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  • 此处提供电镀金属到衬底上的方法及装置。例如,此电沉积装置可包含:(a)镀覆室,被配置成在将金属电镀至衬底上之时容纳电解液及阳极;(b)衬底保持器,被配置成在电镀期间保持该衬底以及维持介于该衬底的镀覆表面与该阳极之间的分隔;及(c)离子阻性离...
  • 用于控制衬底支撑件温度的方法包括响应于嵌入Z个分区的该一者中的温度传感器,设定Z个分区中的一者中衬底支撑件的温度;分别使用Z‑1个功率比来设定Z个分区的Z‑1个分区中衬底支撑件的温度;测量嵌入Z个分区中的Z个电阻加热器分别在第一温度和第二温...
  • 一种半导体器件包括通过第一接触部和第一过孔连接到后段制程(BEOL)的第一源极/漏极区域,以及通过第二接触部、横向接触部和第二过孔连接到BEOL的第二源极/漏极区域。第一过孔穿过所述横向接触部。
  • 本发明涉及用于冷却待冷却单元、特别是电子单元、优选是半导体组件的散热器。该散热器具有冷却通道,冷却剂、特别是冷却液、优选是冷却水可以沿指定的流动方向流动通过冷却通道,所述冷却通道在面向待冷却单元的冷却通道面上具有第一冷却壁。冷却通道或冷却通...
  • 一种衬底,该衬底包括:核心层,该核心层包括腔体;嵌入式无源器件,该嵌入式无源器件至少部分地位于核心层的腔体中,其中嵌入式无源器件包括多个焊盘互连件;聚酰亚胺层,该聚酰亚胺层耦合到嵌入式无源器件的表面;至少一个电介质层,该至少一个电介质层耦合...
  • 提供了一种用于制备金属电极的方法。所述方法包含识别基板的表面处的某个位置,其中所述位置包含现有金属电极受损的位置。所述方法还包含在所述位置处气溶胶喷射打印修复金属电极并烧结所述修复金属电极。所述方法还可以包含在所述位置处气溶胶喷射打印所述修...
  • 公开了一种装置,该装置包括:第一电气部件,其中相应第一电气部件具有第一连接区域;以及第二电气部件,其中相应第二电气部件具有第二连接区域。该装置还包括支撑结构,其中相应支撑结构安装到相应第一电气部件,以限制相应第二电气部件相对于该相应第一电气...
  • 一种用于接触半导体芯片的连接器。连接器可以包括接片,其中接片包括具有平面形状的外部部分,外部部分具有适于接触半导体芯片的表面的下部表面和限定接片的主平面的上部表面。接片还可以包括环形部分,环形部分连接到外部部分并且凸出于主平面延伸,其中,环...
  • 一种半导体模块的制造方法,半导体模块包括:构成上臂电路及下臂电路的多个半导体元件;将多个所述半导体元件中构成所述上臂电路的所述半导体元件进行接合的第1导体板;将多个所述半导体元件中构成所述下臂电路的所述半导体元件进行接合的第2导体板;以及对...
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