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最新专利技术
  • 硬质合金以及切削工具
    硬质合金以及切削工具_住友电气工业株式会社_202380100037.9
    一种硬质合金，其是具备结合相和多个碳化钨颗粒的硬质合金，其中，所述硬质合金包含合计为89体积%以上的所述碳化钨颗粒以及所述结合相，所述硬质合金包含1.8体积%以上且20体积%以下的所述结合相，所述结合相包含80质量%以上的钴，所述硬质合金包...
    2026-02-10
  • Fe-Cr-Ni合金材料
    Fe-Cr-Ni合金材料_日本制铁株式会社_202480044211.7
    提供具有高强度且强度各向异性降低的Fe‑Cr‑Ni合金材料。本公开的Fe‑Cr‑Ni合金材料以质量%计为C：0.030%以下、Si：0.01~1.00%、Mn：0.01~2.00%、P：0.040%以下、S：0.0050%以下、Al：0.0...
    2026-02-10
  • 无取向电工钢板及其制造方法
    无取向电工钢板及其制造方法_浦项股份有限公司_202480044654.6
    根据本发明的一个实施例的无取向电工钢板，以重量%计，所述无取向电工钢板包含Si：1.5至5.0%、Al：0.1至2.0%、Mn：0.1至2.0%，余量包含Fe和不可避免的杂质，并且满足下述式1。[式1]V{001}<001>/V{011}<...
    2026-02-10
  • 熔融金属镀覆钢带的飞溅缺陷预测方法、熔融金属镀覆钢带的制造方法、熔融金属镀覆钢带的飞溅缺陷预测装置及熔融金属镀覆钢带制造设备
    熔融金属镀覆钢带的飞溅缺陷预测方法、熔融金属镀覆钢带的制造方法、熔融金属镀覆钢带的飞溅缺陷预测装置及熔融金属镀覆钢带制造设备_杰富意钢铁株式会社_202480044948.9
    本发明的目的在于，在使用气体擦拭喷嘴进行镀覆附着量的控制的熔融金属镀覆钢带的制造方法中，提供熔融金属镀覆钢带的飞溅缺陷预测方法。一种熔融金属镀覆钢带的飞溅缺陷预测方法，是熔融金属镀覆钢带的制造设备中的熔融金属镀覆钢带的飞溅缺陷预测方法，所述...
    2026-02-10
  • 掩膜组件及其制作方法
    掩膜组件及其制作方法_京东方科技集团股份有限公司_202480001059.4
    提供一种掩膜组件及其制作方法，掩膜组件包括多张掩膜片以及至少一个连接元件，各掩膜片包括围绕开口的分隔部，第一掩膜片的分隔部包括第一连接部，与第一掩膜片相邻的第二掩膜片的分隔部包括第二连接部，第一连接部的至少部分与第二连接部的至少部分具有间隔...
    2026-02-10
  • 金属掩模用基材、金属掩模、金属掩模用基材的制造方法、金属掩模的制造方法及显示装置的制造方法
    金属掩模用基材、金属掩模、金属掩模用基材的制造方法、金属掩模的制造方法及显示装置的制造方法_凸版控股株式会社_202480044381.5
    一种金属掩模用基材，其为具有带状的金属板。金属板为铁镍系合金的轧制材料。金属板的厚度为30μm以下。位于相对于与金属板的轧制方向正交的平面形成‑10°以上且+10°以下的角度的截面上的晶粒的粒径的3σ为8.0μm以下，所述粒径是通过电子背散...
    2026-02-10
  • 用于钢板的高效的涂覆过程、对应的设备、金属涂覆的热轧钢板
    用于钢板的高效的涂覆过程、对应的设备、金属涂覆的热轧钢板_安赛乐米塔尔公司_202480041026.2
    一种用于制造涂覆钢板的方法，包括以下步骤：a.提供钢板(10)，b.通过酸洗对所述钢板进行除氧化皮，c.将除氧化皮的所述钢板供给到高于大气压的加压室(3)中，所述加压室包括入口(2)，并且经由至少一个密封锁(20)连接至至少一个真空沉积室(...
    2026-02-10
  • 包括气体和冷却剂腔的气体分配器
    包括气体和冷却剂腔的气体分配器_朗姆研究公司_202480037043.9
    某些实施方案涉及具有第一表面和第二表面、气体分配端口、位于所述表面之间的腔以及与所述腔流体隔离的液体冷却通道的装置，在一个方面，所述液体冷却通道具有蛇形构型。
    2026-02-10
  • 化学镀的前处理涂料组合物
    化学镀的前处理涂料组合物_株式会社IOX_202480044763.8
    本发明的目的在于提供一种新型化学镀前处理涂料组合物，其包含(1)具有反应性末端的树脂和(2)硅烷偶联剂。
    2026-02-10
  • 树脂被覆铝罐盖、树脂被覆铝板
    树脂被覆铝罐盖、树脂被覆铝板_东洋钢钣株式会社_202480044183.9
    本发明提供一种兼具树脂密接性与耐蚀性、色调的树脂被覆铝罐盖。本发明的树脂被覆铝罐盖铝的特征在于：包含铝基材、形成在所述铝基材的至少一面的表面处理层、和形成在所述表面处理层上的树脂层；所述表面处理层含有氢氧化铝，且在由FT‑IR测定的红外吸收...
