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最新专利技术
  • 功率半导体装置
    功率半导体装置_三星电子株式会社_202510966487.7
    根据本公开的示例实施例的功率半导体装置可包括：衬底，其包括第一导电类型的SiC；衬底上的第一导电类型的漂移层；漂移层上的第二导电类型的阱区；第一导电类型的漏极区，其与阱区的边缘向内间隔开第一长度，并且设置在阱区中；在阱区外、在漂移层上的第一...
    2026-02-13
  • 沟槽栅极器件及其制备方法
    沟槽栅极器件及其制备方法_杭州富芯半导体有限公司_202511576834.1
    本申请涉及半导体技术领域，特别涉及一种沟槽栅极器件及其制备方法，包括：位于基底的漂移区；位于基底并间隔设置的第一沟槽和第二沟槽，第一沟槽的深度小于第二沟槽的深度；位于第一沟槽的第一栅极结构和位于第二沟槽的第二栅极结构；位于基底的第一导电类型...
    2026-02-13
  • 半导体装置
    半导体装置_株式会社东芝_202411886722.1
    本发明的实施方式一般涉及半导体装置。实施方式的半导体装置具备元件区域、包围元件区域的末端区域、以及设置在元件区域与末端区域之间的中间区域。元件区域包含第一导电型的碳化硅区域、具有多个第二导电型的碳化硅区域的碳化硅层、以及栅极电极，中间区域包...
    2026-02-13
  • 半导体器件结构及其制备方法
    半导体器件结构及其制备方法_株洲中车时代半导体股份有限公司_202510664012.2
    本申请实施例涉及半导体技术领域，公开一种半导体器件结构及其制备方法。半导体器件结构包括：基底以及设置其上方的漂移区；多个第一掺杂类型柱和多个栅极结构，多个第一掺杂类型柱位于漂移区中，且沿平行于基底表面的方向间隔设置；漂移区和第一掺杂类型柱掺...
    2026-02-13
  • 一种高软度因子快恢复VDMOS器件及其制备方法
    一种高软度因子快恢复VDMOS器件及其制备方法_上海维安半导体有限公司_202511391909.9
    本发明涉及半导体器件技术领域，具体涉及一种高软度因子快恢复VDMOS器件及其制备方法，包括：具有第一类型掺杂类型的衬底和漂移区；所述漂移区形成在所述衬底的上方；所述漂移区的底部形成有多个掺杂浓度由重至轻的缓冲层；所述缓冲层在投影方向上覆盖栅...
    2026-02-13
  • 一种具有超结结构的碳化硅MOSFET器件
    一种具有超结结构的碳化硅MOSFET器件_苏州锴威特半导体股份有限公司_202610004008.8
    本发明公开了半导体功率器件技术领域的一种具有超结结构的碳化硅MOSFET器件，包括N型衬底，N型衬底的上方设置有超结结构，超结结构包括重掺杂N型外延层, 重掺杂N型外延层的中央形成重掺杂P柱区, 重掺杂P柱区的上方形成栅极沟槽, 通过选择性...
    2026-02-13
  • 一种多维掺杂轮廓优化型超薄体MOSFET器件及其制备工艺
    一种多维掺杂轮廓优化型超薄体MOSFET器件及其制备工艺_杭州谱析光晶半导体科技有限公司_202610008141.0
    本发明公开了一种多维掺杂轮廓优化型超薄体MOSFET器件及其制备工艺，属于半导体器件技术领域，包括由若干个相互并列的MOS元胞构成，单个MOS元胞包括漏极、半导体外延层、源极和栅极；所述半导体外延层包括N衬底层、N漂移层、P+层、N阱层和P...
    2026-02-13
  • 以氧化锰纳米花为沟道的叉指电极型场效应晶体管
    以氧化锰纳米花为沟道的叉指电极型场效应晶体管_南京工业大学_202511537747.5
    本发明属于生物传感及半导体制备技术领域，涉及一种以氧化锰纳米花为沟道的叉指电极型场效应晶体管。包括源极和漏极，所述源极和漏极之间设置有沟道层，所述沟道层的材料为氧化锰纳米花。本发明通过调控沉积温度与时间，控制了氧化锰纳米花在沟道区域的成核、...
    2026-02-13
  • 高电子迁移率硅MOS量子器件及其制备方法
    高电子迁移率硅MOS量子器件及其制备方法_中国科学院半导体研究所_202511465588.2
    本公开提供一种高电子迁移率硅MOS量子器件及其制备方法。该方法包括：在硅衬底上生长介质层；对介质层和硅衬底进行刻蚀，形成台面结构；利用湿法腐蚀去除介质层；对去除介质层的样品进行清洗；在清洗后的样品上生长介质层；重复执行利用湿法腐蚀去除介质层...
    2026-02-13
  • 一种超结MOSFET器件的制备方法及超结MOSFET器件
    一种超结MOSFET器件的制备方法及超结MOSFET器件_旭矽半导体(上海)有限公司_202511436915.1
    本发明公开了一种超结MOSFET器件的制备方法及超结MOSFET器件，方法包括：获取两片具有零层MASK对位标记且长度相同的N型外延片；在两片N型外延片上分别对应形成多个间隔排列的深沟槽，并在两片N型外延片的深沟槽内进行P型外延填充，分别在...
