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  • 在形成有多个布线的半导体元件中,降低布线间电容。该半导体元件包括半导体基板、绝缘膜、保护膜、预定数量的布线以及覆盖空隙。在该半导体元件中,绝缘膜覆盖半导体基板的预定表面。在该半导体元件中,保护膜覆盖绝缘膜。在该半导体元件中,预定数量的布线形...
  • 提供一种新型的电路基板的制造方法,其中,在对绝缘层进行化学机械研磨的电路基板的制造中,能够实现高研磨速度,且能够实现表面粗糙度小的绝缘层。该电路基板的制造方法的特征在于,其包括下述工序(X)、(Y)和(Z):(X)在表面设置有层间连接用导体...
  • 本发明涉及一种衬底布置,并且涉及一种用于生产电子组件的方法。该衬底布置具有(a)包括上侧和下侧的结合衬底,以及(b)包括接触装置的接触层,其中该接触层至少在某些区域中以平面的方式连接到该结合衬底的该下侧,其中该结合衬底的该下侧(i)沿着至少...
  • 详细说明了一种用于将第一接合配对件(2)附接到第二接合配对件(3)的接合连接件(1),该接合连接件具有:‑ 接合材料(4),以及‑ 金属间相层(5),其中,‑ 接合材料(4)布置在第一接合配对件(2)与第二接合配对件(3)之间,‑ 金属间相...
  • 一种制造半导体器件的方法,包括提供具有介电叠层和位于介电叠层上的心轴层的半导体结构。牺牲心轴特征的阵列被图案化到心轴层中并且在介电叠层的绝缘层的顶部上。邻近牺牲心轴特征中的一个形成自对准非心轴切口。牺牲心轴特征被移除。在多个沟槽中的一个或多...
  • 一种用于衬底处理系统的基座包括基部和杆部。基部包括第一金属材料。杆部与基部耦合。第二金属材料包封基部。第二金属材料不同于第一金属材料。
  • 公开了用于在晶圆处理操作期间支撑半导体晶圆的基座。这样的基座可以包括主动冷却和主动加热系统,从而允许其在大范围的潜在温度下加热和/或冷却晶圆以及快速进行,从而通过减少基座到达目标温度所需的等待时间来提高处理产量。
  • 提供了一种用于处理基板的基座,所述基座包括底座以及形成在所述底座之上的涂层。所述基座包括外边沿,所述外边沿具有内边缘、外边缘以及将所述内边缘连接到所述外边缘的顶部;以及内盘状物,所述内盘状物安置在所述外边沿内部并耦接到所述外边沿,所述内盘状...
  • 基板转印装置(100)具有用于剥离晶圆(W)上粘贴的第1黏着胶带(T1)的胶带剥离机构(RM)。胶带剥离机构(RM)构成为能够使剥离开始时及剥离结束时的剥离角度(α)不同。具体而言,胶带剥离机构(RM)具有用于将与第1黏着胶带(T1)接触的...
  • 一种静电卡盘装置,其具备:板状的静电卡盘部,具有载置板状试样的载置面且在内部设置有静电吸附用电极;及基底部,呈以中心轴线为中心的圆盘状且在其支承面上从与载置面相反的一侧支承静电卡盘部,在基底部的内部设置有沿着支承面延伸的制冷剂流路,制冷剂流...
  • 本发明的保持装置(100)具备保持基板(10)和基台(20),保持基板具有:板状构件(11),其包括第1表面(S1)和配置于第1表面(S1)的相反侧的第2表面(S2);第1气体流路(12),其包括在第1表面(S1)侧开口的第1气体流出口(1...
  • 有轨台车系统中,多个台车选择性地在轨道中的多个区间行驶。有轨台车系统包括:状态信息获取部,该状态信息获取部获取多个台车的状态信息;行驶历史信息获取部,该行驶历史信息获取部获取多个台车的行驶历史信息;以及异常区间推定部,该异常区间推定部基于由...
  • 本发明提供能够适当监视基板搬送装置的技术。一种基板搬送装置的监视方法,其中,所述基板搬送装置的监视方法具有:拍摄工序,在基板搬送装置的手直线移动时,用相机拍摄保持于手的基板,获取包括3个以上的基板以圆形状或椭圆形状出现的帧数据的拍摄数据;评...
  • 本公开案大致涉及一种用于热处理基板的灯加热的设备。具体而言,本公开案的实施方式涉及使用基板及屏蔽部件而将在迅速热处理(RTP)腔室中的加热区域分离。在一个实施方式中,一种处理基板的方法包括将基板放置于处理腔室中在多个升降杆上,以多个升降杆将...
  • 本发明提供了一种计量装置。计量装置包含用于测量晶圆的质量和/或质量变化的质量计量站,以及用于对晶圆的至少一部分执行光谱成像的光谱成像系统。
  • 本发明的课题在于提供一种可形成密封树脂且可防止产生形成过程中的密封树脂的割损的形成装置,所述密封树脂能够实现可防止产生成形不良的压缩成形装置及压缩成形方法。作为解决手段,本发明的密封树脂的形成装置(100)为形成用于工件(W)的压缩成形的密...
  • 本发明提供一种即使在低温的接合中也能够得到良好的接合强度的接合材料。本发明提供一种具有薄片形状的氧化银颗粒或含有其的氧化银粉末。该具有薄片形状的氧化银颗粒的平均厚度为10~100nm,D50为100~350nm。此外,具有薄片形状的氧化银颗...
  • 本发明的目的在于,提供能够按每个区域推定晶片的温度并高精度地进行控制的技术。代表性的本发明的等离子处理装置之一具备:处理室,形成用于对处理对象的晶片进行处理的等离子;样品台,配置于处理室内,在上表面载置晶片;多个加热器,在覆盖样品台内部的基...
  • 具备:处理容器,其收容基板并对所述基板进行处理;等离子体生成单元,其在所述处理容器内产生等离子体;计算部,其在所述基板的处理中,计算所述等离子体生成单元输出的电力的累积量;存储部,其存储所述基板的处理结果为正常时的处理结束时间点的所述累积量...
  • 本发明提供用于对使用学习完毕模型的预测的精度进行评价的计算机程序、信息处理方法以及信息处理装置。使用模拟模型或者学习完毕模型来调整多个参数,以使得预测形状成为特定的形状,其中,该模拟模型使用与基板处理的条件相关的多个参数模拟基板处理,该学习...
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