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  • 本申请提供一种染料浓度控制方法及其染色系统,以提高对染料浓度的控制精度,染料浓度控制方法包括:获取染色槽中多个检测区域内染色液的实时染料浓度值,多个检测区域顺次连通并呈网格阵列排布;基于多个检测区域内的实时染料浓度值、标准染料浓度范围及标准...
  • 本案提供一种表面处理方法,适用于一金属基材,金属基材具有一外观面。此表面处理方法包含以下步骤。首先,对外观面施以一表面喷砂处理,以形成一喷砂表面。随后,搭配一电解液,对喷砂表面施以一微弧氧化处理,以形成一微弧氧化表面。然后,形成一涂层覆盖微...
  • 本发明公开了一种基于双功能颗粒的高耐磨 Co‑W 复合镀层电解液及其配制方法和电沉积方法,涉及材料表面工程技术领域。该电解液以水为溶剂,溶质在电解液体系中的质量百分比为:硫酸钴3.59‑8.07%,钨酸钠6.4‑14.4%,络合剂7.69‑...
  • 本发明涉及β放射源技术领域,提供一种制备β平面源的电沉积装置,包括:底座、槽体和多个锁止结构,底座具有源台,源台沿其周向设有多个第一通孔;槽体沿其周向设有凸沿,凸沿与源台叠设,凸沿沿其周向设有多个第二通孔,每个第二通孔与一个第一通孔相对;每...
  • 本申请涉及电镀设备领域, 尤其涉及一种垂直连续电镀设备及电镀工艺,其包括设备机架、电镀槽体以及传输钢带,电镀槽体安装于设备机架,电镀槽体的内部设有两排药水喷嘴,两排药水喷嘴的水平相对设置;设备机架设有固定盘架和活动盘架,固定盘架安装于设备机...
  • 本发明公开了一种电镀用框架,包括:上框架、下框架、磁铁、第一导电针和第二导电针,上框架和下框架均由绝缘材料制成,上框架上贯穿开设有第一电镀口,下框架上贯穿开设有数量和第一电镀口相同的第二电镀口,一个第一电镀口对应一个第二电镀口,第一电镀口的...
  • 本申请涉及一种电镀夹具,电镀夹具包括第一夹持单元、第二夹持单元和两个第三夹持单元,第一夹持单元和所述第二夹持单元沿第一方向间隔且彼此相连,以分别夹持基板沿第一方向的相对两端,两个第三夹持单元沿第二方向间隔布设,以分别夹持基板沿第二方向的相对...
  • 本发明为了解决现有技术难以控制气体的纯度和流量达到使用的工艺需求,提供了一种气动薄膜调节阀的加工工艺,包括改进阀体,对阀体进行加工前处理、使用电解液进行电解抛光,抛光时电解液强制循环、对阀体进行后处理、对阀体进行全面性能验证。本发明通过大量...
  • 本发明提供一种铝合金增材件的抛光方法及抛光装置,包括以下步骤:将铝合金增材件置于浸蚀液中,以去除所述铝合金增材件表面及内部的残粉、飞溅物与球化层,得到化学浸蚀处理后的铝合金增材件;电解抛光处理:对所述化学浸蚀处理后的铝合金增材件进行电解抛光...
  • 本发明公开了一种用于微米级尺度材料电化学表面处理的精密脉冲恒流装置,属于电化学设备技术领域。本发明通过设置电源系统、电解液系统和控制系统,控制系统控制电源系统对电解液系统中待处理工件进行电化学作业;其中,电源系统包括有电解液加热系统、电解液...
  • 本发明属于材料科学与冶金工程技术领域,尤其涉及一种γ射线辐照的非平衡相Sn33Bi纳米晶及其制备方法,该方法包括:对经表面预处理以去除杂质和氧化物的SnBi钎料合金,采用6060Co源发射的γ射线进行辐照处理,通过γ射线诱导缺陷与原子位移效...
  • 本发明公开了一种单晶双相钠离子电池层状正极材料及其制备方法和应用,方法包括步骤:步骤1、将Ni(CH33COO)22·4H22O、Mn(CH33COO)33·2H22O和CH33COONa溶解于去离子水和无水乙醇的混合溶剂,接着加入柠檬酸,...
  • 本发明公开了一种BiFeO33/CoFe22O44二维单晶异质结多铁材料、固相烧结制备方法及应用,包括:1)制备单晶铁酸铋和铁酸钴的固体混合物;2)向固体混合物中加入一定浓度的十二烷基苯磺酸钠溶液,得到反应物料;3)将反应物料使用超声震荡混...
  • 本发明属于锂离子电池材料技术领域,公开了一种高首效小颗粒单晶超高镍三元正极材料的制备方法。该方法先将超高镍三元前驱体与锂源、钨源均匀混合,经机械致密化压制成块状固体,再通过四段程序控温煅烧制得目标材料。机械致密化可降低单晶生长的界面融合阻力...
  • 本发明公开了一种碘元素掺杂补偿生长高电阻率钙钛矿FAPbBr33单晶的方法及应用,涉及钙钛矿晶体生长技术领域。所述方法包括获取前驱体溶液,将前驱体溶液封后置于恒温水浴中进行分阶段升温处理,即得碘元素掺杂补偿生长的高电阻率钙钛矿FAPbBr3...
  • 本发明涉及一种空心高熵过渡金属氢氧化物晶体及其制备方法。该制备方法包括:提供氧化亚铜晶体;分别将镍盐前驱体、钴盐前驱体、铬盐前驱体、锰盐和/或铁盐前驱体以及氧化亚铜晶体加入乙醇/水混合溶剂中配置成均匀分散的悬浮液;将聚乙烯吡咯烷酮加入上述悬...
  • 本发明提供了一种BaM籽晶及其制备方法和应用。所述制备方法包括:将BaCO33、Fe22O33和作为助熔剂的K22CO33混合熔融,得到均匀的熔体;对熔体进行保温和阶段式降温,使籽晶自发成核并生长,得到初始籽晶;将初始籽晶从凝固后的熔体中分...
  • 本发明公开了一种助熔剂法生长氮化镓单晶用助熔剂回收装置及方法,属于晶体材料制备技术领域。本发明包括高压腔体,内部自上而下依次包括阻流罩、回流腔和单晶生长腔;其中回流腔为双锥导流结构;阻流罩盖合于回流腔顶部;压力调控系统包括压力振荡气路、晶体...
  • 本发明涉及晶体生长技术领域,尤其涉及一种大尺寸钙钛矿晶体制备用VGF与VB晶体生长炉,包括:安装架、设置在安装架一侧的升降装置和固定在升降装置升降端的加热炉,所述安装架上固定安装有底座,所述底座上方设置有固定法兰,所述固定法兰上端设置有支撑...
  • 本发明涉及单晶硅加工技术领域,具体是涉及一种单晶炉不同热场下的智能掺杂装置及计算方法,包括安装座,安装座上设有伸缩机构,伸缩机构包括固定筒和伸缩杆,伸缩杆上设有撒料机构,撒料机构包括撒料筒和送料螺杆,撒料筒呈倾斜状态,且其上下两端的外壁上分...
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