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最新专利技术
  • 一种带收卷压辊装置的跟踪辊机构
    一种带收卷压辊装置的跟踪辊机构_北京北方华创真空技术有限公司_202511301224.0
    本申请涉及真空卷绕镀膜设备技术领域，尤其涉及一种带收卷压辊装置的跟踪辊机构，包括：机架，所述机架上转动连接有收卷辊；摆架总成，所述摆架总成与所述机架转动连接，且所述摆架总成上安装有过辊组件；压辊摆臂，所述压辊摆臂转动连接于所述摆架总成上，且...
    2026-03-20
  • 团簇束流设备
    团簇束流设备_深圳扩维原子科技有限公司_202511756445.7
    本发明公开了一种团簇束流设备，涉及团簇束流技术领域，包括工作平台及依次连接的团簇产生、束流调控、束流筛选、沉积机构。工作平台设滑轨与滑动结构，便于各机构灵活定位拆装。团簇产生机构含角度可调冷凝腔、可调节喷嘴及离子漏斗，实现团簇精准生成；束流...
    2026-03-20
  • 一种钻针涂层及其制备方法
    一种钻针涂层及其制备方法_艾瑞森表面技术(苏州)股份有限公司_202511905121.5
    本申请涉及一种钻针涂层及其制备方法，制备方法中：将含钴碳化钨钻针置于涂层机内，抽真空、升温后经氩离子蚀刻；以脉冲偏压加速低功率溅射的碳化钨离子，形成碳化钨层；调整偏压与功率，通入含碳气体形成碳化钨掺杂含氢类金刚石过渡层；关闭碳化钨靶材，通过...
    2026-03-20
  • 沉积掩模及用于制造其的方法和电子装置
    沉积掩模及用于制造其的方法和电子装置_三星显示有限公司_202510856849.7
    提供了一种沉积掩模及用于制造其的方法和电子装置。沉积掩模包括：掩模基底，包括半导体晶圆；第一涂覆膜，在掩模基底上；以及第二涂覆膜，在第一涂覆膜上，并且包括交替地布置的孔图案和掩模图案，其中，孔图案的上部宽度小于孔图案的下部宽度。
    2026-03-20
  • 镓铝共掺杂n-ZnO/p-GaN异质结及制备和应用
    镓铝共掺杂n-ZnO/p-GaN异质结及制备和应用_太原理工大学_202511496899.5
    本发明公开了镓铝共掺杂n‑ZnO/p‑GaN异质结及制备和应用，属于半导体技术领域。包括蓝宝石衬底、GaN缓冲层、u‑GaN层和p‑GaN层、ZnO籽晶层以及镓铝共掺杂ZnO纳米棒。通过p‑GaN层生长结束后进行高温分解步骤形成多孔GaN，...
    2026-03-20
  • 一种用于铜配副的固体润滑薄膜及其制备方法和应用
    一种用于铜配副的固体润滑薄膜及其制备方法和应用_中国科学院兰州化学物理研究所_202511695902.6
    本发明提供了一种用于铜配副的固体润滑薄膜及其制备方法和应用，属于润滑材料技术领域。本发明的用于铜配副的固体润滑薄膜包括依次层叠设置的金属粘结层、金属碳化物梯度层和掺杂类金刚石碳膜层，所述金属碳化物梯度层中碳的含量沿所述掺杂类金刚石碳膜层的方...
    2026-03-20
  • 一种在硬质合金基底制备碳化硅涂层的方法
    一种在硬质合金基底制备碳化硅涂层的方法_上海交通大学_202511597668.3
    本发明涉及碳化硅涂层的制备技术领域，具体涉及一种在硬质合金基底制备碳化硅涂层的方法。所述方法包括以下步骤：首先对硬质合金基底进行预处理，随后将预处理后的基底放入热丝化学气相沉积设备内的夹具上，然后向反应腔内通入四甲基硅烷和氢气，通过热丝激发...
    2026-03-20
  • 一种TOPCON电池PECVD炉管维护后的复机方法
    一种TOPCON电池PECVD炉管维护后的复机方法_横店集团东磁股份有限公司_202410923590.9
    本发明提供了一种TOPCON电池PECVD炉管维护后的复机方法，包括如下步骤：将炉管内部在2～3h内升温至第一温度，且在升温至第一温度的过程中对炉管内部进行氮气吹扫；第一温度为180～220℃；在2～3h内继续升温至第二温度，且在升温至第二...
    2026-03-20
  • 一种热丝CVD系统及硅片边缘钝化方法
    一种热丝CVD系统及硅片边缘钝化方法_华胜微(江阴)半导体有限公司_202511502483.X
    本发明涉及一种热丝CVD系统，包括：真空腔室；真空腔室连接有真空及压力控制系统、气体输送及分布系统；竖直设于真空腔室中央的热丝电源馈入系统；沿热丝电源馈入系统方向设置的基底台，基底台上安装有旋转调节系统；以及，对基底台加热的衬底加热系统。通...
