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最新专利技术
  • 一种NiCrTa扩散阻挡层、高温防护涂层及其制备方法与应用
    一种NiCrTa扩散阻挡层、高温防护涂层及其制备方法与应用_中国科学院宁波材料技术与工程研究所_202511763595.0
    本发明公开了一种NiCrTa扩散阻挡层、高温防护涂层及其制备方法与应用。所述NiCrTa扩散阻挡层为Cr、Ta固溶的Ni基金属涂层，其化学成分包括 80~94.9 wt.%Ni、5~15 wt.%Cr和0.1~5 wt.%Ta。所述高温防护...
    2026-04-20
  • 一种保护导电层同时防水淹的基底及其制备方法
    一种保护导电层同时防水淹的基底及其制备方法_中南大学_202511537540.8
    本发明属于但不限于基底制备技术领域，公开了一种保护导电层同时防水淹的基底及其制备方法。选择密度适中的PTFE纤维作为基材；使用砂纸打磨高纯度金属Cu颗粒，去除表面脏污；将打磨后的金属颗粒放入热蒸镀的真空腔室对应的蒸发源并固定，将选好的PTF...
    2026-04-20
  • 真空沉积设备及用于涂覆基材的过程
    真空沉积设备及用于涂覆基材的过程_安赛乐米塔尔公司_202511546772.X
    本发明涉及一种真空沉积设备和一种用于涂覆基材的过程，该设备用于在行进的基材上连续沉积由包含主元素和至少一种附加元素的金属合金形成的涂层，该设备包括真空沉积腔室和用于使基材行进穿过腔室的器件，其中，设备还包括：蒸气喷射涂覆器，蒸发坩埚，该蒸发...
    2026-04-20
  • 加工柔直用金属化膜的镀膜设备
    加工柔直用金属化膜的镀膜设备_广东迈特斐薄膜科技有限公司_202511647886.3
    加工柔直用金属化膜的镀膜设备，属于金属材料的镀覆技术领域。为解决现有的镀膜设备需要停机清理镀膜挡板，导致蒸发镀膜的效率降低。本发明的蒸发源蒸发物料，柔性基膜绕经镀膜主辊进行蒸发镀膜，当镀膜挡板处于真空镀膜腔内的部分附着有蒸发材料时，镀膜挡板...
    2026-04-20
  • 线性蒸发源装置
    线性蒸发源装置_中国科学院深圳先进技术研究院_202511683969.8
    本申请提供了一种线性蒸发源装置。线性蒸发源装置包括腔体、匀流板、蒸发源、喷嘴，腔体的内部包括蒸发区和匀流区，匀流板设置于蒸发区和匀流区之间，蒸发源安装于蒸发区之内，喷嘴安装于腔体的外侧且与匀流区连通。该线性蒸发源装置为立式架构，方便对大面积...
    2026-04-20
  • 一种真空加热源及真空镀膜设备
    一种真空加热源及真空镀膜设备_杭州众能光电科技有限公司_202610031516.5
    本发明涉及真空镀膜的技术领域，尤其涉及一种真空加热源及真空镀膜设备，包括加热室、控制装置、导电电极和线圈：加热室内设置有容纳空腔，加热室的顶部输出口，输出口被用于料仓，线圈沿竖直方向间隔设置于输出口的下方，控制装置与最下方的线圈连接，线圈之...
    2026-04-20
  • 一种半导体图形化外延薄膜的制备方法及嵌入式电极结构和应用
    一种半导体图形化外延薄膜的制备方法及嵌入式电极结构和应用_武汉理工大学_202511608572.2
    本发明涉及半导体晶片的技术领域，尤其涉及一种半导体图形化外延薄膜的制备方法及嵌入式电极结构和应用，包括下列步骤：S1、对衬底层进行预处理，在预处理后的衬底层表面低温沉积耐高温硬掩模层；S2、按照光刻图形对所沉积的耐高温硬掩模层及部分衬底层进...
    2026-04-20
  • 电子枪及离子源协同蒸发镀膜方法、控制方法及控制系统
    电子枪及离子源协同蒸发镀膜方法、控制方法及控制系统_诚联恺达(河北)科技股份有限公司_202511522509.7
    本发明属于真空镀膜技术领域，涉及一种电子枪及离子源协同蒸发镀膜方法、控制方法及控制系统。其中，电子枪及离子源协同蒸发镀膜控制方法包括，持续采集镀膜过程中的关键参数，通过各参数状态诊断结果动态生成电子枪束流初始值和离子源气体流量初始值，并实时...
    2026-04-20
  • 一种超宽带消色差分光棱镜的复合介质膜制备工艺
    一种超宽带消色差分光棱镜的复合介质膜制备工艺_福建荣德光电科技有限公司_202511632711.5
    本发明涉及物理气相沉积工艺技术领域，公开一种超宽带消色差分光棱镜的复合介质膜制备工艺，包括：循环执行沉积步骤和修饰步骤，在沉积步骤中，通过原位厚度监测器实时监测厚度，当达到预设的厚度阈值时终止沉积步骤；在修饰步骤中，通过光电传感器实时监测辉...
    2026-04-20
  • 一种装饰件加工工艺、装饰件及车辆灯具
    一种装饰件加工工艺、装饰件及车辆灯具_华域视觉科技(上海)有限公司_202511360675.1
    本发明公开了一种装饰件加工工艺、装饰件及车辆灯具，装饰件加工工艺包括：在真空条件下，控制电弧放电轰击金属靶材电离形成金属离子，设置偏压电场驱动前述金属离子轰击基材表面并与预设反应气体结合形成位于基材上的化合物薄膜显色层，通过金属靶材与预设反...
