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最新专利技术
  • 半导体结构的形成方法
    半导体结构的形成方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202411003932.1
    一种半导体结构的形成方法，包括：基底和相邻沟道凸起结构围成第一凹槽，形成保形覆盖第一凹槽侧壁和底部的初始隔离层，以使初始隔离层中形成有第二凹槽；在第二凹槽中形成隔离鳍部。本发明实施例中，通过形成保形覆盖第一凹槽侧壁和底部的初始隔离层，以使第...
    2026-02-18
  • 一种无结晶体管的优化方法
    一种无结晶体管的优化方法_广东省大湾区集成电路与系统应用研究院_202411012001.8
    本申请提供一种无结晶体管的优化方法，无结晶体管包括衬底、衬底上的埋氧层、埋氧层上的核层、核层上的壳层、壳层上的栅极、栅极两侧的源极和漏极，其中壳层的掺杂浓度小于核层的掺杂浓度，根据无结晶体管的类型可以为无结晶体管确定背偏的值，其中若无结晶体...
    2026-02-18
  • 高性能鳍式晶体管及其形成方法
    高性能鳍式晶体管及其形成方法_格科微电子(上海)有限公司_202411021261.1
    本发明公开了一种高性能鳍式晶体管及其形成方法，该方法包括：在所述鳍式晶体管沟道下方形成第一离子掺杂阱区，以及沿所述鳍式晶体管沟道长度方向，在所述鳍式晶体管栅极两端边界位置形成第二离子掺杂阱区，使所述第一离子掺杂阱区和所述第二离子掺杂阱区包围...
    2026-02-18
  • 晶体管器件结构及其制备方法、半导体器件结构
    晶体管器件结构及其制备方法、半导体器件结构_株洲中车时代半导体股份有限公司_202510539347.1
    本申请实施例涉及半导体技术领域，公开一种晶体管器件结构及其制备方法、半导体器件结构。该制备方法包括提供碳化硅外延片；采用第一沉积工艺在碳化硅外延片上形成第一栅氧层并对其进行氮化退火处理；采用第二沉积工艺在第一栅氧层上形成第二栅氧层并对其进行...
    2026-02-18
  • 分离式双栅极晶体管及其制造方法
    分离式双栅极晶体管及其制造方法_闳康科技股份有限公司_202510691002.8
    本发明公开一种分离式双栅极晶体管及其制造方法。制造方法包括：在衬底上生成第一鳍；从第一鳍部分移除牺牲层；在每一栅极金属层暴露的部分上依次生成第一栅极绝缘层、通道层及保护层；图像化以生成第二鳍；对第二鳍图像化以生成多个第一凹部及多个第二凹部；...
    2026-02-18
  • 具有嵌入式外延结构的半导体器件及其形成方法
    具有嵌入式外延结构的半导体器件及其形成方法_上海积塔半导体有限公司_202511418401.3
    本发明涉及一种具有嵌入式外延结构的半导体器件及其形成方法。所述具有嵌入式外延结构的半导体器件的形成方法包括如下步骤：形成基底，基底包括衬底，衬底内具有至少沿第一方向间隔排布的多个有源区以及位于有源区内的沟槽，有源区包括源漏区，沟槽位于源漏区...
    2026-02-18
  • 一种3.3kV高可靠多级沟槽超结碳化硅VDMOS及制备方法
    一种3.3kV高可靠多级沟槽超结碳化硅VDMOS及制备方法_泰科天润半导体科技(北京)有限公司_202511492521.8
    本发明提供了一种3.3kV高可靠多级沟槽超结碳化硅VDMOS及制备方法，所述方法包括：在碳化硅衬底上侧面外延生长，形成缓冲层；在缓冲层上侧面外延生长，形成漂移层；在漂移层上方形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，离子注入，形成第一屏蔽层、形成第二...
    2026-02-18
  • HEMT器件及其制备方法
    HEMT器件及其制备方法_矽力杰半导体技术(杭州)有限公司_202511496881.5
    本发明提供一种HEMT器件及其制备方法，基于图案化的牺牲层至少在栅极结构与漏极结构之间形成一个与漏极结构接触的电子调节层，且电子调节层被配置为三五族化合物，该电子调节层可产生较高的供体状态界面密度以在电子调节层与势垒层的界面处形成更多的正电...
    2026-02-18
  • 基于P型GaN栅极的增强型HEMT器件及制作方法
    基于P型GaN栅极的增强型HEMT器件及制作方法_上海新微半导体有限公司_202511551495.1
    本发明提供一种基于P型GaN栅极的增强型HEMT器件及制作方法，于P型GaN层中形成超晶格对插入层，超晶格对插入层包括交替层叠的第一子层和第二子层，第一子层和第二子层中的其中一层采用GaN层，另一层材质的禁带宽度大于3.4eV，通过设置超晶...
    2026-02-18
  • 一种高可靠性沟槽型功率器件的制备方法及器件
    一种高可靠性沟槽型功率器件的制备方法及器件_江苏索力德普半导体科技有限公司_202511579989.0
    本发明公开了一种高可靠性沟槽型功率器件的制备方法及器件，涉及半导体器件领域，制备方法包括：提供衬底，在衬底正面制备第一导电类型外延层；在第一导电类型外延层上旋涂第一光刻胶，利用复用光刻板制备基区掩膜，利用基区掩膜在第一导电类型外延层内制备得...
