光电突触器件及其制备方法、用途_北京理工大学_202511194138.4
    本发明的实施例公开一种光电突触器件，其中，上述光电突触器件在从可见光到红外光的520 nm到2000 nm的光谱响应范围内具有光学突触特性，其中，上述光电突触器件包括由上层石墨烯/CrOCl/下层石墨烯构成的范德华异质结，CrOCl作为中间...
    2025-12-01
  • 背接触电池、背接触叠层电池及光伏组件
    背接触电池、背接触叠层电池及光伏组件_晶科能源(海宁)有限公司_202511536594.2
    本申请涉及光伏领域，提供了一种背接触电池、背接触叠层电池及光伏组件，背接触电池的本体的背光面设置有细栅、边缘焊盘和边缘连接线；细栅包括第一细栅和第二细栅；边缘焊盘位于本体沿第二方向的两端，第一细栅与边缘焊盘相连接，边缘焊盘沿第一方向的两侧分...
    2025-12-01
  • 背接触电池组件及光伏系统
    背接触电池组件及光伏系统_珠海富山爱旭太阳能科技有限公司_202511525372.0
    本发明公开了一种背接触电池组件及光伏系统，涉及太阳能电池技术领域。所述背接触电池组件包括：电池串层，所述电池串层包括电池串和中间汇流条；其中，所述电池串包括沿第一方向排布的多个电池片，多个所述电池片相互串联；所述中间汇流条沿第二方向设于所述...
    2025-12-01
  • 电池串、光伏组件、电池串的制备方法
    电池串、光伏组件、电池串的制备方法_晶科能源(海宁)有限公司_202511516340.4
    本申请属于光伏技术领域，涉及一种电池串、光伏组件、电池串的制备方法，能够避免焊带移位虚焊，其中所述电池串由至少两个光伏电池片通过焊带串联而成，所述光伏电池片的焊接面的端部设置有透明胶层，所述焊带位于所述透明胶层上方，所述透明胶层位于所述焊带...
    2025-12-01
  • 光伏组件及光伏组件制备方法
    光伏组件及光伏组件制备方法_晶澳(扬州)太阳能科技有限公司_202511366436.7
    本公开涉及一种光伏组件及光伏组件制备方法，光伏组件包括：多个电池串(1)，每个所述电池串(1)包括多个沿第一方向(X)排布并通过焊带(11)连接的电池片(12)；多个第一汇流条(21)，沿垂直于所述第一方向(X)的第二方向(Y)延伸，分别在...
    2025-12-01
  • 导电背板、背接触太阳能电池组件和光伏设备
    导电背板、背接触太阳能电池组件和光伏设备_比亚迪股份有限公司_202511015919.2
    本申请提供了导电背板、背接触太阳能电池组件和光伏设备。该导电背板的导电背板单元包括：光伏背板、两条边缘导电主干线、多条中间导电主干线和多条导电支干线，两条边缘导电主干线分别设置在光伏背板相对的两侧边；多条中间导电主干线间隔分布在两边缘导电主...
    2025-12-01
  • 一种光伏组件
    一种光伏组件_晶科能源(海宁)有限公司_202511521789.X
    本申请涉及光伏电池技术领域，尤其涉及一种光伏组件。光伏组件包括电池串和胶膜，胶膜覆盖电池串。胶膜设置有第一区和第二区，沿电池串的长度方向，胶膜至少设置有两个第一区，且至少两个第一区之间间隔有第二区。沿光伏组件的厚度方向，第一区的厚度小于第二...
    2025-12-01
  • 一种光伏组件封装结构及其保护层制备方法
    一种光伏组件封装结构及其保护层制备方法_江苏汉可智能装备有限公司_202511520887.1
    本发明公开了一种光伏组件封装结构及其保护层制备方法，包括：光伏组件，所述光伏组件所需表面包覆保护层，保护层为无机物膜层或有机聚合物膜层或无机/有机聚合物混合膜层，无机物膜层由氮化硅或氮氧化硅或二者组合。本发明利用HoFCVD镀膜技术，可以在...
    2025-12-01
  • 背接触电池组件和光伏系统
    背接触电池组件和光伏系统_浙江爱旭太阳能科技有限公司_202511503068.6
    本申请适用于太阳能电池技术领域，提供了一种背接触电池组件和光伏系统，在背接触电池组件的在电池串中，彼此相邻的两个背接触电中的其中一个朝向第一边缘的一端与另一个朝向第二边缘的一端部分重叠以形成重叠区域。重叠区域覆盖相邻的两个背接触电池中的其中...
    2025-12-01
  • 彩色光伏组件及其制备方法
    彩色光伏组件及其制备方法_浙江金贝能源科技有限公司_202511143086.8
    本发明的实施例提出一种彩色光伏组件及其制备方法。该彩色光伏组件包括依次层叠设置的前板玻璃层、第一胶膜层、光伏电池串、第二胶膜层和背板层。其中，所述前板玻璃层包括依次设置的透明基板层、彩釉层和波长转换层，所述波长转换层为固化层，所述波长转换层...
    2025-12-01
  • 具有隧穿结结构的背接触太阳能电池及其制备方法
    具有隧穿结结构的背接触太阳能电池及其制备方法_TCL中环新能源科技股份有限公司_202511148675.5
    本发明提供了一种具有隧穿结结构的背接触太阳能电池及其制备方法，涉及太阳能电池技术领域。所述具有隧穿结结构的背接触太阳能电池硅基底，所述硅基底的背面包括交替排列的第一载流子选择性区域和第二载流子选择性区域；其中，所述第一载流子选择性区域包括第...
    2025-12-01
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