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最新专利技术
  • 一种用于生箔机的铜箔厚度在线控制方法及系统
    一种用于生箔机的铜箔厚度在线控制方法及系统_浙江双元科技股份有限公司_202610239761.5
    本发明提供一种用于生箔机的铜箔厚度在线控制方法及系统，方法包括：预先对所述阳极板进行分区，获得至少两个阳极子模块；控制厚度检测装置检测所述铜箔对应于所述阳极板上各个阳极子模块的实时厚度值；采集阳极子模块的实时电流以及阴极钛辊的当前车速；根据...
    2026-05-09
  • 一种钴铬合金金相试样的抛光液及抛光方法
    一种钴铬合金金相试样的抛光液及抛光方法_南京铖联激光科技有限公司_202511880588.9
    本发明涉及一种钴铬合金金相试样的抛光液及抛光方法，属于钴铬合金表面处理技术领域技术领域；其中，本发明提供的抛光液为低浓度的中性或近中性的无机盐的水溶液，所述抛光液的抛光温度为85℃以上，抛光时间为600～1000s，抛光电压为300～360...
    2026-05-09
  • 一种电化学抛光碳化硅晶圆的工艺方法
    一种电化学抛光碳化硅晶圆的工艺方法_杭州众硅电子科技有限公司_202411355306.9
    本发明公开了一种电化学抛光碳化硅晶圆的工艺方法，碳化硅晶圆至少具有电阻率存在差异的第一、第二区域，工艺方法包括以下步骤：于碳化硅晶圆表面输送电解液；于碳化硅晶圆表面施压机械抛光；碳化硅晶圆、抛光台和抛光头形成通电回路；向通电回路施加第一电流...
    2026-05-09
  • 基于双自由度耦合振动的抛光装置及其使用方法
    基于双自由度耦合振动的抛光装置及其使用方法_上海交通大学_202411334540.3
    本发明提供了一种基于双自由度耦合振动的抛光装置及其使用方法，包括第一方向振动组件和第二方向振动组件，第二方向振动组件设置在第一方向振动组件上，第一方向振动组件在第一方向上振动，第二方向振动组件在第二方向上振动，第一方向与第二方向垂直；第二方...
    2026-05-09
  • 单晶超导材料生长反应装置以及厘米级BKBO晶体的制备方法
    单晶超导材料生长反应装置以及厘米级BKBO晶体的制备方法_中国科学院合肥物质科学研究院_202610000555.9
    本发明公开了一种单晶超导材料生长反应装置以及厘米级BKBO晶体的制备方法，该生长反应装置包括：反应釜本体，反应釜本体的中部具有容纳腔，反应釜本体的外部套设有坩埚；釜盖，盖合在反应釜本体的顶部，釜盖具有与容纳腔连通的进气孔和排气孔；搅拌杆，沿...
    2026-05-09
  • 一种DKDP晶体生长方法及装置
    一种DKDP晶体生长方法及装置_安徽环巢光电科技有限公司_202512049315.6
    本发明涉及DKDP晶体生长技术领域，具体是一种DKDP晶体生长方法及装置，包括如下步骤：S1、将原料加入到重水里，形成饱和溶液，然后加入相变微胶囊，混合均匀，得到生长溶液；S2、将籽晶放入到步骤S1中得到的生长溶液中，将生长溶液加热至40‑...
    2026-05-09
  • 钨酸碲铷化合物、钨酸碲铷非线性光学晶体及其制备方法和应用
    钨酸碲铷化合物、钨酸碲铷非线性光学晶体及其制备方法和应用_中国科学院理化技术研究所_202411342286.1
    本发明公开钨酸碲铷化合物、钨酸碲铷非线性光学晶体及其制备方法和应用。本发明采用助熔剂法制备钨酸碲铷非线性光学晶体，所述钨酸碲铷非线性光学晶体的化学式为Rb2TeW3O12，为非中心对称结构，属于三方晶系，空间群为P31c，单胞参数为α＝β＝...
    2026-05-09
  • 一种Mist-CVD协同辅助的钙钛矿单晶表面钝化方法
    一种Mist-CVD协同辅助的钙钛矿单晶表面钝化方法_西安电子科技大学_202511712220.1
    本发明公开了一种Mist‑CVD协同辅助的钙钛矿单晶表面钝化方法，涉及钙钛矿单晶制备及表面处理技术领域，该方法首先采用熔体法制备铅基卤化物钙钛矿单晶晶锭，经切割抛光得到单晶衬底；随后，配置由PbA2和CsB中至少一种组成的钙钛矿前驱体溶液，...
    2026-05-09
  • 一种液相法生长碳化硅单晶的装置及方法
    一种液相法生长碳化硅单晶的装置及方法_内蒙古清橙半导体科技有限公司_202511911030.2
    本发明属于半导体晶体生长技术领域，具体涉及一种液相法生长碳化硅单晶的装置及方法。所述装置包括石墨坩埚、石墨隔板和石墨籽晶托。石墨坩埚底部设有带挡板的石墨片；石墨隔板设于籽晶下方，其上的贯穿口、嵌槽、开槽石墨块及下石墨挡板与石墨籽晶托的竖直柱...
    2026-05-09
  • 热控涂层结构、水冷套、单晶炉及制备方法
    热控涂层结构、水冷套、单晶炉及制备方法_上海新昇半导体科技有限公司_202511915663.0
    本申请提供一种热控涂层结构、水冷套、单晶炉及制备方法，所述热控涂层结构用于设置在套筒结构的水冷套的外周面和/或内周面；该热控涂层结构包括多个沿所述水冷套的轴向方向依次排列且相接的区域涂层；在本申请中，通过将用于水冷套的热控涂层结构划分形成多...
