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最新专利技术
  • 半导体装置
    半导体装置_株式会社东芝_202411817670.2
    本发明的实施方式涉及半导体装置。根据实施方式，半导体装置包括半导体层和二极管。半导体层包括设置有半导体元件的元件区域以及沿着第一面位于元件区域的周围的外周区域。二极管隔着绝缘层设置于外周区域之上，含有多晶硅。二极管包括第一导电型的第一半导体...
    2026-03-20
  • 半导体装置
    半导体装置_三星电子株式会社_202510697981.8
    一种半导体装置包括：基底；双向晶体管、以及电连接到双向晶体管的多个二极管元件，并且双向晶体管包括主沟道层、主势垒层、第一栅电极和第二栅电极、主势垒层与第一栅电极之间的第一栅极半导体层、主势垒层与第二栅电极之间的第二栅极半导体层、第一栅电极与...
    2026-03-20
  • 半导体装置
    半导体装置_三菱电机株式会社_202511190290.5
    本发明得到即使较高的电压施加到N型高电位区域也能进行调整以使得二极管的阴极电压成为适当电压的半导体装置。半导体装置(51)包括选择性设置在N型高耐压分离区域(2)的上层部的N型半导体区域(21和22)、及选择性设置在N型高耐压分离区域(2)...
    2026-03-20
  • 半导体装置
    半导体装置_三垦电气株式会社_202511207177.3
    提供半导体装置，其具备：n型的第一半导体区域(11)，其形成在p型的半导体基板(10)的表面侧，成为流过开关元件和保护元件的电流的共同的路径；n型的公共接触区域(12)，其以高杂质浓度形成在第一半导体区域之上，与兼作第一主电极和保护元件侧第...
    2026-03-20
  • 半导体器件
    半导体器件_三星电子株式会社_202510433930.4
    示例半导体器件可以包括：彼此交叠的第一半导体图案和第二半导体图案；栅电极，所述栅电极包括位于所述第一半导体图案和所述第二半导体图案之间的电极部分；内间隔物，所述内间隔物接触所述第一半导体图案的顶表面和所述第二半导体图案的底表面；二维层，所述...
    2026-03-20
  • 集成电路装置
    集成电路装置_三星电子株式会社_202511081667.3
    一种集成电路装置包括：有源区域，其在衬底上在第一方向上纵向地延伸；栅极结构，其包括在有源区域上在与第一方向垂直的第二方向上纵向地延伸的栅极线、高电介质层和界面电介质层；纳米片，其布置在有源区域的鳍上表面上并且接触栅极结构；源极/漏极区域，其...
    2026-03-20
  • 具有混合架构的自对准栅极切口
    具有混合架构的自对准栅极切口_英特尔公司_202511107616.3
    本文涉及一种具有混合架构的自对准栅极切口。本文提供了用于形成半导体器件的技术，该半导体器件包括在相邻器件之间具有混合架构的一个或多个自对准栅极切口。在示例中，半导体器件包括围绕或以其它方式在半导体区域(也称为沟道区域)上的栅极结构。栅极结构...
    2026-03-20
  • 半导体结构及其制造方法
    半导体结构及其制造方法_世界先进积体电路股份有限公司_202411185263.4
    本发明公开了一种半导体结构及其制造方法，该半导体结构包括一衬底、位于衬底上方的一外延层、位于衬底中或外延层中的一隔离层、以及在外延层中向下延伸并与前述隔离层连接的深沟槽隔离件。隔离层位于半导体结构的第二区域中，但不延伸至半导体结构的第一区域...
    2026-03-20
  • 集成电路及其形成方法
    集成电路及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202510146290.9
    集成电路包括第一有源区域组以及第一栅极组和第二栅极组。第一有源区域组在第一方向上延伸，并且位于第一层级上。第一有源区域组对应于第一晶体管。第二栅极组在第二方向上延伸，位于第二层级上，并且与第一有源区域组重叠。第一栅极组对应于第一晶体管。第一...
    2026-03-20
  • 半导体器件及其制造方法
    半导体器件及其制造方法_三星电子株式会社_202510408789.2
    一种半导体器件可以包括：衬底，包括第一阱区，第一阱区包括第一导电类型的杂质；第一有源图案，在第一阱区上并且在与衬底的顶表面平行的第一方向上彼此间隔开；第二有源图案，在第一阱区上并且在第一方向上彼此间隔开；源/漏图案，在第一有源图案上，源/漏...