    2026-02-10
  • 在金属阳极的表面上具有SEI保护层的可充电电池及其制造方法
    在金属阳极的表面上具有SEI保护层的可充电电池及其制造方法_国际商业机器公司_202480045243.9
    可充电电池，其具有带有固体电解质界面(SEI)表面层的金属阳极、带有整合在多孔碳材料中的卤素物种的阴极、与所述阳极和所述阴极接触的带有有机溶剂和盐的电解质、以及与所述电解质接触的氧化性气体。SEI层具有组成MααBββCγγNδδFεεXζ...
    2026-02-10
  • 镍钼催化剂及其制备方法
    镍钼催化剂及其制备方法_洛桑联邦理工学院_202480043763.6
    本发明涉及一种合成过渡金属催化剂的方法，由在基底电极上由包括至少一种过渡金属前体的电解质溶液电沉积组成，其中所述电沉积在500至2000 mA/cm22沉积电流密度下进行。本发明还涉及一种过渡金属催化剂，其特征在于其在基底电极上至少400 ...
    2026-02-10
  • 电化学系统的流体传导板布置结构
    电化学系统的流体传导板布置结构_舍弗勒技术股份两合公司_202480044425.4
    本发明涉及一种电化学系统(1)的流体传导板布置结构(3)，该流体传导板板布置结构包括压缩板(4)，该压缩板具有面向由电化学电池组成的堆叠件的内侧部(6)以及外侧部(5)，并且该压缩板被多个贯通开口穿过，所述多个贯通开口分配有多个冷却剂通路(...
    2026-02-10
  • 电解系统
    电解系统_罗伯特·博世有限公司_202480044311.X
    本发明涉及一种电解系统(1)，其具有电解槽(2)，该电解槽设立为用于将电能转化为化学能，以及具有功率电子装置(4)，用于向该电解槽(2)供给所需的电流。该功率电子装置(4)包括切换部件(7)和整流器(8)。此外，设有汇流排(14)，用于将功...
    2026-02-10
  • 水电解电极用金属无纺布
    水电解电极用金属无纺布_三井金属株式会社_202480039399.6
    一种包含金属纤维的水电解电极用金属无纺布。所述金属纤维具有：包含第1金属的芯部、以及配置于该芯部的表面且包含第2金属和/或该金属的化合物的覆盖部。第1金属由一种或两种以上的金属元素构成。第2金属和/或该金属的化合物是由一种或两种以上的金属元...
    2026-02-10
  • 离子传导膜、制造此类膜的方法、包括此类膜的电化学电解槽以及包括此类电解槽的设备
    离子传导膜、制造此类膜的方法、包括此类膜的电化学电解槽以及包括此类电解槽的设备_根-吉立方公司_202480040307.6
    本发明涉及用于电化学装置的离子传导膜(10)，所述膜包括包含以下材料的层：‑ 5重量%至30重量%的聚合物黏结剂，和‑ 70重量%至95重量%的陶瓷粉末，所述陶瓷粉末包含掺杂氧化钇的陶瓷和/或掺杂氧化铈的陶瓷。本发明可被用于制造用于低温电解...
    2026-02-10
  • 用于隔膜电解槽的气体扩散电极
    用于隔膜电解槽的气体扩散电极_曼格夫水科技有限公司_202480044583.X
    提供了用于隔膜电解槽的气体扩散电极。还提供了用于处理含盐溶液的隔膜电解槽。还提供了用于生产碱产品的方法。特别地，提供了在多室隔膜电解槽内用于处理锂的气体扩散电极。
    2026-02-10
  • 用于对基底的至少两个不同基底表面进行不同电解表面处理的电流分配系统
    用于对基底的至少两个不同基底表面进行不同电解表面处理的电流分配系统_塞姆西斯科有限责任公司_202480045165.2
    本公开涉及一种用于对基底的至少两个不同基底表面进行不同电解表面处理的电流分配系统和一种用于对基底的至少两个不同基底表面进行不同电解表面处理的电流分配方法。分配系统包括基底支架和电控制单元。基底支架被配置为固持基底。基底支架还被配置为与基底的...
    2026-02-10
  • 硅锭及硅锭的制造方法
    硅锭及硅锭的制造方法_三菱材料电子化成株式会社_202480041623.5
    该硅锭(10)由单向凝固组织构成，并且与凝固方向正交的截面呈圆形，圆当量直径为3μm以上的异质夹杂物的个数密度小于0.01个/cm22，在与凝固方向正交的截面上，具有由单一的晶体构成的单晶部(11)和由形成在该单晶部(11)的周围的多个晶粒...
    2026-02-10
  • 砷化镓单晶的制造方法、砷化镓单晶衬底的制造方法、砷化镓单晶衬底以及砷化镓单晶
    砷化镓单晶的制造方法、砷化镓单晶衬底的制造方法、砷化镓单晶衬底以及砷化镓单晶_住友电气工业株式会社_202380099798.7
    本发明的砷化镓单晶的制造方法包括使用砷化镓单晶制造装置由籽晶生长砷化镓单晶的工序。上述籽晶的生长侧表面为相对于砷化镓单晶的(100)面具有4°以上且20°以下的偏离角的面。上述砷化镓单晶制造装置具有一部分呈圆筒形状的坩埚、保持坩埚的坩埚保持...
    2026-02-10
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