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最新专利技术
  • 一种机械式定量灌装装置
    一种机械式定量灌装装置_江苏新美星包装机械股份有限公司_202511440149.6
    本发明公开了一种机械式定量灌装装置，包括依次连接的负压室、支座和阀体、可升降地设于支座中的驱动杆、连接在驱动杆下端的阀门杆、设于阀体中的第一弹性件、开设于阀体侧部的进液口、开设于阀体底部且具有缩径段的出液口、上端穿设于阀体中的液位调整管、设...
    2026-03-04
  • 一种甲醇车对船自动加注泵橇设备
    一种甲醇车对船自动加注泵橇设备_江苏中燃油品储运有限公司_202511843659.8
    本发明公开了一种甲醇车对船自动加注泵橇设备，包括两台加注泵、卸料支管、气相管路、真空排气系统和氮气系统。本发明通过泵、阀门、液位监测、压力监测、气相管路、液相管路和真空排气系统等设置和优化，配合自动控制技术，实现了自动化加注技术和全封闭加注...
    2026-03-04
  • 一种高粘度流体涂覆辊的循环供料及温度控制方法
    一种高粘度流体涂覆辊的循环供料及温度控制方法_江苏宝苏矿冶设备有限公司_202511786766.1
    本发明涉及流体输送与精密控制领域，公开了一种高粘度流体涂覆辊的循环供料及温度控制方法，该系统以复合热场作为唯一驱动力，其核心包括内置热响应高导热柔性复合衬里的管道、分布式热电致动单元阵列及中央控制器。控制器解算并施加一复合热场：首先，利用纵...
    2026-03-04
  • 一种用于超声波收发器空腔形成的止动条结构及封装方法
    一种用于超声波收发器空腔形成的止动条结构及封装方法_北京紫亦芯集成电路有限公司_202511667814.5
    本发明公开了一种用于超声波收发器空腔形成的止动条结构及封装方法，属于微机电系统(MEMS)封装技术领域，所述止动条结构设置于芯片表面空腔区域外围，用于在模塑工艺中阻挡模塑材料流入空腔区域，其中，所述止动条采用合围呈内外至少两圈的布局方式，且...
    2026-03-04
  • 硅纳米管阵列制备方法及硅纳米管阵列
    硅纳米管阵列制备方法及硅纳米管阵列_浙江富西光电制造有限公司_202511345698.5
    本发明涉及一种硅纳米管阵列制备方法，包括：提供硅衬底，在所述硅衬底表面制备纳米管阵列图形，利用Bosh工艺进行深硅刻蚀，形成硅纳米管阵列。其中，所述利用Bosh工艺进行深硅刻蚀的过程中，刻蚀气体为SF66，钝化气体为C44F88，所述SF6...
    2026-03-04
  • 激光调控实现键合界面功能化制备晶圆压力传感器的方法
    激光调控实现键合界面功能化制备晶圆压力传感器的方法_武汉大学_202511622737.1
    本发明公开了一种激光调控实现键合界面功能化制备晶圆压力传感器的方法，所述制备方法包括，分别在承载晶圆和器件晶圆表面制备无机释放材料前体层和临时键合胶层，承载晶圆能够透过激光，无机释放材料前体层包含有机高分子聚合物组分，能在激光辐照下热解成导...
    2026-03-04
  • 一种微机电组件之扇出型微机电组件封装方法
    一种微机电组件之扇出型微机电组件封装方法_北京紫亦芯集成电路有限公司_202511641920.6
    本发明提供了一种微机电组件之扇出型微机电组件封装方法，属于微机电系统(MEMS)封装技术领域，涵盖选用玻璃/硅基板作芯片盖板并刻蚀腔体，精准布置MEMS芯片电性接点并密封，研磨盖板后蚀刻切割形成端盖，涂覆介电层并光刻定义图形，电镀RDL线路...
    2026-03-04
  • 半导体器件及其制造方法
    半导体器件及其制造方法_芯联集成电路制造股份有限公司_202511647250.9
    一种半导体器件及其制造方法，制造方法包括：提供盖帽基底，并在所述盖帽基底形成自所述盖帽基底的表面向内凹陷的空腔；提供待形成微机械间隙结构的器件基底，在所述器件基底的表面形成阻挡层，所述阻挡层的设置位置对应于所述微机械间隙结构中结构间隙大于预...
    2026-03-04
  • 一种高精度七电极电导率和温度同测芯片制备方法
    一种高精度七电极电导率和温度同测芯片制备方法_中国科学院海洋研究所_202511697198.8
    本发明提供了一种高精度七电极电导率和温度同测芯片制备方法，属于微纳电子器件加工、引线封装、MEMS制作及高精度测量领域，本发明的制备方法采用光刻工艺、刻蚀工艺和薄膜工艺，可以有效与CMOS工艺兼容，大批量生产，制造成本效益明显。本发明可以高...
    2026-03-04
  • 一种硅基微流道节流器的制备工艺
    一种硅基微流道节流器的制备工艺_中国电子科技集团公司第四十八研究所_202511703232.8
    本发明公开了一种硅基微流道节流器的制备工艺，包括以下步骤：S1、在晶圆上刻蚀加工硅基流道层；S2、在玻璃盖板上加工出与硅基流道的入口和出口相对应的通孔；S3、将刻蚀硅片与穿孔玻璃盖板进行定位对齐，并将硅片‑玻璃叠层进行键合；S4、在键合后的...
