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最新专利技术
  • 半导体装置的制造方法以及半导体装置
    半导体装置的制造方法以及半导体装置_罗姆股份有限公司_202480054171.4
    本发明的半导体装置的制造方法具备第一工序、第二工序、第三工序以及第四工序。在所述第三工序中，使焊盘部从密封树脂的底面露出。在所述第三工序中，使从所述底面至第一支承部的第二面的所述密封树脂的第一方向的尺寸小于从所述密封树脂的顶面至所述第一支承...
    2026-03-29
  • 层叠体及层叠体的制造方法
    层叠体及层叠体的制造方法_富士胶片株式会社_202480051475.5
    一种层叠体及层叠体的制造方法，该层叠体具备：密封层，其包括密封材料和具有电路的部件；再配线层A，其与密封层的一个面接触且与部件的电路连接；及再配线层B，其与密封层的另一个面接触且与部件的电路不直接连接，再配线层A及再配线层B形成为能够与其他...
    2026-03-29
  • 用于半导体器件中的分层缓解的结构
    用于半导体器件中的分层缓解的结构_高通股份有限公司_202480052120.8
    本发明公开了其中管芯(诸如片上系统(SoC)管芯)利用模具附接到中介层的器件。与常规器件不同，通过除了侧表面之外还提供竖直表面用于附接来增加用于粘附的接触区域。在这种情况下，分层的可能性显著地降低。
    2026-03-29
  • 具有嵌入式互连结构的集成器件
    具有嵌入式互连结构的集成器件_高通股份有限公司_202480052065.2
    一种器件包括基板，该基板包括第一导体，该第一导体将基板的第一侧上的接触件连接到基板的第二侧上的接触件。第一导体包括：金属线，该金属线布置于通过介电层彼此分离的金属层中；和导电过孔，该导电过孔将金属线互连。基板还包括第二导体，该第二导体将基板...
    2026-03-29
  • 包括带有嵌入式框架的基板的封装件
    包括带有嵌入式框架的基板的封装件_高通股份有限公司_202480052122.7
    一种封装件，该封装件包括：集成器件；和基板，该基板通过至少多个焊料互连件耦合到集成器件。基板包括：至少一个电介质层；框架，该框架至少部分地位于至少一个电介质层中；和多个互连件，该多个互连件至少部分地位于至少一个电介质层中。框架可以是嵌入式框...
    2026-03-29
  • 基板具有阶梯构型以容纳至少两种不同的焊球大小的集成电路器件
    基板具有阶梯构型以容纳至少两种不同的焊球大小的集成电路器件_高通股份有限公司_202480053439.2
    一种集成电路(IC)器件包括基板。基板包括具有阶梯构型的第一侧，该阶梯构型具有相对于第二表面升高的第一表面。第一表面包括第一阻焊剂开口(SRO)，并且第二表面包括第二SRO。IC器件包括电连接到第一SRO中的第一组接触件的第一组焊球。第一组...
    2026-03-29
  • 半导体模块的制造方法、半导体模块
    半导体模块的制造方法、半导体模块_安斯泰莫株式会社_202380101553.3
    本发明的半导体模块的制造方法中，该半导体模块包括：接合多个半导体元件的第1导体板；与所述第1导体板相邻地配置，使得彼此的侧面彼此相对的第2导体板；以及对所述半导体元件、所述第1导体板和所述第2导体板进行模塑密封的密封构件，形成具有沿排列所述...
    2026-03-29
  • 用于将第一衬底与第二衬底键合的方法、用于键合的设备和由第一衬底和第二衬底构成的装置
    用于将第一衬底与第二衬底键合的方法、用于键合的设备和由第一衬底和第二衬底构成的装置_EV集团E·索尔纳有限责任公司_202380101419.3
    一种用于将第一衬底(2u)与第二衬底(2o)键合的方法，其中第一衬底(2u)具有初级部段，并且第二衬底(2o)具有次级部段，其中在将第一衬底(2u)与第二衬底(2o)键合时，在第一子部段与第二子部段之间形成沿着键合方向前进的键合波(10)，...
    2026-03-29
  • 包括再分布裸片的层叠封装器件
    包括再分布裸片的层叠封装器件_高通股份有限公司_202480052479.5
    一种器件包括：底部衬底，该底部衬底包括第一导体；顶部衬底，该顶部衬底包括第二导体；和第一裸片，该第一裸片设置在底部衬底和顶部衬底之间。第一裸片包括电路和电连接到电路和第一导体的第一接触件。器件还包括设置在与第一裸片相邻的底部衬底和顶部衬底之...
    2026-03-29
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