    2026-04-20
  • 一种引弧装置
    一种引弧装置_兰州空间技术物理研究所_202511639583.7
    本发明涉及一种引弧装置，主要应用于表面工程技术领域，解决真空电弧镀膜过程中引弧不稳定、引弧针易烧蚀和引弧针更换不方便等问题，有效提高了电弧镀膜的稳定性和可靠性。本发明可以解决电弧镀膜中引弧针寿命低、易烧蚀和不可靠问题，简易的结构设计也便于引...
    2026-04-20
  • 一种高质量EB蒸发靶材的制备方法
    一种高质量EB蒸发靶材的制备方法_苏州高芯众科半导体有限公司_202511836021.1
    本申请涉及一种高质量EB蒸发靶材的制备方法，涉及靶材制备领域，其包括以下步骤：将粉体原料装入清洗处理后的坩埚内，预压实后，得到预压实的坩埚；将预压实的坩埚放入放电等离子烧结设备中，抽真空并加压，开启辅助加热升温至热冲击缓冲温度后，停止辅助加...
    2026-04-20
  • 一种钼基镀银复合材料及其PVD制备方法
    一种钼基镀银复合材料及其PVD制备方法_成都虹波实业股份有限公司_202511732403.X
    本发明公开了一种钼基镀银复合材料及其PVD制备方法，属于钼基复合材料的技术领域。所述PVD制备方法包括以下步骤：将钼片进行化学清洗、干燥后，再于真空体系中进行离子源清洗，得到清洗后钼片；对所述清洗后钼片进行离子源沉积及磁控溅射银沉积，得到沉...
    2026-04-20
  • 一种形成薄膜的溅射装置及其溅射方法
    一种形成薄膜的溅射装置及其溅射方法_上海仙材技术有限公司_202511764917.3
    本发明涉及溅射设备的技术领域，具体公开了一种形成薄膜的溅射装置及其溅射方法，包括：壳体，壳体包括阴极端以及阳极端，阴极端包括阴极体以及标材，阳极端包括阳极体以及托料板，阴极体上开设有贯通的开槽；磁性旋转机构，磁性旋转机构设置于连接板上，磁性...
    2026-04-20
  • 一种疏水涂层及其制备方法
    一种疏水涂层及其制备方法_新毅东(北京)科技有限公司_202610019141.0
    一种疏水涂层及其制备方法，涉及光学功能涂层技术领域。该疏水涂层的制备方法包括：提供基体；在真空环境下，采用离子源产生的离子束对基体表面进行轰击清洗；采用高功率脉冲磁控溅射技术，在基体表面沉积钛过渡层；采用高功率脉冲磁控溅射技术，在钛过渡层上...
    2026-04-20
  • 一种防崩边硅片镀膜承载框
    一种防崩边硅片镀膜承载框_南通玖方新材料股份有限公司_202511614924.5
    本发明公开了一种防崩边硅片镀膜承载框，包括承片台(1)，所述承片台(1)在内部侧壁加工有挡片台阶(3)，所述承片台(1)设置有若干个配备避空位的顶点，所述避空位与挡片台阶(3)之间通过防积膜区进行过渡，所述承片台(1)在长度方向和宽度方向排...
    2026-04-20
  • 一种等离子体镀膜用的定位机构
    一种等离子体镀膜用的定位机构_华南理工大学_202511741540.X
    本发明公开了一种等离子体镀膜用的定位机构，涉及等离子体镀膜设备领域，包括镀膜箱，镀膜箱的内顶壁通过螺钉固定有上腔盖，上腔盖的下方设有相匹配的下腔盖，上腔盖的顶部中央处安装有镀膜喷头，镀膜喷头通过连接管贯穿盖体和箱体与外部的等离子发生器连接；...
    2026-04-20
  • 旋转加热器抗干扰滑环系统及气相沉积设备
    旋转加热器抗干扰滑环系统及气相沉积设备_上海陛通半导体能源科技股份有限公司_202610013139.2
    本发明涉及半导体设备技术领域，公开一种旋转加热器抗干扰滑环系统及气相沉积设备。旋转加热器抗干扰滑环系统包括转子、定子和导电滑环。转子的顶端与旋转加热器连接，以带动旋转加热器转动。定子包括底座和多个环形件，底座的内部具有第一空腔，转子的底端转...
    2026-04-20
  • 一种离子束溅射的调控方法
    一种离子束溅射的调控方法_佛山市博顿光电科技有限公司_202511615383.8
    本申请提供了一种离子束溅射的调控方法，包括以下步骤：在靶端配置偏置压；当前成膜应力偏置压配置为补偿离子源的束压；根据离子源栅网的使用状态以及目标成膜速率，配置当前成膜应力束压与当前成膜应力偏置压的常态运行值；获取当前成膜速率和当前成膜应力；...
    2026-04-20
  • 一种用于SF6气体识别的滤波芯片的制备方法
    一种用于SF6气体识别的滤波芯片的制备方法_国网山西省电力有限公司太原供电分公司_202610018322.1
    本发明涉及红外滤波芯片制备技术领域，公开了一种用于SF66气体识别的滤波芯片的制备方法，包括：基于SF66气体的探测波段与参比波段，分别设计对应的膜系理论堆叠序列，并据此模拟生成反映各膜层沉积后预期光谱状态的标准光谱轨迹；以迭代方式依次沉积...
    2026-04-20
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