    2026-05-09
  • 一种多晶硅直接连续制备单晶硅棒的系统及方法
    一种多晶硅直接连续制备单晶硅棒的系统及方法_青海南玻新能源科技有限公司_202511932176.5
    本发明公开了一种多晶硅直接连续制备单晶硅棒的系统及方法，属于半导体及光伏材料制备技术领域。所述系统包括依次连通的还原炉、液态硅输送单元和单晶炉，并通过压力控制保证气氛隔离。方法包括：在还原炉内利用耐高温金属电极进行多晶硅的化学气相沉积；随后...
    2026-05-09
  • 一种用于半导体单晶炉的排气装置
    一种用于半导体单晶炉的排气装置_常州四杰机械科技有限公司_202512043512.7
    本发明提出了一种用于半导体单晶炉的排气装置，具体涉及半导体加工设备。用于半导体单晶炉的排气装置，包括单晶炉炉体，所述单晶炉炉体的顶部固定连接有连接管，所述连接管上固定连接有同轴设置的尺寸相同的第一排气管和第二排气管，所述第一排气管和第二排气...
    2026-05-09
  • 一种晶体生长系统
    一种晶体生长系统_上海频准激光科技股份有限公司_202512048620.3
    本发明涉及晶体生长技术领域，尤其涉及一种晶体生长系统，包括中空结构的外支撑杆、用于盛放晶体生长原料和熔化后熔体并在第一驱动机构的驱动下绕自身中心轴旋转的坩埚、用于将外支撑杆对准坩埚的中心并固定的支架、在晶体生长过程中浸没于熔体内的籽晶、头部...
    2026-05-09
  • 一种硅单晶炉
    一种硅单晶炉_浙江爱旭太阳能科技有限公司_202610058333.2
    本发明涉及液晶玻璃制备技术领域，尤其涉及一种硅单晶炉。该硅单晶炉包括炉体、坩埚、换热器和加热器；坩埚设置于炉体内，坩埚用于容纳硅熔液；换热器设置于炉体内并位于坩埚的上方，换热包括内筒，内筒包括第一筒体和包覆于第一筒体外的阻挡层；加热器设置于...
    2026-05-09
  • 单晶炉热场装置及单晶炉
    单晶炉热场装置及单晶炉_三一硅能(朔州)有限公司_202511890642.8
    本发明涉及太阳能直拉单晶硅技术领域，公开了一种单晶炉热场装置及单晶炉。该装置包括装有硅熔液的坩埚组件、围绕坩埚组件设置的由多个加热瓣组成的环形加热器、以及设于坩埚组件上方的导流筒，导流筒设有供气流进入的第一气流通道。装置还包括沿竖直方向层级...
    2026-05-09
  • 一种单晶炉控制系统及边缘智能控制方法
    一种单晶炉控制系统及边缘智能控制方法_西安芯晖设备技术有限公司_202512012390.5
    本公开提供了一种单晶炉控制系统及边缘智能控制方法，系统包括中央控制单元、执行单元以及连接静止侧与旋转侧的旋转传输组件；系统配置有确定性通讯网络，用于连接中央控制单元与执行单元；旋转传输组件构造为具有物理隔离的第一传输通道和第二传输通道；第一...
    2026-05-09
  • 用于提高碲镉汞垂直液相外延稳定性的装置
    用于提高碲镉汞垂直液相外延稳定性的装置_浙江柚芯微电子有限公司_202511977524.0
    本发明提供一种用于提高碲镉汞垂直液相外延稳定性的装置，包括：搅拌结构，所述搅拌结构可升降且可转动地设置，所述搅拌结构包括搅拌杆，所述搅拌杆包括实心段和位于所述实心段上方的中空段，所述中空段内设置温度传感组件；样品承载部件，可拆卸地设置于所述...
    2026-05-09
  • 水平液相外延双层碲镉汞材料中第二层母液配比确定方法和红外探测器
    水平液相外延双层碲镉汞材料中第二层母液配比确定方法和红外探测器_中国科学院上海技术物理研究所_202610226567.3
    本申请涉及半导体材料制备技术领域，提供了一种水平液相外延双层碲镉汞材料中第二层母液配比确定方法和红外探测器。该方法包括：配置水平液相外延双层碲镉汞材料的预调配第二层母液；在预调配第二层母液中添加碲单质得到目标第二层母液，并基于添加的碲单质质...
    2026-05-09
  • 一种多源掺杂的HVPE系统及方法
    一种多源掺杂的HVPE系统及方法_山东省工业技术研究院_202511867122.5
    本发明提出了一种多源掺杂的HVPE系统及方法，系统包括第一镓舟、第二镓舟以及第三镓舟，第一镓舟上设有用于向第一镓舟内通入气体的第一进气口，第二镓舟内设有多个掺杂腔室，每个掺杂腔室各通过一个第一导流管道与所述第一镓舟连通，每个掺杂腔室上方对应...
    2026-05-09
  • 用于半导体外延生长装置中晶圆支撑棒的保护套
    用于半导体外延生长装置中晶圆支撑棒的保护套_上海超硅半导体股份有限公司_202511894686.8
    本发明提供一种用于半导体外延生长装置中晶圆支撑棒的保护套。所述保护套由SiC材料制成，贴敷于外延生长装置的托盘上用于穿过所述支撑棒的基座孔表面，包括保护套头部、保护套腰部和保护套尾部；所述保护套尾部的长度设置为当所述保护套尾部插入基座孔后，...
    2026-05-09
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