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最新专利技术
  • LIGBT器件及其制造方法
    LIGBT器件及其制造方法_华润微电子(重庆)有限公司_202411026833.5
    本发明提供了一种LIGBT器件及其制造方法，形成了N型掺杂区、P型基掺杂区和阳极N型掺杂区，所述N型掺杂区、所述P型基掺杂区和所述阳极N型掺杂区形成NPN晶体管，在关断时，NPN晶体管会穿通形成载流子通道，抽取N型漂移层中过量的载流子，提高...
    2026-02-12
  • 集成嵌入式绝缘栅双极晶体管、逆变器系统及电力设备
    集成嵌入式绝缘栅双极晶体管、逆变器系统及电力设备_中国南方电网有限责任公司超高压输电公司电力科研院_202511322193.7
    本发明公开一种集成嵌入式绝缘栅双极晶体管、逆变器系统及电力设备, 绝缘栅双极晶体管包括集电极金属、P+集电极区、N型缓冲区和N型漂移区，集电极金属与P+集电极连接；N型漂移区上方的一侧设有P基区，P基区的上设有第一P+区和N+区；P型屏蔽区...
    2026-02-12
  • 半导体器件的制造方法
    半导体器件的制造方法_青岛澳柯玛云联信息技术有限公司_202411028209.9
    本发明提供一种半导体器件的制造方法，一方面对器件隔离结构进行第一杂质元素的掺杂，由此在形成栅氧化层的过程中，利用第一杂质元素来消耗横向扩散到器件隔离结构中的氧，另一方面沉积第一应力层并退火，由此向器件隔离结构中引入应力，以增加器件隔离结构的...
    2026-02-12
  • 半导体器件的制造方法
    半导体器件的制造方法_青岛澳柯玛云联信息技术有限公司_202411028371.0
    本发明提供一种半导体器件的制造方法，在形成能够暴露出有源区的顶部表面且使器件隔离结构的边界顶角被去除的沟槽之后，沉积第二应力层并退火以引入应力来增强器件隔离结构的致密性，且进一步刻蚀第二应力层来暴露出有源区的顶角和顶面并在器件隔离结构的顶部...
    2026-02-12
  • 半导体器件及其形成方法、芯片
    半导体器件及其形成方法、芯片_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202411037964.3
    本申请公开了一种半导体器件及其形成方法、芯片，该方法包括：在至少部分鳍部上形成有源沟槽，有源沟槽内的拐角位置点与有源沟槽中邻近侧壁上的最外侧位置点具有第一横向距离；至少对有源沟槽内的拐角部进行移除改性处理，形成改性层；移除改性层，以形成调整...
    2026-02-12
  • 半导体器件及其形成方法
    半导体器件及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202510392543.0
    本公开涉及半导体器件及其形成方法。形成纳米结构晶体管的源极/漏极接触件，使得使用多步骤蚀刻工艺使源极/漏极接触件在纳米结构晶体管的下面的源极/漏极区域内凹陷。使源极/漏极接触件在源极/漏极区域内凹陷为源极/漏极接触件与源极/漏极区域接触提供...
    2026-02-12
  • 半导体器件及其形成方法
    半导体器件及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202510452661.6
    本公开提供了半导体器件及其形成方法。形成用于半导体器件的纳米结构晶体管的源极/漏极区域，使得源极/漏极区域包括金属芯。与源极/漏极区域完全用外延生长的半导体材料填充的情况相比，金属芯为要耦合到源极/漏极区域的前侧源极/漏极接触件和后侧源极/...
    2026-02-12
  • 半导体器件及其形成方法
    半导体器件及其形成方法_台湾积体电路制造股份有限公司_202510523802.9
    本申请公开了半导体器件及其形成方法。形成半导体器件的纳米结构晶体管的源极/漏极区域，使得空腔从源极/漏极区域的顶部延伸到源极/漏极区域中。在一些实现方式中，该空腔完全地延伸穿过源极/漏极区域的深度。该空腔由源极/漏极区域的一个或多个外延层的...
    2026-02-12
  • 栅极环绕式场效晶体管及其制造方法
    栅极环绕式场效晶体管及其制造方法_闳康科技股份有限公司_202510692199.7
    本发明公开一种栅极环绕式场效晶体管及其制造方法。所述栅极环绕式场效晶体管包括衬底、第一牺牲层、通道层、保护层、复合场氧化层、漏极电极与源极电极以及栅极堆栈层。第一牺牲层设置在衬底上，通道层设置在第一牺牲层上且从漏极区跨越至源极区。保护层设置...
    2026-02-12
  • 一种新型共漏双MOSFET器件及其制备方法
    一种新型共漏双MOSFET器件及其制备方法_河南师范大学_202511287761.4
    本发明涉及MOS半导体技术领域，且公开了一种新型共漏双MOSFET器件，包括由若干个VDMOS元胞组成的SiC VDMOSFET器件，所述VDMOS元胞包括漏极、半导体外延层、金属源极以及栅极；所述半导体外延层通过注入不同浓度、不同种类离子...
