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最新专利技术
  • 于低温下蚀刻含碳特征的方法
    于低温下蚀刻含碳特征的方法_应用材料公司_202480052871.X
    示例性半导体处理方法可包括向半导体处理腔室的处理区域提供含氧前驱物和含硫前驱物。基板可容纳在处理区域中。含碳材料层可安置在基板上。所述方法可包括形成含氧前驱物和含硫前驱物的等离子体流出物。所述方法可包括使基板与含氧前驱物和含硫前驱物的等离子...
    2026-03-26
  • 反应副产物捕集装置
    反应副产物捕集装置_MMT株式会社_202580003676.2
    本发明提供一种反应副产物捕集装置。根据本发明的一方面的反应副产物捕集装置，所述反应副产物捕集装置从作为半导体工艺的反应副产物的废气中捕集粉末，包括：粉末捕集部，从所述废气中析出所述粉末，并且使析出的所述粉末分离并脱落；粉末输送部，设置在所述...
    2026-03-26
  • 用于基板的存储和/或运输的容器
    用于基板的存储和/或运输的容器_布鲁克斯自动化(德国)有限公司_202480052281.7
    本发明涉及一种容器(100)，被配置用于且适于存储和/或运输基板，设有气缸‑活塞机构(200)，该气缸‑活塞机构包括可在气缸(220)内往复移动的活塞(210)，气缸‑活塞机构被配置为且适于通过将基板与附接到活塞(210)的接合构件(210...
    2026-03-26
  • 用于向容器中前方进行气体输送的方法及装置
    用于向容器中前方进行气体输送的方法及装置_恩特格里斯公司_202480053707.0
    本发明涉及一种衬底容器，其包含壳体、连接器及气体分配装置。所述连接器连接到设置在所述壳体的侧壁上的开口，其中所述连接器包含具有入口及出口的基座部分以及具有第一端及第二端的连接器本体。所述连接器本体的所述第一端与所述基座部分的所述出口可旋转地...
    2026-03-26
  • 基板搬运机器人以及基板搬运机器人的控制方法
    基板搬运机器人以及基板搬运机器人的控制方法_川崎重工业株式会社_202480051455.8
    本发明的基板搬运机器人(100)具备：接触传感器(41、42以及43)，在基板或检测治具相对于基板载置部的搬运动作中，检测基板或检测治具与基板保持手的接触状态；倾斜度调整机构(30)，调整基板保持手的倾斜度；以及控制部(50)，基于来自接触...
    2026-03-26
  • 高压基板处理装置
    高压基板处理装置_株式会社HPSP_202480051803.1
    本发明公开高压基板处理装置。所述高压基板处理装置包括内部腔室、外部腔室以及紧固模块。所述内部腔室形成为容纳待处理基板和以高于大气压的第一压力供应的反应气体。所述外部腔室包括外部壳体、外部门以及外部密封材料。所述外部壳体容纳所述内部腔室。所述...
    2026-03-26
  • 基板处理设备及吸盘
    基板处理设备及吸盘_PSK有限公司_202480051502.9
    提供一种基板处理设备包括：腔室，具有处理空间；吸盘，在处理空间中支撑基板，并用作下部电极；气体供应单元，向处理空间供应工艺气体；喷淋头，配置于基板上部，形成有供工艺气体流动的喷射孔，并用作上部电极；电源单元，向吸盘和喷淋头施加电力，以在处理...
    2026-03-26
  • 具有层状电介质的半导体装置
    具有层状电介质的半导体装置_美光科技公司_202480052721.9
    公开一种具有层状电介质的半导体装置组合件。所述半导体装置组合件包含第一半导体裸片及与所述第一半导体裸片耦合的第二半导体裸片。所述第二半导体裸片至少部分由安置在所述第一半导体裸片处的拉伸电介质及压缩电介质包围。所述拉伸电介质经配置以在上表面处...
    2026-03-26
  • 半导体装置及其制造方法
    半导体装置及其制造方法_三菱电机株式会社_202380100809.9
    本公开的半导体装置具备：电路基板(2)；熔点为300℃以上的接合层(3)，形成于电路基板上，接合层包括熔点为300℃以上的金属粒子结合而成的具有网眼状的构造的金属粒子烧结体(4)、以及由熔点为100℃以上且300℃以下的低熔点金属和元素与所...
    2026-03-26
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