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最新专利技术
  • 半导体刚性芯片级封装及其制造方法
    半导体刚性芯片级封装及其制造方法_万国半导体国际有限合伙公司_202411275246.X
    一种半导体封装，包括：半导体基板，具有正面和与半导体基板正面相对的背面；多个接触垫，附接至半导体基板正面；第一厚金属层，具有正面和与第一厚金属层正面相对的背面，第一厚金属层的正面通过一种子层附接至半导体基板的背面；以及第二厚金属层，具有正面...
    2026-03-25
  • 用于形成电子器件的方法和设备
    用于形成电子器件的方法和设备_JCET星科金朋韩国有限公司_202411270472.9
    本申请提供了一种用于形成电子器件的方法和设备。所述方法包括：提供衬底；经由焊膏将至少一个电子元件放置在所述衬底上；向所述衬底和所述焊膏提供惰性气氛，其中，所述惰性气氛与空气气氛相比具有更小的氧气分压；以及在所述惰性气氛内通过加热工艺对所述焊...
    2026-03-25
  • 用于在基座上烧结结构的系统和方法
    用于在基座上烧结结构的系统和方法_益纳利科技私人有限公司_202510475609.2
    本发明提供一种用于在基座(10)上烧结一个或多个结构的系统和方法。所述系统包括至少一个烧结单元(50)，被配置成烧结基座(10)上的结构。更具体地，烧结单元(50)将对基座(10)上的结构施加力并提供热量以使结构烧结，其中，板(521)被设...
    2026-03-25
  • 包括连接端子的半导体封装件
    包括连接端子的半导体封装件_三星电子株式会社_202510586425.3
    一种半导体封装件包括：基体芯片；多个存储器芯片，设置在基体芯片上；密封构件，设置在基体芯片上，并且靠近所述多个存储器芯片的侧表面；以及多个连接端子，设置在基体芯片的与所述多个存储器芯片相对的底表面上，其中，基体芯片的底表面包括第一区域和设置...
    2026-03-25
  • 多层电子装置封装
    多层电子装置封装_德州仪器公司_202511143720.8
    本公开涉及一种多层电子装置封装。一种电子装置(100)包含裸片(110)、接地裸片附接衬垫(104)和电力供应裸片附接衬垫(106)。线接合件(112)将接地网从所述裸片(110)连接到所述接地裸片附接衬垫(104)。额外线接合件(112)...
    2026-03-25
  • 使用环氧树脂-焊锡膏进行制造的半导体器件和方法
    使用环氧树脂-焊锡膏进行制造的半导体器件和方法_JCET星科金朋韩国有限公司_202511215822.6
    一种半导体器件具有衬底。衬底设置在石英载体上。电部件设置在与石英载体相对的衬底上方。环氧树脂‑焊锡膏凸块设置在衬底和电部件之间。环氧树脂‑焊锡膏凸块包括环氧树脂和设置在环氧树脂中的焊料粉末。激光能量通过石英载体施加到衬底的表面。激光能量被转...
    2026-03-25
  • 键合银丝弧形轨迹精确控制方法及系统
    键合银丝弧形轨迹精确控制方法及系统_深圳中宝集团有限公司_202511616670.0
    本发明公开了键合银丝弧形轨迹精确控制方法及系统，涉及引线键合工艺控制技术领域，包括，对键合前的银丝进行扫描，获取晶界移动系数、局部应力和剪切模量，通过X射线衍射分析计算晶格滑移概率，生成预调参数指令集；根据预调参数指令集中的压力调整量和弧高...
    2026-03-25
  • 一种加强金丝键合质量可靠性的键合方法
    一种加强金丝键合质量可靠性的键合方法_贵州振华风光半导体股份有限公司_202511647882.5
    一种加强金丝键合质量可靠性的键合方法，属于半导体厚膜混合集成电路封装技术领域。所述键合方法为：(1)先在厚膜金导带上预植金球，加大键合点与金导带的接触面积以及键合强度；(2)在月牙上进行安全球键合，将月牙紧紧夹在两个金球中间，形成汉堡包球键...
    2026-03-25
  • 功率半导体芯片晶圆上金属层的制备方法与应用
    功率半导体芯片晶圆上金属层的制备方法与应用_深圳市先进连接科技有限公司_202511687778.9
    本发明公开了一种功率半导体芯片晶圆上金属层的制备方法与应用，涉及功率半导体连接技术领域，其中，功率半导体芯片晶圆上金属层的制备方法包括：提供金属烧结材料、金属片和隔离材料，金属片的尺寸与所述功率半导体芯片晶圆上的功率半导体芯片顶部电极的尺寸...
    2026-03-25
  • 一种铜丝焊线保护方法
    一种铜丝焊线保护方法_江苏海矽美电子科技有限公司_202511727533.4
    本发明涉及一种铜丝焊线保护方法，包含步骤：S1、在键合劈刀上套装焊线保护装置；S2、伸出铜导线，焊线保护装置向键合劈刀中心喷出保护气体，在铜导线周围形成保护气体氛围；S3、对铜导线头部打火使其熔化成球状；S4、键合劈刀移动至芯片焊点位置上方...