    2026-02-12
  • 一种半导体结构及其制备方法
    一种半导体结构及其制备方法_安徽长飞先进半导体股份有限公司_202511306534.1
    本申请提供了一种半导体结构及其制备方法，涉及半导体技术领域，该半导体结构的制备方法包括利用第一掩膜层在外延层上形成第一掺杂区，第一掺杂区包括第一子区和第二子区；去除第一掩膜层；在外延层上形成第二掩膜层，第二掩膜层包括多个第二开槽，第二开槽暴...
    2026-02-12
  • 半导体结构及其形成方法
    半导体结构及其形成方法_上海积塔半导体有限公司_202511404896.4
    本发明涉及一种半导体结构及其形成方法。所述半导体结构的形成方法包括如下步骤：形成基底，所述基底包括衬底以及位于所述衬底内的掺杂区，所述掺杂区中包括掺杂元素；于所述衬底的表面形成拉应力介质层，所述拉应力介质层中具有多个针孔，所述针孔用于排出所...
    2026-02-12
  • 抑制沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管回滞效应的方法
    抑制沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管回滞效应的方法_上海华虹宏力半导体制造有限公司_202511511907.9
    本发明提供一种抑制沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管回滞效应的方法，该方法针对低开启电压短沟道器件中因台面拐角处形成寄生NPN三极管而导致的回滞问题。该方法包括以下步骤：首先，在半导体衬底的体区中进行源区注入以形成源区；接着，在栅极和源区上沉...
    2026-02-12
  • 一种氮化镓器件结构
    一种氮化镓器件结构_合肥艾创微电子科技有限公司_202311764787.4
    本发明提供一种氮化镓器件结构，包括多个单胞单元，相邻单胞单元的栅极金属之间通过栅极电极连接带电连接，相邻单胞单元的第一栅极金属相互连通，所述第一栅极金属与栅极电极连接带之间通过垂直互连结构电连接，所述第一栅极金属与栅极金属在垂直方向上重叠，...
    2026-02-12
  • 在栅极堆叠中具有电介质盖层的氮化镓晶体管
    在栅极堆叠中具有电介质盖层的氮化镓晶体管_德州仪器公司_202510979402.9
    本公开涉及在栅极堆叠中具有电介质盖层的氮化镓晶体管。一种晶体管(101)具有：GaN堆叠(108)，其位于衬底(104)上；AlGaN势垒层(116)，其位于所述GaN堆叠(108)上；栅极堆叠(102)，其包含在所述AlGaN势垒层(11...
    2026-02-12
  • 抑制AM-PM失真的栅下高阻沟道器件及其制备方法
    抑制AM-PM失真的栅下高阻沟道器件及其制备方法_西安电子科技大学_202511531870.6
    本发明提供抑制AM‑PM失真的栅下高阻沟道器件及其制备方法，涉及半导体技术领域。该器件包括：GaN基异质结外延片；平面隔离依次贯穿原位氮化硅层和AlN势垒层到GaN沟道层内；源极和漏极贯穿原位氮化硅层到AlN势垒层的上表面；栅下高阻沟道结构...
    2026-02-12
  • 一种垂直纳米线存储器装置
    一种垂直纳米线存储器装置_江苏扬贺扬微电子科技有限公司_202511589803.X
    本发明公开了一种垂直纳米线存储器装置，涉及半导体技术领域。装置的核心特征在于其具有由GaN、AlN和AlGaN材料构成的垂直纳米线沟道结构，该结构具体表现为由AlN和GaN异质结形成第一沟道，由AlN和AlGaN异质结形成第二沟道。这两个沟...
    2026-02-12
  • 一种芯片、制备方法及电子设备
    一种芯片、制备方法及电子设备_华为技术有限公司_202411031192.2
    本申请公开了一种芯片、制备方法及电子设备，芯片包括VFET，VFET包括垂直沟道、堆叠结构、凹槽结构及第一电极，垂直沟道沿垂直于衬底的方向延伸，堆叠结构包括栅极结构和第一隔离介质层，第一隔离介质层设置于栅极结构背向所述衬底一侧，凹槽结构设置...
    2026-02-12
  • 垂直沟道的隧穿场效应晶体管及其制备方法、电子设备
    垂直沟道的隧穿场效应晶体管及其制备方法、电子设备_中国科学院微电子研究所_202511530868.7
    本公开提供了一种垂直沟道的隧穿场效应晶体管及其制备方法、电子设备，该晶体管包括：衬底、第一源漏层、沟道层和第二源漏层；第一源漏层和第二源漏层之间形成围绕第一沟道区的第一横向凹槽和围绕第二沟道区的第二横向凹槽；栅极介质层；栅极层，栅极层包括与...
    2026-02-12
  • 功率半导体装置
    功率半导体装置_三星电子株式会社_202510966487.7
    根据本公开的示例实施例的功率半导体装置可包括：衬底，其包括第一导电类型的SiC；衬底上的第一导电类型的漂移层；漂移层上的第二导电类型的阱区；第一导电类型的漏极区，其与阱区的边缘向内间隔开第一长度，并且设置在阱区中；在阱区外、在漂移层上的第一...
    2026-02-12
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