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最新专利技术
  • 一种半导体电路
    一种半导体电路_黑龙江汇芯半导体有限公司_202511085745.7
    本申请涉及半导体技术领域，本申请提供一种半导体电路，其包括金属基板、金属连接柱、玻纤基板和引脚，金属连接柱竖向设置在金属基板上，玻纤基板设置在金属连接柱上端，玻纤基板通过金属连接柱与金属基板固定连接，且金属连接柱的两端分别与玻纤基板和金属基...
    2025-12-03
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202510996400.0
    半导体结构包括：中介层，中介层包括：衬底；再分布结构(RDS)，位于衬底上；钝化膜，位于RDS上，其中钝化膜包括位于RDS上的第一蚀刻停止层(ESL)和位于第一ESL上的第一介电层；通孔，嵌入钝化膜中，其中通孔电耦接至RDS的导电部件；接合...
    2025-12-03
  • 一种半导体电路
    一种半导体电路_黑龙江汇芯半导体有限公司_202511069143.2
    本申请涉及半导体电路应用技术领域，本申请提供一种半导体电路，其包括第一基板、第二基板和引线框架，第二基板与第一基板相对设置，引线框架包括第一引脚组件和第二引脚组件，第一引脚组件具有第一端、第二端和第三端，第二引脚组件具有第四端、第五端和第六...
    2025-12-03
  • 一种半导体电路及其塑封方法
    一种半导体电路及其塑封方法_黑龙江汇芯半导体有限公司_202511069124.X
    本发明属于半导体技术领域，公开了一种半导体电路及其塑封方法，半导体电路包括基板、芯片功能层、若干个前段引脚、若干个后段引脚和塑封体，其中基板的两侧分别设有若干个焊盘；前段引脚的一端与焊盘连接，前段引脚的自由端开设有穿插孔；后段引脚的一端可拆...
    2025-12-03
  • 具有改善的散热的引线框架封装
    具有改善的散热的引线框架封装_意法半导体国际公司_202510580230.8
    本公开涉及具有改善的散热的引线框架封装。提供了一种示例引线框架封装、一种制造引线框架封装的方法以及一种包括具有改善的散热的引线框架封装的电气系统。具有改善的散热的示例引线框架封装包括第一表面和与第一表面相对的第二表面。示例引线框架封装还包括...
    2025-12-03
  • 半导体模块、母线以及用于制造半导体模块的方法
    半导体模块、母线以及用于制造半导体模块的方法_英飞凌科技股份有限公司_202411606465.1
    一种半导体模块，其包括：至少一个功率半导体裸片；包封体，其包封所述功率半导体裸片；第一母线，其电连接到所述功率半导体裸片并从所述包封体暴露，所述第一母线包括第一侧、相反的第二侧以及连接第一侧和第二侧的侧向侧，其中，所述第一母线包括第一狭缝和...
    2025-12-03
  • 半导体装置
    半导体装置_株式会社电装_202511095690.8
    半导体装置具备在表面形成有发射极电极、在背面形成有集电极电极的半导体元件(30)。集电极电极与配置于半导体元件(30)的背面侧的散热器(40)经由焊料(80)连接。在焊料接合部设有多个线片(90)。所有的线片(90)接合于散热器(40)的安...
    2025-12-03
  • 一种改良晶垫的芯片封装结构及其方法
    一种改良晶垫的芯片封装结构及其方法_华东科技股份有限公司_202510053514.1
    本发明涉及一种改良晶垫的芯片封装结构及其方法，旨在提升芯片与载板间的电性连接效能与稳定性。该结构主要包括一芯片单元，该芯片单元的表面设有至少一晶垫，每一晶垫包含一焊接区及一周边区，周边区环绕焊接区。核心创新之一在于一镍金层直接覆盖于至少一晶...
    2025-12-03
  • 一种半导体电路
    一种半导体电路_黑龙江汇芯半导体有限公司_202511085744.2
    本发明属于半导体技术领域，公开了一种半导体电路，包括基板、芯片功能层和若干个活动引脚组件；其中，基板的两侧分别设有若干个焊盘；活动引脚组件包括第一引脚、第二引脚和第三引脚，第一引脚的第一端与焊盘连接，第一引脚的第二端与第二引脚的第一端活动连...
    2025-12-03
  • 在玻璃通孔中具有双衬垫的微电子组合件
    在玻璃通孔中具有双衬垫的微电子组合件_英特尔公司_202510418162.5
    根据本公开的实施例的微电子组合件可以包括玻璃芯(例如，玻璃层或玻璃结构)，其具有第一面和与第一面相对的第二面；所述玻璃层中的玻璃通孔(TGV)，该TGV从第一面朝向第二面延伸并包括导电材料；TGV中的第一衬垫，其在导电材料和玻璃层之间；以及...