    2026-02-18
  • 一种GaN基HEMT器件及制作方法
    一种GaN基HEMT器件及制作方法_上海新微半导体有限公司_202511582143.2
    本发明提供一种GaN基HEMT器件及制作方法，形成器件PGaN栅极的过程中，同步于有源区的隔离区域形成PGaN隔离环，通过形成PGaN隔离环耗尽其下方的2DEG，实现有源区的隔离，不需要额外增加步骤，节省一张Mask，降低成本，并且不会对器...
    2026-02-18
  • 一种基于插入层制备高稳定性ZnSnO薄膜晶体管的方法
    一种基于插入层制备高稳定性ZnSnO薄膜晶体管的方法_河南省科学院材料研究所_202511586923.4
    本发明公开了一种基于插入层制备高稳定性ZnSnO薄膜晶体管的方法，本发明结合ZnSnO和SnO22的材料特性，通过在ZnSnO与栅介质之间插入SnO22薄层，制备高稳定性ZnSnO薄膜晶体管；本发明不仅显著提升了TFT的稳定性，还实现了低温...
    2026-02-18
  • 氮化镓功率MOSFET阈值电压智能调控方法及装置
    氮化镓功率MOSFET阈值电压智能调控方法及装置_深圳市固得沃克电子有限公司_202511592638.3
    本发明涉及电压智能调控技术领域，公开了一种氮化镓功率MOSFET阈值电压智能调控方法及装置。该方法：对氮化镓功率MOSFET的氮化硅电荷捕获层进行深能级瞬态谱测量，得到标定陷阱密度、标定能级深度和标定势垒厚度；创建脉冲参数映射表；采集氮化镓...
    2026-02-18
  • 半导体器件的制备方法
    半导体器件的制备方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202512024320.1
    本申请提供了一种半导体器件的制备方法，属于半导体技术领域，包括：提供衬底，衬底上形成有栅极结构；刻蚀栅极结构两侧的衬底，以在衬底内形成源漏凹槽；在源漏凹槽内形成缓冲层，缓冲层覆盖源漏凹槽的内壁，缓冲层的至少部分表面上具有第一副产物层；至少在...
    2026-02-18
  • 一种GaN射频器件及其制备方法
    一种GaN射频器件及其制备方法_深圳争妍微电子有限公司_202511573333.8
    本发明公开了一种GaN射频器件及其制备方法，属于半导体射频器件技术领域，包括衬底，以及依次层叠于衬底上的渐变缓冲层、GaN沟道层、AlN插入层、AlGaN势垒层，还包括形成于AlGaN势垒层上的T型栅极电极、欧姆接触电极和复合钝化层，且衬底...
    2026-02-18
  • 一种基于II型异质结栅结构的氮化镓晶体管
    一种基于II型异质结栅结构的氮化镓晶体管_广东工业大学_202512053077.6
    本发明涉及半导体器件的技术领域，更具体地，涉及一种基于II型异质结栅结构的氮化镓晶体管，包括自下而上依次层叠设置的衬底层、缓冲层、沟道层、势垒层，势垒层上设置有漏极、源极以及栅极结构，源极、漏极分别设置在栅极结构两侧，源极侧壁、漏极侧壁、栅...
    2026-02-18
  • 半导体元件及其制作方法
    半导体元件及其制作方法_联华电子股份有限公司_202411090494.7
    本发明公开一种半导体元件及其制作方法，其中半导体元件包含一第一鳍状结构、一绝缘结构以及一栅极结构。第一鳍状结构设置于一基底上。绝缘结构设置于基底上且围绕第一鳍状结构，其中第一鳍状结构包含一下部低于绝缘结构的一顶表面，且绝缘结构形成有一凹槽曝...
    2026-02-18
  • 碳化硅器件的元胞结构及其制备方法、碳化硅器件
    碳化硅器件的元胞结构及其制备方法、碳化硅器件_株洲中车时代半导体股份有限公司_202411827956.9
    本申请实施例涉及半导体技术领域，公开一种碳化硅器件的元胞结构及其制备方法、碳化硅器件。其中，一种碳化硅器件的元胞结构包括：衬底；位于衬底上方的漂移层；多个屏蔽区和阱区；源区位于阱区表面；多个第一栅极结构和第二栅极结构；屏蔽区至少包围每个第二...
    2026-02-18
  • 半导体器件及其制造方法
    半导体器件及其制造方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202512005938.3
    本申请涉及一种半导体器件及其制造方法，包括：衬底、第一介质层、第一栅极结构和第二栅极结构，其中，所述衬底内设置有外延层；所述第一栅极结构位于所述外延层下方的衬底内，包括第一栅极、第一栅介质层和第二栅介质层，所述第二栅介质层位于所述第一栅极和...
    2026-02-18
  • 一种垂直增强型氧化镓器件及制备方法
    一种垂直增强型氧化镓器件及制备方法_江苏索力德普半导体科技有限公司_202511579986.7
    本发明公开了一种垂直增强型氧化镓器件及制备方法，涉及半导体器件领域，该器件包括衬底以及制备于衬底正面的N型外延层，所述N型外延层上制备有多个鳍部；每个鳍部内设置有N型源区，所述N型源区下方设置有N型第一沟道区，所述N型第一沟道区的两侧设置有...
    2026-02-18
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