    2026-03-20
  • 包括垂直布置的晶体管的半导体装置
    包括垂直布置的晶体管的半导体装置_三星电子株式会社_202510629414.9
    半导体装置包括第一衬底、包括第一下部图案和多个第一片图案的第一有源图案、围绕多个第一片图案的第一栅极结构、设置在第一栅极结构和多个第一片图案之间的第一高k绝缘膜、设置在多个第一片图案和第一高k绝缘膜之间的第一栅极绝缘膜、多个第二片图案、围绕...
    2026-03-20
  • 半导体装置
    半导体装置_联发科技股份有限公司_202510816800.9
    本发明公开一种半导体装置，包括：基板；第一阱，具有第一导电类型；第二阱，设置在该基板中并被该第一阱环绕，具有第二导电类型；具有第一导电类型的第一掺杂区和具有第二导电类型的第二掺杂区，设置在该第一阱中；第三掺杂区，设置在该第二阱中，具有第二导...
    2026-03-20
  • 半导体器件
    半导体器件_三星电子株式会社_202511159589.4
    提供了一种半导体器件，该半导体器件包括：第一晶体管结构，包括第一n型场效应晶体管NFET和在其垂直上方的第一p型场效应晶体管PFET，第一NFET具有比第一PFET更大的沟道宽度；以及第二晶体管结构，包括第二PFET和在其垂直上方的第二NF...
    2026-03-20
  • 互补型反向器及其制备方法、电子设备
    互补型反向器及其制备方法、电子设备_清华大学_202511799382.3
    本申请提供了一种互补型反向器及其制备方法、电子设备，涉及半导体技术领域，旨在提高互补型反向器的互联密度，并且降低互补型反向器的静态功耗。该互补型反向器包括电连接的N型氧化物晶体管和P型氧化物晶体管。互补型反向器还包括衬底。衬底中设置有贯穿的...
    2026-03-20
  • 一种半导体器件
    一种半导体器件_武汉新芯集成电路股份有限公司_202511715230.0
    本发明公开了半导体器件，包括衬底，衬底包括有源区，衬底上设置有多个彼此间隔且不连接的栅极线；栅极连接层，设置在衬底之上，栅极连接层与多个栅极线连接，其中，栅极连接层位于有源区外围上方，且断开设置。即本申请中，多个栅极线彼此间隔且不连接，栅极...
    2026-03-20
  • 半导体装置、显示装置及半导体装置的制造方法
    半导体装置、显示装置及半导体装置的制造方法_株式会社日本显示器_202511095252.1
    本发明涉及半导体装置、显示装置及半导体装置的制造方法。抑制使用了氧化物半导体的半导体装置的沟道电阻的降低。半导体装置的制造方法包括：在第1绝缘层之上形成氧化物半导体层，在上述氧化物半导体层之上形成第2绝缘层，在上述第2绝缘层之上形成导电层，...
    2026-03-20
  • 半导体装置及其制造方法
    半导体装置及其制造方法_隽佾科技股份有限公司_202510934781.X
    一种半导体装置及其制造方法，半导体装置包含多个晶粒、保护层、多个栅极金属层、多个源极金属层及漏极金属层。各晶粒包含栅极接点、源极接点及漏极接点，漏极接点设置于晶粒的背面。多个栅极开口个别地对应于各晶粒的栅极接点，多个源极开口个别地对应于各晶...
    2026-03-20
  • 阵列基板、显示面板、显示装置及滤光结构的检测方法
    阵列基板、显示面板、显示装置及滤光结构的检测方法_上海中航光电子有限公司_202512060983.9
    本申请公开了阵列基板、显示面板、显示装置及滤光结构的检测方法，阵列基板包括衬底、发光功能层和滤光层，滤光层包括滤光结构；发光功能层包括沿第一方向排列、沿第二方向延伸的多个像素列和多条数据信号线；至少一条数据信号线与两个像素列中的子像素电连接...
    2026-03-20
  • 具有金属层内电容的芯片
    具有金属层内电容的芯片_上海华力集成电路制造有限公司_202411180355.3
    本发明公开了一种具有金属层内电容的芯片，其包括至少二个具有同样功能和同样电容值要求的金属电容区域；每一个金属电容区域，在衬底有源区上由下到上依次形成有栅氧化层、栅极金属层、高阻层及电容金属层；有源区、栅氧化层、栅极金属层的竖向投影位于高阻层...
    2026-03-20
  • 发光显示装置
    发光显示装置_乐金显示有限公司_202511051053.0
    发光显示装置包括：基板，其包括显示区域，在显示区域中子像素沿着行线和列线布置；发光二极管，其在子像素中并且包括阳极电极、阳极电极上的发光层和发光层上的阴极电极；测试晶体管，其在行线中并且包括连接至行线中的相邻子像素中的一者的阳极电极的源极电...
    2026-03-20
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