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最新专利技术
  • 氧化膜的形成条件确定方法、氧化膜的形成方法及晶圆的制造方法
    氧化膜的形成条件确定方法、氧化膜的形成方法及晶圆的制造方法_胜高股份有限公司_202480055121.8
    氧化膜的形成条件确定方法具备：预氧化膜形成工序，使用第1托盘主体在第1晶圆上形成第1氧化膜；相关关系获取工序，获取托盘主体的槽部及接触部中的至少一个构成要件与氧化膜的膜厚分布之间的相关关系；目标膜厚分布获取工序，获取所述氧化膜的目标膜厚分布...
    2026-04-03
  • 用于形成具有减低介电常数和增加密度的低K介电材料的方法
    用于形成具有减低介电常数和增加密度的低K介电材料的方法_应用材料公司_202480053732.9
    示例性半导体处理方法可以包括向半导体处理腔室的处理区域提供沉积前驱物。所述沉积前驱物可以包括含硅氧和碳的前驱物。可以将基板设置在所述处理区域内。所述方法可以包括形成沉积前驱物的等离子体流出物。所述方法可以包括在基板上沉积含硅氧和碳的材料的层...
    2026-04-03
  • 用于半导体器件的半绝缘SiC衬底
    用于半导体器件的半绝缘SiC衬底_日立能源有限公司_202380101632.4
    一种用于制造半导体器件(1)的方法，方法包括以下步骤：提供具有预定义第一厚度(d1)的半绝缘SiC衬底(100)，在该半绝缘SiC衬底(100)的Si面(110)和/或C面(120)引入填隙原子(i)，以及通过扩散该填隙原子(i)来形成第一...
    2026-04-03
  • 半导体制造装置用部件
    半导体制造装置用部件_日本碍子株式会社_202380012896.2
    半导体制造装置用部件10具备：陶瓷板20，其具有圆形的晶片载放面22a和在晶片载放面22a的外周设置于比晶片载放面22a低一级的位置的环状的FR载放面24a；以及冷却板30，其设置于陶瓷板20的下表面。将晶片载放面22a和FR载放面24a相...
    2026-04-03
  • 基片处理方法和基片处理装置
    基片处理方法和基片处理装置_东京毅力科创株式会社_202480053885.3
    提供一种改善光致抗蚀剂膜的图案的基片处理方法和基片处理装置。一种基片处理方法，其包括：准备具有光致抗蚀剂膜的基片的步骤，所述光致抗蚀剂膜包含含有第一金属元素的金属氧化物；对所述基片实施曝光处理和显影处理，在所述光致抗蚀剂膜形成开口的图案的步...
    2026-04-03
  • 在低温下蚀刻含硅及氧特征的方法
    在低温下蚀刻含硅及氧特征的方法_应用材料公司_202480054364.X
    范例半导体处理方法可包括：将含氟前驱物及含氢前驱物提供至半导体处理腔室的处理区域。基板可容置于处理区域中。含硅材料层可设置于基板上。所述方法可包括：形成含氟前驱物及含氢前驱物的等离子体流出物。所述方法可包括：使基板接触含氟前驱物及含氢前驱物...
    2026-04-03
  • 使用C2H2F2的介电质等离子体蚀刻
    使用C2H2F2的介电质等离子体蚀刻_乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司_202480055282.7
    一种用于通过使用沉积在衬底中的一个或多个介电膜的顶部上的图案化掩模层选择性地蚀刻该一个或多个介电膜来形成结构的蚀刻方法包括：将该衬底安装在反应腔室中；将含有C2H2F2的蚀刻气体引入该反应腔室中；将该蚀刻气体转变为等离子体；以及允许在该等离...
    2026-04-03
  • 基板处理装置以及基板处理方法
    基板处理装置以及基板处理方法_株式会社斯库林集团_202480053135.6
    本发明的基板处理装置(100)具有：喷嘴(136)、供给部(135)、液体回流部(160)、近红外线光源(140)、近红外拍摄部(150)以及控制部(102)。喷嘴(136)向基板(W)供给处理液(L)。供给部(135)向喷嘴(136)供给...
    2026-04-03
  • 半导体装置的制造方法
    半导体装置的制造方法_东京毅力科创株式会社_202380101494.X
    一种半导体装置的制造方法，包括以下处理：准备第一基板与第二基板经由导热控制膜、剥离促进膜以及激光吸收膜接合而成的重合基板；对所述激光吸收膜照射激光；以及将所述第一基板与所述第二基板分离，其中，所述导热控制膜、所述剥离促进膜以及所述激光吸收膜...
    2026-04-03
  • 高压基板处理装置
    高压基板处理装置_株式会社HPSP_202480055293.5
    本发明公开一种高压基板处理装置。所述高压基板处理装置包括内腔、外腔及紧固模块。所述内腔形成为用于容纳待处理基板、和以高于大气压的第一压力供给的反应气体。所述外腔，具备：外壳，用于容纳所述内腔；以及外门，可在与所述外壳接触的关闭状态和与所述外...
