Document
拖动滑块完成拼图
专利交易 商标交易 积分商城 国际服务 IP管家助手 科技果 科技人才 会员权益 需求市场 关于龙图腾 更多
 /  免费注册
到顶部 到底部
清空 搜索
  • 我要求购
  • 我要出售
官方微信客服

官方微信客服
官方微信客服

官方微信客服
最新专利技术
  • 用于碳化硅外延薄膜生长的设备自适应控制方法
    用于碳化硅外延薄膜生长的设备自适应控制方法_江苏汉印机电科技股份有限公司_202511280701.X
    本发明公开了用于碳化硅外延薄膜生长的设备自适应控制方法，本发明涉及薄膜材料生长技术领域，解决了功率调节未设置超限保护，可能引发石墨基座热变形；且功率与气体流量调节不同步，无法协同抵消温度偏差导致的C/Si比失衡的技术问题，本发明通过创新采用...
    2026-03-24
  • 一种分子束外延生长温度的升温控制方法
    一种分子束外延生长温度的升温控制方法_新磊半导体科技(苏州)股份有限公司_202511521803.6
    本发明提供一种分子束外延生长温度的升温控制方法，涉及半导体制造技术领域。该方法包括：根据预先获得的满功率升温时的过冲比与热电偶温度变化量之间的对应关系，计算第一目标温度T2, 12, 1，满功率将衬底温度从T11升温至T2, 12, 1；选...
    2026-03-24
  • 一种二维应变超晶格材料及其制备方法和应用
    一种二维应变超晶格材料及其制备方法和应用_清华大学深圳国际研究生院_202511381015.1
    本发明公开了一种二维应变超晶格材料及其制备方法和应用，属于二维半导体材料制备技术领域。一种制备二维应变超晶格材料的方法：S1.将单晶氧化铝衬底先在空气氛围下进行热处理后再在硫蒸汽氛围下进行热处理获得具有硫钝化的表面结构；S2.将过渡金属元素...
    2026-03-24
  • 一种二维菱方相二硫化钼材料及其制备方法与应用
    一种二维菱方相二硫化钼材料及其制备方法与应用_清华大学深圳国际研究生院_202511400818.7
    本发明公开了一种二维菱方相二硫化钼材料及其制备方法与应用。涉及二维半导体材料领域。二维菱方相二硫化钼材料的制备方法，包括以下步骤：以硫源和钼源为原料，在表面具有周期性凹形结构的M面蓝宝石衬底上进行化学气相沉积反应；上述周期性凹形结构的M面蓝...
    2026-03-24
  • 碳化钽涂层及其制备方法
    碳化钽涂层及其制备方法_湖南金博碳基材料研究院有限公司_202511443592.9
    本申请涉及一种碳化钽涂层及其制备方法。该方法包括如下步骤：在酸性条件下，采用过氧化氢对基板进行处理，以在所述基板表面接枝含氧官能团，制备第一预处理基板；将金属盐溶液转移至所述第一预处理基板表面，干燥后进行焙烧处理，以在所述第一预处理基板表面...
    2026-03-24
  • 基于(-310)面氧化镓单晶薄膜的半极性GaN衬底制备方法
    基于(-310)面氧化镓单晶薄膜的半极性GaN衬底制备方法_南京大学_202511528630.0
    本发明公开了一种基于(‑310)面氧化镓单晶薄膜的半极性GaN衬底制备方法，其步骤包括：(1)将(‑310)面Ga22O33单晶薄膜在氨气气氛或氨气氮气混合气氛下进行部分氮化或全部氮化，以在Ga22O33单晶薄膜表面形成多孔半极性GaN层；...
    2026-03-24
  • 一种低翘曲外延片结构及其制备方法
    一种低翘曲外延片结构及其制备方法_南京百识电子科技有限公司_202511913098.4
    本申请公开了一种低翘曲外延片结构及其制备方法，涉及半导体器件技术领域。本申请于垂直式CVD反应腔中，通过自下而上在衬底上依次沉积堆叠形成第一缓冲层、阻障层、第二缓冲层以及外延漂移层，制得了一种低翘曲外延片结构。通过控制原料气体种类、衬底偏角...
