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最新专利技术
  • 一种具有多段式加热结构的单晶炉
    一种具有多段式加热结构的单晶炉_连城凯克斯科技有限公司_202511482921.0
    本发明属于单晶炉技术领域，具体的说是一种具有多段式加热结构的单晶炉，包括控制装置，控制装置的一侧固定有炉体，控制装置的顶端安装有支撑架，支撑架靠近炉体的一侧通过升降装置连接有拉晶组件，拉晶组件的内部设置有第一升降杆，第一升降杆的底端固定有夹...
    2026-04-21
  • 一种超导磁控单晶炉
    一种超导磁控单晶炉_连城凯克斯科技有限公司_202511482922.5
    本发明属于单晶炉技术领域，具体地说是一种超导磁控单晶炉，包括支撑架；所述支撑架内部的底部固连有底座；所述底座的两侧均固连有刚性链条输出器；两个所述刚性链条输出器的输出端共同固连有下炉体；所述支撑架顶面于下炉体的外侧安装有超导磁环；所述支撑架...
    2026-04-21
  • 一种具有预热结构的单晶炉加料机
    一种具有预热结构的单晶炉加料机_连城凯克斯科技有限公司_202511482919.3
    本发明属于单晶炉技术领域，具体的说是一种具有预热结构的单晶炉加料机，包括存储料箱、预热料箱及分料管；所述存储料箱与预热料箱连通，所述分料管设置两个，且分别连通在预热料箱底部；所述预热料箱的外壁固接有加热盘；通过伺服电机偏转带动转轴偏转，再利...
    2026-04-21
  • 一种直拉单晶硅热场及单晶炉结构
    一种直拉单晶硅热场及单晶炉结构_世纪辰星科技(南通)有限公司_202511715090.7
    本发明公开了一种直拉单晶硅热场及单晶炉结构，所述热场包括加热器组件，中上保温及支撑组件，下保温及坩埚支撑组件，水冷隔热组件，所述加热器组件固定于炉盖上。本发明的热场结构，改变了现有热场各组件安置在炉底板上的结构形式，其中热场的保温及热场支撑...
    2026-04-21
  • 一种直拉单晶炉自动放置液口距的方法
    一种直拉单晶炉自动放置液口距的方法_乐山市京运通新材料科技有限公司_202511599519.0
    本发明公开了一种直拉单晶炉自动放置液口距的方法，根据当前加料次数坩埚内的装料量以及前一次装料量计算坩埚内硅液的液面高度差，计算坩埚当前需下降到的下限位置；当检测到坩埚下降至下限位置时，触发水冷屏按照递减速度下降至与导流筒上的内导支撑环相互接...
    2026-04-21
  • 一种提高等径头部直径合格率的方法
    一种提高等径头部直径合格率的方法_宜宾英发德坤科技有限公司_202511751079.6
    本发明涉及单晶硅棒拉制工艺技术领域，具体公开一种提高等径头部直径合格率的方法，旨在解决现有单晶硅棒拉制中“固定转肩直径”工艺导致的等径头部直径波动大、合格率低、断线率高及单产不足的技术瓶颈。本发明通过实时监测放肩后期直径增长速率→动态计算转...
    2026-04-21
  • 一种用于硅部件的环形硅棒生长方法
    一种用于硅部件的环形硅棒生长方法_宁波硅宁半导体材料有限公司_202511715947.5
    本发明公开了一种用于硅部件的环形硅棒生长方法，该方法采用环形籽晶，在单晶炉内依次执行以下步骤：装料熔化硅料；将环形籽晶固定于籽晶绳并下降与熔融硅液熔接；直接进行等径生长形成环形硅棒；生长完成后通过副室取出；更换环形籽晶或补充硅料后，在同一炉...
    2026-04-21
  • 一种碳化硅晶体生长方法及装置
    一种碳化硅晶体生长方法及装置_北京天科合达半导体股份有限公司_202511995591.5
    本申请公开了一种碳化硅晶体生长方法及装置，涉及晶体生长领域，碳化硅晶体生长装置包括：坩埚、盖板、扩径环和导流组件。坩埚具有用于盛放碳化硅原料的腔体，腔体的顶部具有开口；盖板用于覆盖开口；盖板的内表面用于固定碳化硅籽晶；扩径环固定于腔体的侧壁...
    2026-04-21
  • 一种降低碳化硅单晶中硅包裹物缺陷的方法
    一种降低碳化硅单晶中硅包裹物缺陷的方法_北京天科合达半导体股份有限公司_202511995593.4
    本发明提供了一种降低碳化硅单晶中硅包裹物缺陷的方法，在碳化硅粉料生长碳化硅晶体之前，进行以下预处理：A)在真空条件和保护性气氛下，将碳化硅粉料进行微波烧结；微波烧结包括第一阶段、第二阶段和第三阶段；第一阶段以微波功率P1将碳化硅粉料从室温加...
    2026-04-21
  • 源炉的控制方法和装置
    源炉的控制方法和装置_苏州信越半导体有限公司_202511614893.3
    本发明公开了一种源炉的控制方法和装置。该源炉的控制方法包括：在坩埚升温过程中，控制端部升温至第一预设温度；控制基部升温至第二预设温度，第二预设温度小于第一预设温度。通过在坩埚的升温过程中，先控制端部升温至第一预设温度，在源材料具有粘附特性时...