    2025-12-03
  • 一种双层独立双通道冷板
    一种双层独立双通道冷板_北京航空航天大学_202510920001.6
    本发明涉及一种双层独立双通道冷板，属于热管理技术领域，解决了现有散热冷板的换热性能不足、安全稳定性等影响整个散热系统的正常运行的技术问题。本发明的双层独立双通道冷板包括盖板、第一层冷板、第二层冷板、第一层进液管、第一层出液管、第二层进液管和...
    2025-12-03
  • 一种嵌入式功率芯片封装结构及其制备方法
    一种嵌入式功率芯片封装结构及其制备方法_纳宇半导体材料(宁波)有限责任公司_202511478383.8
    本发明提供一种嵌入式功率芯片封装结构及其制备方法，包括：金属层，设有凹槽；凹槽底部设通孔；芯片设于凹槽中；第一烧结金属层，芯片下电极与凹槽通过第一烧结金属层连接；树脂层，填充于凹槽中；上电极铜嵌件，与芯片上电极连接；绝缘导热层，设于通孔中；...
    2025-12-03
  • 覆晶薄膜和显示装置
    覆晶薄膜和显示装置_重庆惠科金渝光电科技有限公司_202511071992.1
    本申请涉及显示领域，具体公开了一种覆晶薄膜和显示装置，所述覆晶薄膜，包括基材层、第一金属层以及驱动芯片，所述第一金属层设置在所述基材层上方，所述第一金属层远离所述基材层的一侧通过连接线与所述驱动芯片连接；所述覆晶薄膜还包括第二金属层，所述第...
    2025-12-03
  • 一种MOS管固定工装
    一种MOS管固定工装_北京大华无线电仪器有限责任公司_202511306795.3
    本发明公开了一种MOS管固定工装，包括底座、限位板、右侧板、左侧板、导轨；底座左右两侧各设有挡板一，挡板一上有一矩形槽，槽内安装汝铁硼磁铁；底座后侧设有一个安装板，安装板后设有支撑板，安装板上设有两个定位销，限位板的一端装于定位销上；右侧板...
    2025-12-03
  • 半导体装置及其制造方法
    半导体装置及其制造方法_铨心半导体异质整合股份有限公司_202510594470.3
    本发明提供一种半导体装置及其制造方法。半导体装置包括笼状件、半导体芯片、封装体及第一重布层。笼状件具有第一笼状件表面、与第一笼状件表面相对的第二笼状件表面以及从第一笼状件表面向第二笼状件表面的空腔。半导体芯片配置在空腔中。封装体覆盖半导体芯...
    2025-12-03
  • 电子装置及制造电子装置的方法
    电子装置及制造电子装置的方法_安靠科技新加坡控股私人有限公司_202510574546.6
    电子装置及制造电子装置的方法。一种电子装置包含嵌入式模块，所述嵌入式模块包含模块组件，所述模块组件包括第一端子和第二端子。第一模块衬底通过第一接合层耦合到所述第一端子，并且第二模块衬底通过第二接合层耦合到所述第二组件端子。模块包封物覆盖所述...
    2025-12-03
  • 功率半导体装置以及功率半导体装置的制造方法
    功率半导体装置以及功率半导体装置的制造方法_三菱电机株式会社_202510476069.X
    本发明的目的在于提供一种能够利用密封部件提高配线导线的机械强度的技术。功率半导体装置具备：多个配线导线，连接半导体元件彼此之间、金属电路图案彼此之间、以及半导体元件与金属电路图案之间中的至少任一者，并相互沿着彼此设置；和第一密封部件，以比半...
    2025-12-03
  • 包含有异质接触的半导体结构以及其制作方法
    包含有异质接触的半导体结构以及其制作方法_联华电子股份有限公司_202410653746.6
    本发明公开一种包含有异质接触的半导体结构以及其制作方法，其中包含有异质接触(hybrid bond contact)的半导体结构包含一第一异质接触，位于一介电层中，其中第一异质接触由铜所构成，一第一顶导电层，位于介电层中并且位于第一异质接触...
    2025-12-03
  • 一种半导体结构及其制作方法
    一种半导体结构及其制作方法_苏州晶湛半导体有限公司_202410585135.2
    本申请实施例提供了一种半导体结构及其制作方法，该半导体结构包括：斜切角衬底，斜切角衬底包括相对的上表面和下表面，多个凹槽开设于上表面，凹槽包括底壁端，以及位于底壁端两侧、并相对的第一侧壁和第二侧壁，底壁端和第一侧壁构成的第一夹角为锐角，在外...
    2025-12-03
  • 一种半导体结构及其制作方法
    一种半导体结构及其制作方法_苏州晶湛半导体有限公司_202410584935.2
    本申请实施例提供了一种半导体结构及其制作方法，该半导体结构包括：斜切角衬底和位于斜切角衬底一侧的掩膜层，掩膜层包括贯穿掩膜层的通孔，至少部分外延层位于通孔内，外延层自通孔暴露的斜切角衬底上外延生长，外延层中的部分位错偏离通孔的延伸方向，终止...
    2025-12-03
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