    2026-03-25
  • 一种预制式铜柱互连阵列模块的制备方法
    一种预制式铜柱互连阵列模块的制备方法_憬宏半导体(广东横琴)有限公司_202511764359.0
    本发明公开一种预制式铜柱互连阵列模块的制备方法，涉及半导体封装领域。该预制式铜柱互连阵列模块的制备方法，包括以下步骤：铜柱预制、模块组装、编带贴装与回流焊以及底座移除。该预制式铜柱互连阵列模块的制备方法，采用预制实体铜柱以及植柱机高精度阵列...
    2026-03-25
  • 一种用于辅助陶瓷柱栅阵列封装植柱的装置及其制造方法
    一种用于辅助陶瓷柱栅阵列封装植柱的装置及其制造方法_哈尔滨工业大学_202511770217.5
    本发明提出一种用于辅助陶瓷柱栅阵列封装植柱的装置及其制造方法，涉及微电子封装制造与装配领域，以解决现有植柱装置树脂件高温易变形、金属件与陶瓷热膨胀不匹配易生应力翘曲、焊柱定位精度与垂直度不足、多规格芯片通用性差，难以兼顾高温稳定性与微米级定...
    2026-03-25
  • 一种SiC衬底功率芯片封装焊接方法及在线压力烧结炉
    一种SiC衬底功率芯片封装焊接方法及在线压力烧结炉_北京中科同志科技股份有限公司_202511847633.0
    本发明涉及芯片封装技术领域，提供一种SiC衬底功率芯片封装焊接方法及在线压力烧结炉。SiC衬底功率芯片封装焊接方法包括：SiC衬底功率半导体工件及治具进入等离子清洗区，执行等离子清洗步骤；SiC衬底功率半导体工件及治具进入甲酸清洗区，执行甲...
    2026-03-25
  • 表贴类扁平封装外壳引线无损整形夹具
    表贴类扁平封装外壳引线无损整形夹具_中国电子科技集团公司第十三研究所_202511854963.2
    本发明提供了一种表贴类扁平封装外壳引线无损整形夹具，属于扁平类封装外壳引线整形技术领域，包括：基座以及翻转压盖，基座设置有用于放置封装外壳的容置槽；翻转压盖包括翻转外壳、滑动压块以及调整转盘；翻转外壳通过第一转轴转动安装于基座上，翻转外壳内...
    2026-03-25
  • 一种芯片引线键合动态定位方法
    一种芯片引线键合动态定位方法_贵州亚芯微电子有限公司_202511878600.2
    本发明涉及半导体封装与电子制造技术领域，尤其涉及一种芯片引线键合动态定位方法，包括：对芯片焊盘及其周围区域进行多物理场信息采集，包括声学、阻抗、偏振光和热扩散模态，并基于采集的多模态信息构建焊盘深层结构基准点；依据所述基准点建立焊盘非线性漂...
    2026-03-25
  • 功率模块的封装方法
    功率模块的封装方法_重庆奕能科技有限公司_202511936289.2
    本申请公开了一种功率模块的封装方法，包括：提供第二基板，所述第二基板上安装有半导体芯片；提供转接板；将焊球置于所述第二基板和所述转接板之间；焊接所述第二基板与所述转接板，使所述半导体芯片和所述第二基板与所述转接板电连接。本申请通过转接板实现...
    2026-03-25
  • 基于研磨暴露线弧的芯片三维互连封装方法
    基于研磨暴露线弧的芯片三维互连封装方法_宏茂微电子(上海)有限公司_202511937788.3
    本发明涉及半导体加工技术领域，具体地说是一种基于研磨暴露线弧的芯片三维互连封装方法，将至少两颗芯片固定于基板上，芯片之间设有固定间距，在基板和芯片上分别形成高于芯片表面的U形金属线弧；采用低应力环氧模塑料对芯片、基板、U形金属线弧进行塑封后...
    2026-03-25
  • 一种用于芯片封装的超声辅助热压烧结装置
    一种用于芯片封装的超声辅助热压烧结装置_哈尔滨理工大学_202511951135.0
    本发明提出了一种用于芯片封装的超声辅助热压烧结装置及其烧结方法，属于半导体封装制造领域。解决传统芯片封装方法中因高烧结温度和压力而容易导致芯片热应力损伤、机械应力隐裂以及铜颗粒氧化层阻碍致密化的问题。包括机架、总控制箱、伺服电机机构、压力施...
    2026-03-25
  • 一种超声场辅助的芯片封装低温热压烧结方法
    一种超声场辅助的芯片封装低温热压烧结方法_哈尔滨理工大学_202511951142.0
    本发明提出了一种超声场辅助的芯片封装低温热压烧结方法，属于半导体封装制造领域。解决传统热压烧结因高温高压易损伤芯片且对易氧化材料烧结效果不佳的问题。所述方法包括在待连接工件间涂敷烧结浆料，启动热压烧结装置的加热装置，将形成预制烧结层的工件转...
    2026-03-25
  • 一种键合结构及其制备方法
    一种键合结构及其制备方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202610180499.1
    本申请公开了一种键合结构及其制备方法，键合结构包括第一导电层；位于所述第一导电层上的介质叠层；以及位于介质叠层中的第二导电层；其中，所述第二导电层包括第一部分和第二部分，所述第一部分和所述第二部分的顶部连接在一起，所述第一部分的顶部表面、所...
    2026-03-25
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