    2026-02-13
  • 自对准的隔离方法
    自对准的隔离方法_上海华虹宏力半导体制造有限公司_202511511909.8
    本发明提供一种自对准的隔离方法。该方法包括：在衬底上形成牺牲层后，在其侧壁依次形成隔离墙和功能层；随后去除隔离墙以形成沟槽，并在沟槽内填充绝缘材料，从而在牺牲层和功能层之间形成自对准的隔离结构。在后续利用掩模刻蚀牺牲层以形成空腔时，自对准的...
    2026-02-13
  • 具有改进的可靠性的电子设备
    具有改进的可靠性的电子设备_意法半导体国际公司_202511045107.2
    本发明涉及具有改进的可靠性的电子设备。提供了一种电子设备。示例电子设备包括：碳化硅的半导体主体，该碳化硅的半导体主体具有表面，该表面的第一部分限定电子设备的有源区域并且该表面的第二部分位于有源区域的外部；在半导体主体的表面的第一部分上延伸的...
    2026-02-13
  • 一种功率器件终端结构
    一种功率器件终端结构_电子科技大学_202511344948.3
    本发明属于半导体集成电路领域，特别是一种功率器件终端结构，终端结构设置在过渡区和终端区上，终端结构包括位于器件主边缘附近的边终端区与位于器件四周倒角的角终端区，边终端区和角终端区包括：多个P型环、N+截止环，在终端区的N型外延层表面上设置有...
    2026-02-13
  • 半导体器件及其制造方法
    半导体器件及其制造方法_芯迈半导体技术(杭州)股份有限公司_202511588632.9
    本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括衬底；外延层，位于所述衬底上；第一掺杂区和第二掺杂区，第一掺杂区和第二掺杂区设置于外延层中；其中，第二掺杂区位于第一掺杂区外围，第二掺杂区内设置有多个间隔分布的子掺杂区，子掺杂区的掺杂...
    2026-02-13
  • 高压MOS器件和集成电路
    高压MOS器件和集成电路_北京燕东微电子科技有限公司_202512009820.8
    本申请提供一种高压MOS器件和集成电路，通过对高压MOS器件结构进行优化，在外延层中增加场板结构，可以提高器件击穿电压，降低器件表面提前发生击穿的可能性，还可以保证芯片或者集成电路的面积不会增大，甚至有利于减小芯片或者集成电路的面积，而且不...
    2026-02-13
  • 一种诱导石墨改善硼掺杂的欧姆接触器件及其制备方法
    一种诱导石墨改善硼掺杂的欧姆接触器件及其制备方法_西安电子科技大学_202511522945.4
    本发明公开了一种诱导石墨改善硼掺杂的欧姆接触器件及其制备方法，涉及微电子技术领域，包括：衬底；衬底为本征金刚石衬底；轻掺杂金刚石外延层，位于衬底的上表面；重掺杂金刚石外延层，位于轻掺杂金刚石外延层的上表面；纳米石墨层，位于重掺杂金刚石外延层...
    2026-02-13
  • 用于半导体装置的包含氮的栅极氧化物层
    用于半导体装置的包含氮的栅极氧化物层_德州仪器公司_202510902501.7
    本公开大体上涉及一种用于半导体装置的包含氮的栅极氧化物层。在一实例中，半导体装置包含半导体衬底(202)、栅极氧化物层(302)、栅极电极(502)、第一源极/漏极区(802)和第二源极/漏极区(802)。所述栅极氧化物层(302)在所述半...
    2026-02-13
  • 一种低电感均流碳化硅功率模块
    一种低电感均流碳化硅功率模块_武汉脉冲芯电子科技有限公司_202511568159.8
    本申请属于碳化硅功率芯片封装技术领域，更具体地，涉及一种低电感均流碳化硅功率模块，通过在碳化硅功率子模块的两只碳化硅功率芯片中间设置去耦电容，可有效补偿碳化硅功率芯片的开关瞬态能力、缩短能量循环路径，进而能抑制电压尖峰、削弱电磁干扰和降低芯...
    2026-02-13
  • 一种处理器最小系统封装结构
    一种处理器最小系统封装结构_天津津航计算技术研究所_202511611983.7
    本发明涉及一种处理器最小系统封装结构，属于异构芯片集成技术领域。本发明设计了一种将flipchip和wire bonding两种互联方式相结合，并对于DDR和FLASH两种芯片进行RDL堆叠后的wire bonding的处理器最小系统封装结...
    2026-02-13
  • 绝缘栅双极型晶体管及其制作方法
    绝缘栅双极型晶体管及其制作方法_南京南瑞半导体有限公司_202511362624.2
    本发明公开了一种绝缘栅双极型晶体管及其制作方法，绝缘栅双极型晶体管包括栅线总区、内阻单元以及栅引线区，内阻单元和栅线总区连接，所述内阻单元包括至少3个填充有多晶硅的沟槽，其中，一个沟槽为依据多晶硅整体电阻率ρ00、内阻单元的目标电阻值R00...
    2026-02-13
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