    2026-03-04
  • 硅基空腔结构及其形成方法
    硅基空腔结构及其形成方法_中芯集成电路(宁波)有限公司_202511724843.0
    本申请公开了一种硅基空腔结构及其形成方法，该半导体器件的制造方法包括提供一具有刻蚀窗口的硅基底；对硅基底进行预处理，以去除硅基底上的表面残留物；将预处理后的硅基底置于刻蚀腔体内进行主刻蚀阶段，在主刻蚀阶段中，仅对等离子体施加源功率，不施加偏...
    2026-03-04
  • 加速度计梳齿结构的制造方法及加速度计
    加速度计梳齿结构的制造方法及加速度计_芯联越州集成电路制造(绍兴)有限公司_202511732800.7
    本发明提供一种加速度计梳齿结构的制造方法及加速度计，包括：提供衬底；形成牺牲层，所述牺牲层覆盖所述衬底；采用干法刻蚀工艺图形化所述牺牲层，以暴露出梳齿区域；于暴露出的所述梳齿区域进行硅外延生长，以形成梳齿结构；以及，去除剩余的所述牺牲层。由...
    2026-03-04
  • 一种具有侧壁保护层的微型原子气室及其制备方法和应用
    一种具有侧壁保护层的微型原子气室及其制备方法和应用_北京铸合科技有限公司_202511742524.2
    本发明提供了一种具有侧壁保护层的微型原子气室及其制备方法和应用，属于原子器件技术领域。本发明提供的制备方法包括以下步骤：对硅基底进行光刻，对得到的涂覆光刻胶掩膜的硅基底进行深硅刻蚀，得到具有硅槽的硅基底；在所述具有硅槽的硅基底的硅槽内部填充...
    2026-03-04
  • 聚合物微流控芯片流道疏水改性的方法及其芯片
    聚合物微流控芯片流道疏水改性的方法及其芯片_北京保利微芯科技有限公司_202511786871.5
    本发明提供一种聚合物微流控芯片流道疏水改性的方法，所述方法先采用氧气和四氟化碳等离子体刻蚀所述微流控芯片表面使其粗糙化，再采用八氟环丁烷等离子体对所述微流控芯片表面进行处理使其疏水化。本发明方法解决现有方法难以同时实现芯片内外表面均匀疏水、...
    2026-03-04
  • 一种液态储氢材料及储氢工艺
    一种液态储氢材料及储氢工艺_厦门爱迪特环保科技有限公司_202610065566.5
    本申请公开了一种液态储氢材料及储氢工艺，液态储氢材料包括以下重量份的组分：A组分30‑60份，B组分40‑70份，稳定助剂0.1‑0.5份，稳定助剂包括钛酸四异丙酯和2, 6‑二叔丁基对甲酚；其中，A组分和B组分的组合为如下的任一种：A组分...
    2026-03-04
  • 由二氧化硫生产硫磺的工艺
    由二氧化硫生产硫磺的工艺_山东迅达化工集团有限公司_202610071789.2
    本发明属于硫的制备技术领域，具体涉及一种由二氧化硫生产硫磺的工艺。通过一个或多个反应装置，在160‑320℃的温度条件下，利用氢气流引入的氢气，将二氧化硫气流引入的SO22选择性还原为单质硫；各反应装置设置一个或多个串接的选择性还原反应器，...
    2026-03-04
  • 微波熔盐辅助二硫化碳-锂盐反应低温制备硫化锂的方法
    微波熔盐辅助二硫化碳-锂盐反应低温制备硫化锂的方法_山西铁峰化工有限公司_202610066527.7
    本发明涉及一种微波熔盐辅助二硫化碳‑锂盐反应低温制备硫化锂的方法，属于锂硫电池及固态电池关键材料技术领域，解决了现有的硫化锂制备过程中存在的能耗高、副产物难以抑制、纯度与晶相稳定性不足以及难以连续化放大等技术问题。包括以下步骤：步骤1、将锂...
    2026-03-04
  • 一种制备高纯硫化锂的方法及安全球磨系统
    一种制备高纯硫化锂的方法及安全球磨系统_青岛华商中科新能源科技有限公司_202511999543.3
    本申请公开了一种制备高纯硫化锂的方法及安全球磨系统，方法包括以下步骤：S1：按氢化锂与硫粉的摩尔比为(2‑2.2) : 1进行配料，由此，采用分批静置的作业模式，可有效规避设备因长时间连续运行引发的热积累与过热损耗问题，降低设备故障发生率，...
    2026-03-04
  • 一种二维闪锌矿结构Zn1-yCdySe纳米片及其制备方法和应用
    一种二维闪锌矿结构Zn1-yCdySe纳米片及其制备方法和应用_安徽师范大学_202511396638.6
    本发明涉及纳米材料技术领域，具体地，涉及一种二维闪锌矿结构Zn1‑y1‑yCdyySe纳米片及其制备方法和应用。所述制备方法包括以下步骤：1)在保护气存在的条件下，将一价铜源溶液与CuSe纳米片溶液反应，制得立方相Cu2‑x2‑xSe纳米片...
    2026-03-04
  • 一种纳米硒粒子的制备方法及应用
    一种纳米硒粒子的制备方法及应用_山西一根火柴农业发展有限公司_202511478567.4
    本发明公开一种纳米硒粒子的制备方法，包括：S1，制备用于为纳米硒粒子的合成提供酸性反应环境并作为稳定剂和形貌调控剂的木醋液发酵提取液；S2，基于制备的所述木醋液发酵提取液，与抗坏血酸、亚硒酸钠、羧甲基纤维素钠和半胱氨酸进行复配，在多组分协同...
    2026-03-04
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