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  • 本发明具体公开了一种复合型滤光片的制备方法、滤光片及图像获取设备,属于光学元件生产技术领域。制备方法包括:将固体色素通过蒸镀处理沉积在玻璃基底的其中一个端面,并形成能够吸收近红外光的第一色素膜,以获得第一层叠结构;第一色素膜背向玻璃基底的一...
  • 本发明公开了一种过渡金属硫族化合物纳米盘阵列及其制备方法与应用,该制备方法,包括以下步骤:S1.在衬底上沉积聚合物微球,刻蚀以缩小聚合物微球的直径,得到聚合物微球阵列;S2.在所述聚合物微球阵列表面沉积基底金属,再除去所述聚合物微球及聚合物...
  • 本申请公开了一种基于主动分区控温的蒸发系统及其控制方法,基于主动分区控温的蒸发系统包括蒸发舟、多路电源模块、温度传感模块及中央控制器。蒸发舟在电气上被划分为设置有高温电绝缘层的若干加热区;多路电源模块分别与各加热区电连接,用于独立提供加热功...
  • 本发明公开了一种线型蒸发源及共蒸镀蒸发源,属于真空镀膜设备技术领域,旨在解决现有技术加热不均、热辐射溢出严重、喷嘴易冷凝及维护不便的问题。该线型蒸发源包括设有腔室和喷嘴的本体,其关键在于,本体上开设有不贯通至腔室的狭缝,狭缝内设有加热源,加...
  • 本发明涉及镀膜技术领域,公开了一种激光镜头在边缘涂墨后表面镀膜方法,包括以下步骤:S1:选择材料,并将材料通过切割设备加工成设定形状的基体;S2:将所述基体的边缘涂墨处理;S3:将涂墨处理后的基体放置在真空镀膜机的夹具上;S4:通过涂墨处理...
  • 一种窄带滤光片的制备方法包括步骤:S1,将玻璃基底的表面清洁处理;S2,将处理好的玻璃基底放入工装夹具,挂入真空镀膜机腔体内;S3,抽真空,真空度达到1.0×10‑3‑3Pa,射频离子源清洗;S4,第一面镀制短波通膜系;S5,第一面镀制短波...
  • 本发明涉及镀铝膜技术领域,涉及一种具有电磁波屏蔽功能的镀铝膜及其制备方法。具有电磁波屏蔽功能的镀铝膜,包括依次层叠设置的基材层、界面增强层、镀铝屏蔽层和透明导电保护层。镀铝膜的制备方法,包括以下步骤:基材预处理:对基材层进行电晕处理和等离子...
  • 一种玻璃基底近红外超低反射膜的制备方法包括步骤:S1,将楔形片和产品的表面清洁处理;S2,将处理好的玻璃基底放入工装夹具,挂入真空镀膜机腔体内,温度设定为150℃;S3,抽真空,真空度达到1.0×10‑3‑3Pa,射频离子源清洗;S4,玻璃...
  • 本发明公开了一种用于多弧离子镀设备的工艺气体智能控制系统及方法,涉及物理气相沉积技术领域,包括数据监测系统、数据决策系统、指令执行系统和学习优化系统;所述数据监测系统用以实时监测工艺腔体内的工艺监测参数并执行腔体密封性测试;所述数据决策系统...
  • 本发明公开了一种过渡金属掺杂AlSiO氧化物的全波段高发射超薄红外涂层、制备方法及红外除冰应用,属于红外除冰技术领域。本发明通过向有宽带隙的铝硅氧化物掺杂过渡金属,利用其d‑轨道电子与基底铝硅氧化物中的氧原子外层电子的相互作用,降低铝硅氧化...
  • 本申请公开了一种氮化钛薄膜的制备方法及一种半导体器件,该方法中,首先,基于目标致密度以及目标电阻率,调节辅助离子源的能量以及惰性气体与反应气体的气体流量比例;继而,向溅射离子源通入惰性气体,向辅助离子源通入反应气体;而后,溅射离子源电离惰性...
  • 本发明公开了一种PVD不粘锅及其制备方法,PVD不粘锅包括金属锅体、以及附着在金属锅体表面的PVD镀膜,所述PVD镀膜具备:基底层,其配置成沉积在所述金属锅体上的Cr‑Ti合金层;过渡层,其配置成沉积在所述基底层上的Cr‑Si‑N氮化物层;...
  • 本发明涉及溅射靶材技术领域,具体涉及一种锡靶材与背管一体化浇注成型的制造方法,包括以下步骤:背管表面预处理:选取无氧铜或不锈钢背管,依次进行表面清洁、增强处理,所述增强处理为镀镍镀层;浇注模具准备与背管定位:将预处理后的背管作为嵌件固定于浇...
  • 本发明涉及磁控溅射技术领域,提供了一种钌溅射靶材的制备方法。本发明将钌粉依次进行通氢还原处理、破碎和过筛,得到还原钌粉;将还原钌粉依次进行压制成型、冷等静压处理和烧结处理,得到钌溅射靶材。本发明通过“通氢还原‑氢气烧结”的双重除氧机制,结合...
  • 本发明涉及一种基于聚焦离子束制备钽酸锂超构表面的方法,属于微纳集成器件技术领域。所述方法包括步骤:(1)将切割好的钽酸锂薄膜进行清洗;(2)通过磁控溅射法在钽酸锂薄膜上沉积硬掩膜,沉积完成后进行退火处理;(3)使用聚焦离子束在退火后钽酸锂薄...
  • 本发明公开了一种超硬复合膜层的制备方法,采用真空镀膜技术进行多层复合膜层的制备。本发明针对金属结构件膜层分段加工损失率高,及现有PVD颜色层绝缘差、耐刮不足易脱落问题,采用真空镀膜一体化制备超硬复合膜层。先真空等离子处理基材以保洁净,再依次...
  • 本发明涉及电池材料技术领域,具体为一种磁控溅射法制备Sn‑Zn‑C复合负极材料的方法,包括将铜箔基底进行洁净处理,以及采用磁控溅射技术将SnZn合金和石墨沉积在铜箔基底上;铜箔基底的洁净处理为:将铜箔基底置于有机溶剂中后超声清洗,真空干燥;...
  • 本发明提供了一种平行靶磁控溅射设备,包括真空室;磁控机构,设置在所述真空室内,所述磁控机构包括基材承载部;靶材组件,设置在所述真空室内,所述靶材组件包括外壳体、靶材和固定架;传动组件,设置在所述靶材组件内;本发明通过同时驱动三组磁体产生复合...
  • 本发明涉及电极制备技术领域,且公开了一种高纯锗探测器电极制备方法,包括以下具体步骤,S1:磁控靶与基材的固定:将环形的靶材安装在磁控靶上,环状的基材夹持固定在定位条之间,使得基材套设在靶材的外部;S2:基材内环竖直面的镀膜:使得基材水平套设...
  • 本发明公开了一种射频旋转阴极镀膜设备,包括有真空壳体、屏蔽壳体以及射频电源匹配器,真空壳体内侧设有连接座,两侧连接座之间连接有冷却水管、以及套设在冷却水管外侧且可转动的靶筒,靶筒内设有固定在冷却水管上的磁钢,磁钢与靶筒不接触,靶筒设有射频导...
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