    2026-03-24
  • 一种原位大尺寸高密度半导体级高纯碳化硅多晶粒的制备方法
    一种原位大尺寸高密度半导体级高纯碳化硅多晶粒的制备方法_绍兴晶彩科技有限公司_202511617240.0
    一种原位大尺寸高密度半导体级高纯碳化硅多晶粒的制备方法，它涉及高纯半导体级碳化硅多晶料的制备方法。它是要解决现有方法制备的碳化硅多晶颗粒小、需要二次结晶能耗高、收率低的技术问题。本发明的方法：采用无催化悬浮聚合法制备前驱体树脂，作为成核籽晶...
    2026-03-24
  • 一种原位大尺寸半导体级高纯碳化硅多晶粒的制备方法
    一种原位大尺寸半导体级高纯碳化硅多晶粒的制备方法_绍兴晶彩科技有限公司_202511617241.5
    一种原位大尺寸半导体级高纯碳化硅多晶粒的制备方法，它涉及半导体级碳化硅多晶料的制备方法。它是要解决现有方法制备的碳化硅多晶颗粒小、需要二次结晶能耗高、收率低的技术问题。本方法：一、采用无催化悬浮聚合法制备前驱体树脂，作为成核籽晶和粘合剂；二...
    2026-03-24
  • 通过化学气相沉积的单晶合成金刚石材料
    通过化学气相沉积的单晶合成金刚石材料_六号元素技术有限公司_202511470671.9
    本申请公开了一种通过化学气相沉积的单晶合成金刚石材料。该材料包含通过二次离子质谱法(SIMS)测量的至少3 ppm的总氮浓度；和低的光学双折射，使得 : 在具有至少1.3 mm×1.3 mm面积的该单晶CVD金刚石材料的样品中，并且使用在1...
    2026-03-24
  • 一种光伏拉制硅单晶液口距自动放置的方法及装置
    一种光伏拉制硅单晶液口距自动放置的方法及装置_包头美科硅能源有限公司_202511494809.9
    本发明涉及单晶硅生产技术领域，具体涉及一种光伏拉制硅单晶液口距自动放置的方法及装置, 其方法包括以下步骤：用CCD相机系统拍摄并获取导流筒下沿图像及导流筒下沿倒影图像；通过CCD相机系统自动识别导流筒下沿倒影，根据导流筒位置以及所需的液口距...
    2026-03-24
  • 降低重掺杂单晶硅棒滑移线发生率的方法及单晶硅棒
    降低重掺杂单晶硅棒滑移线发生率的方法及单晶硅棒_宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司_202511506542.0
    本发明属于半导体材料加工技术领域，具体涉及一种降低重掺杂单晶硅棒滑移线发生率的方法及单晶硅棒，方法包括在单晶硅棒拉制完成后，基于冷却时长内，按预定速率降低功率，逐步降低加热器功率使单晶硅棒冷却，使单晶硅棒在冷却过程中缓慢释放热应力，从而降低...
    2026-03-24
  • 热场调节装置、单晶炉和热场调节方法
    热场调节装置、单晶炉和热场调节方法_西安奕斯伟材料科技股份有限公司_202511856243.X
    本发明提供一种热场调节装置、单晶炉和热场调节方法，热场调节装置应用于单晶炉，单晶炉包括炉体，炉体内设置导流筒，导流筒的中心被设置为晶棒提拉区域，热场调节装置设置于导流筒的内侧壁和晶棒提拉区域之间，热场调节装置包括：沿着导流筒的径向方向层叠设...
    2026-03-24
  • Zr-Ru-Si基三元超导单晶材料及其制备方法和应用、终端产品
    Zr-Ru-Si基三元超导单晶材料及其制备方法和应用、终端产品_滨州魏桥国科高等技术研究院_202511524329.2