    2026-04-03
  • 用于原子层蚀刻的基板处理装置
    用于原子层蚀刻的基板处理装置_OS有限公司_202480055781.6
    根据本公开的一实施例，公开了一种基板处理装置。所述基板处理装置可包括：上部腔室，用于执行针对基板的等离子体处理；下部腔室，用于执行针对所述基板的热处理；微波热处理器，用于产生微波至所述下部腔室内，从而向所述基板传递热量；以及载台，支撑基板，...
    2026-04-03
  • 基板处理装置和基板处理系统
    基板处理装置和基板处理系统_东京毅力科创株式会社_202480053797.3
    一种对基板进行处理的基板处理装置，具备处理腔室和配置在所述处理腔室内且在上面具有支撑托盘的托盘支撑面的支撑部件，所述托盘在其上面形成有经由第一传热材料收纳所述基板的凹部，所述托盘支撑面构成为在与所述托盘的下面侧之间夹有第二传热材料。
    2026-04-03
  • 基板搬运机器人以及基板搬运机器人的控制方法
    基板搬运机器人以及基板搬运机器人的控制方法_川崎重工业株式会社_202480054963.1
    本发明的基板搬运机器人(100)具备：基板保持手(10)，保持基板(W)；倾斜度调整机构(30)，调整基板保持手(10)的倾斜度；检测部，检测基板载置部(103)；以及控制部(50)，基于检测部对基板载置部(103)的检测结果，通过使倾斜度...
    2026-04-03
  • 晶片载放台及其使用方法
    晶片载放台及其使用方法_日本碍子株式会社_202380014162.8
    晶片载放台10具备：陶瓷板20、热扩散板30、第一粘接层40、冷却板50、以及第二粘接层60。陶瓷板20在上表面具有晶片载放面22，且内置有电极24、26。热扩散板30设置于陶瓷板20的下表面。第一粘接层40将陶瓷板20和热扩散板30粘接。...
    2026-04-03
  • 半导体制造装置用部件
    半导体制造装置用部件_日本碍子株式会社_202380013327.X
    晶片载放台10具备：陶瓷板20，其上表面具有晶片载放面20a；静电电极22，其植入于陶瓷板20；电极取出部23，其植入于陶瓷板20，且自静电电极22朝下设置；端子孔24，其设置为从陶瓷板20的下表面达到电极取出部23；端子50，其插入于端子...
    2026-04-03
  • 半导体制造装置用部件
    半导体制造装置用部件_日本碍子株式会社_202380013640.3
    半导体制造装置用部件10具备：中央陶瓷部件22，其上表面具有晶片载放面22a；环状的外周陶瓷部件32，其上表面具有FR载放面32a且配设于中央陶瓷部件22的外周侧；以及导电性的基座部件40，其具有对中央陶瓷部件22进行支撑的中央支撑部、和对...
    2026-04-03
  • 半导体制造装置和支持机构
    半导体制造装置和支持机构_帝国贴膜系统株式会社_202480055385.3
    提供一种膜粘贴装置(1)，其具备：载置有半导体芯片(W)的台(2)，将载置于台(2)上的半导体芯片(W)所粘贴的光致抗蚀剂膜(6)进行推压的推压辊(20)，设置于台(2)的外周侧，且以推压辊(20)推压光致抗蚀剂膜(6)时，接受由推压辊(2...
    2026-04-03
  • 用于改良低介电常数材料的机械强度之系统及方法
    用于改良低介电常数材料的机械强度之系统及方法_应用材料公司_202480053907.6
    示例性处理方法可包括将处理前体提供到半导体处理腔室的处理区域。基板可容纳在所述处理区域内。所述基板可包括含硅材料的层。所述方法可包括形成所述处理前体的感应耦合等离子体流出物。所述方法可包括使所述含硅材料的所述层与所述处理前体的所述感应耦合等...
    2026-04-03
  • 电子控制装置
    电子控制装置_安斯泰莫株式会社_202380101777.4
    本发明的电子控制装置包括能够安装电子部件的电路板、收纳安装有电子部件的电路板的壳体、从壳体的外侧的面即外面部向外侧突出的多个散热翅片、外部厚壁部、内部厚壁部、以及将外部厚壁部与内部厚壁部连结的薄壁部。外部厚壁部形成在壳体的外面部中的与安装于...
    2026-04-03
  • 用于冷却电子设备的浸没槽
    用于冷却电子设备的浸没槽_劳雷尔技术合作公司_202480043634.7
    一种浸没槽系统，包括外部框架和设置在外部框架内的浸没槽。一种用于操作浸没槽系统的方法，包括：将有效载荷插入浸没槽；使来自外部环境的源流体通过联接到浸没槽的管道流至热交换器；使用热交换器和源流体冷却工质流体；使工质流体流经浸没槽的一个或多个端...
    2026-04-03
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