    2026-04-21
  • 一种清除高温化学气相法沉积附着物的方法及长晶设备
    一种清除高温化学气相法沉积附着物的方法及长晶设备_江苏超芯星半导体有限公司_202511588929.5
    本发明提供一种清除高温化学气相法沉积附着物的方法及长晶设备，通过在长晶设备的轴向方向上，籽晶托以上位置，所有生长腔室的内壁通过石墨胶粘结石墨纸，使得长晶过程中产生的SiC晶体沉积物直接附着在石墨纸，后期清理沉积物时直接将石墨纸清除即可，石墨...
    2026-04-21
  • 高质量黑磷晶体连续制备系统及用其制备黑磷晶体的方法
    高质量黑磷晶体连续制备系统及用其制备黑磷晶体的方法_四川攀西碲铋产业技术研究院有限责任公司_202511659999.5
    本发明公开了一种高质量黑磷晶体连续制备系统，包括原料预热活化机构、中间体原位生成机构和晶体生长机构，原料预热活化机构的金属源原料供给机构出口通过管道与中间体原位生成机构的顶部相连，磷源原料供给机构的出口通过两根管道分别与中间体原位生成机构的...
    2026-04-21
  • 一种均匀高质量多组分半导体薄膜雾化学气相沉积装置
    一种均匀高质量多组分半导体薄膜雾化学气相沉积装置_天津工业大学_202610031248.7
    本发明公开了一种均匀高质量多组分半导体薄膜雾化学气相沉积装置，包括雾化装置、反应腔、加热装置、多孔型双层结构输运装置、运动密封装置、衬底夹持装置和尾气处理装置；多孔型双层结构输运装置用于实现对各组分反应原料的输运，包括外层输运通道、外层输运...
    2026-04-21
  • 外延片的制备方法和外延片
    外延片的制备方法和外延片_埃特曼半导体技术有限公司_202511326264.0
    本申请实施例涉及一种外延片的制备方法和外延片，制备方法包括：提供第一金属氮化物层，第一金属氮化物层的材料组分包括第一金属原子；执行分子束外延生长工艺，在第一生长条件下通入第二金属源，第二金属原子被吸附至第一金属氮化物层上，形成一层第二金属单...
    2026-04-21
  • 一种外延硅晶圆及其制备方法
    一种外延硅晶圆及其制备方法_西安奕斯伟材料科技股份有限公司_202511372934.2
    本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种外延硅晶圆的制备方法以及由该外延硅晶圆的制备方法制得的外延硅晶圆。包括：S1：在温度为W1的反应腔室中对硅晶圆进行热处理获得硅晶圆外延衬底；S2：将硅晶圆外延衬底与成膜气体进行接触，在硅晶圆外延衬底表面...
    2026-04-21
  • 一种基于多孔AlN上生长的AlGaN及其制备方法
    一种基于多孔AlN上生长的AlGaN及其制备方法_北京中博芯半导体科技有限公司_202511396713.9
    本申请涉及一种基于多孔AlN上生长的AlGaN及其制备方法，属于半导体技术领域。该制备方法，包括以下步骤：步骤1、提供蓝宝石基AlN衬底；步骤2、准备碱性熔融液，将衬底完全浸入碱性熔融液中进行腐蚀，然后取出清洗并烘干，得到蓝宝石基AlN衬底...
    2026-04-21
  • 碳化硅外延层及其制备方法
    碳化硅外延层及其制备方法_中科汇珠(广州)半导体有限公司_202511537059.9
    本申请涉及碳化硅外延层及其制备方法。碳化硅外延层的制备方法包括：在衬底上形成第一掺杂类型外延层以及第二缓冲层；去除第二缓冲层；在第一掺杂类型外延层的表面上形成阻挡层；在阻挡层的表面上形成第二掺杂类型外延层。上述制备方法在形成第一掺杂类型外延...
    2026-04-21
  • 金刚石中优先取向NV色心系综的生长方法
    金刚石中优先取向NV色心系综的生长方法_郑州大学_202511399774.0
    本申请提出了金刚石中优先取向NV色心系综的快速生长方法，包括选用单晶金刚石作为衬底，并将其表面抛光后清洗、干燥；将处理后的衬底放入微波等离子体化学气相沉积系统的样品台上进行预处理，包括去除衬底上残留气体，以及进行氢气等离子体刻蚀以活化衬底表...
    2026-04-21
  • 一种降低N型单晶硅棒轴向电阻率衰减的方法
    一种降低N型单晶硅棒轴向电阻率衰减的方法_宁夏中晶半导体材料有限公司_202511479185.3
    本申请涉及单晶硅棒的拉晶方法技术领域，尤其涉及一种降低N型单晶硅棒轴向电阻率衰减的方法，包括准备工作、稳定、引晶、放肩、转肩、等径和收尾阶段；吸附工装放置在导流筒内壁上，离熔硅液面近，且表面设计小孔，增加其表面积，提高环境中磷原子吸附率；通...
    2026-04-21
  • 自清洁单晶炉观察窗结构
    自清洁单晶炉观察窗结构_葫芦岛迪源新材料有限公司_202511781686.7
    本发明公开一种自清洁单晶炉观察窗结构，属于单晶炉技术领域；包括由上、下壳体组成的壳体，壳体内设带多组可视石英片的旋转可视片，可视片下方设有弹性抵接的清洁组件，上壳体配备控制可视片旋转的控制组件，壳体对应开设有观察孔，上壳体观察孔处装有可视组...
    2026-04-21
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