    本申请涉及超导单晶材料技术领域，公开一种Zr‑Ru‑Si基三元超导单晶材料，化学通式为ZrxxRuyySizz，其中x=1.8～2.2，y=2.5～3.5，z=3.5～4.5。该超导单晶材料属于典型的三元过渡金属硅化物体系，引入了Si元素参...
    2026-03-24
  • 一种中红外三波长激光晶体材料及其制备方法、应用
    一种中红外三波长激光晶体材料及其制备方法、应用_中国科学院福建物质结构研究所_202511339515.9
    本申请公开了一种中红外三波长激光晶体材料及其制备方法、应用，属于无机功能晶体材料领域。所述中红外三波长激光晶体材料的化学式为KDyYGdF1010。并采用布里奇曼法生长出该晶体。该激光晶体材料具有超宽带吸收和发射性能，在1277nm泵浦下能...
    2026-03-24
  • 一种提升大尺寸晶体材料性能的退火方法
    一种提升大尺寸晶体材料性能的退火方法_天通控股股份有限公司_202511518514.0
    本发明涉及晶体材料加工技术领域，具体涉及一种提升大尺寸晶体材料性能的退火方法，该方法以“氧化锆‑同晶源多晶料”复合填埋材料为退火介质，以“CO‑CO22‑Ar”混合气体为退火气氛。其中，同晶源多晶料提供的热缓冲可实现温度梯度的平缓过渡，降低...
    2026-03-24
  • 一种高纯净镍基单晶高温合金及其制备方法和应用
    一种高纯净镍基单晶高温合金及其制备方法和应用_中国航发贵阳发动机设计研究所_202511298501.7
    本发明属于合金材料技术领域，具体涉及一种高纯净镍基单晶高温合金及其制备方法和应用。所述高纯净镍基单晶高温合金包括如下质量百分比的化学成分：C：0.12~0.18%，Cr：4.10~5.20%，Al：5.60~6.30%，Co：8.90~10...
    2026-03-24
  • 硫硅镁锂和硫锗镁锂中远红外非线性光学晶体及制备方法和应用
    硫硅镁锂和硫锗镁锂中远红外非线性光学晶体及制备方法和应用_新疆大学_202511539293.5
    本发明涉及一种硫硅镁锂和硫锗镁锂中远红外非线性光学晶体及制备方法和用途，硫硅镁锂晶体的化学式为Li22MgSiS44，分子量为194.52，结晶于正交晶系，空间群为PmnPmn211，晶胞参数为a=7.83(2)Å，b=6.599(19) ...
    2026-03-24
  • 一种氘化溴铅甲胺钙钛矿单晶的制备方法
    一种氘化溴铅甲胺钙钛矿单晶的制备方法_中国科学院福建物质结构研究所_202511323688.1
    本申请公开了一种氘化溴铅甲胺钙钛矿单晶的制备方法，属于晶体生长技术领域。该制备方法包括溴甲胺多次氘代以及对每次氘代后产生的含溴甲胺和重水的混合溶液进行重水分离回收、氘化溴铅甲胺单晶合成。通过溴甲胺与重水在一定比例下进行多次氘代，生成氘化溴甲...
    2026-03-24
  • 一种实现有机晶体可控形变的光诱导方法和装置
    一种实现有机晶体可控形变的光诱导方法和装置_暨南大学_202511382130.0
    本发明公开了一种实现有机晶体可控形变的光诱导方法和装置，属于光学技术领域。本发明提供的实现有机晶体可控形变的光诱导方法，包括以下步骤：利用脉冲激光对有机晶体的表面进行定点扫描，使所述有机晶体沿定点扫描形成的扫描路径发生可控形变。本发明的有机...
    2026-03-24
首页 上一页 4 下一页
技术分类

专利交易买卖与高校科技成果转化平台

主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务

Copyright ©龙图腾网 版权所有  营业执照  | 皖ICP备12007331号-2 lotut.com 皖公网安备 34010402703815号 中华人民共和国增值电信业务经营许可证