    2026-03-20
  • 一种PECVD设备清洗方法、系统、设备及存储介质
    一种PECVD设备清洗方法、系统、设备及存储介质_季华实验室_202511894891.4
    本发明涉及PECVD设备清洗技术领域，本发明公开了一种PECVD设备清洗方法、系统、设备及存储介质，包括：基于膜层信息生成自由基调控参数和压力调控参数；基于自由基调控参数调整气体供应单元的气体配比及双远程等离子体源单元的等离子体源功率，以初...
    2026-03-20
  • 一种用于半导体气路的多层源瓶
    一种用于半导体气路的多层源瓶_中科艾尔(北京)科技有限公司_202511372631.0
    本发明公开了一种用于半导体气路的多层源瓶，所述多层源瓶至少包括：瓶身以及设置在所述瓶身内的多个支撑体，每个所述支撑体布置有多个凹槽，相邻两个凹槽之间形成凸出部，所述凹槽和凸出部交替设置在支撑体上；其中，所述凸出部包括一个第一凸出部和多个第二...
    2026-03-20
  • 一种可控的纳米通道及其制备方法与应用
    一种可控的纳米通道及其制备方法与应用_华东理工大学_202510556743.5
    本发明属于纳米材料制备技术领域，公开了一种可控的纳米通道及其制备方法与应用，具体是基于液相沉积反应器的可控高度纳米通道制备方法及应用。该方法为使用异丙醇、去离子水分别冲洗基底；将基底放入沉积反应器中；选择性沉积，向反应器中通入前驱体溶液对所...
    2026-03-20
  • 一种用于交叉流的半导体处理设备及其应用
    一种用于交叉流的半导体处理设备及其应用_江苏微导纳米科技股份有限公司_202511415651.1
    本申请涉及半导体技术领域，公开一种用于交叉流的半导体处理设备，包括反应腔和气体传输系统，所述气体传输系统连通所述反应腔，所述气体传输系统包括混合器，所述混合器连接有至少一组气体传输管路，其中，任意一组气体传输管路包括辅助气体管路和工艺气体管...
    2026-03-20
  • 一种c轴取向晶体IGZO薄膜的制备方法
    一种c轴取向晶体IGZO薄膜的制备方法_江苏微导纳米科技股份有限公司_202511500786.8
    本发明涉及半导体材料领域，特别涉及一种c轴取向晶体IGZO薄膜的制备方法。本发明提供的c轴取向晶体IGZO薄膜的制备方法，利用原子层沉积设备，先沉积形成GaO层，再沉积形成ZnO层，然后沉积形成InO层，能够实现精确的层间覆盖，可以在不需要...
    2026-03-20
  • 用于臭氧气体输送系统的预处理方法
    用于臭氧气体输送系统的预处理方法_江苏微导纳米科技股份有限公司_202511501179.3
    本申请提供了一种用于臭氧气体输送系统的预处理方法，包括以下步骤：a)对臭氧气体输送系统进行惰性气体吹扫处理；b)对步骤a)处理后的臭氧气体输送系统进行多级臭氧气体吹扫处理；所述多级臭氧气体吹扫处理中臭氧气体的浓度逐级增加。本申请首先采用惰性...
    2026-03-20
  • 一种衬套、安装方法及工艺腔室
    一种衬套、安装方法及工艺腔室_拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司_202511504902.3
    本发明提供了一种衬套、一种工艺腔室，以及一种衬套的安装方法。所述衬套包括衬套本体及弹片。衬套本体设于工艺腔室的传片口的内侧壁。所述衬套本体的外侧面设有安装槽。弹片设于所述安装槽内并设有至少一个弯折部。所述至少一个弯折部发生形变，以压紧所述衬...
    2026-03-20
  • 进气结构及半导体工艺设备
    进气结构及半导体工艺设备_北京北方华创微电子装备有限公司_202511592147.9
    本申请公开了一种进气结构及半导体工艺设备，该进气结构包括多个导流件和沿第一方向延伸的进气通道，多个导流件沿第二方向间隔地设于进气通道内并将进气通道分隔为沿第二方向间隔分布的多个子通道；第二方向与第一方向相交；多个导流件中的至少一个导流件可拆...
    2026-03-20
  • 选择性原子层沉积方法
    选择性原子层沉积方法_华中科技大学_202511622072.4
    本申请涉及一种选择性原子层沉积方法，包括以下步骤：S1、提供衬底，所述衬底的表面包括相邻设置的介电材质区域和金属材质区域；S2、将抑制剂旋涂于所述衬底的属材质区域形成抑制层，所述抑制剂包括长链烷基硫醇，所述长链烷基硫醇中烷基碳链的碳原子≥1...
    2026-03-20
  • 一种气体传输系统及薄膜沉积设备
    一种气体传输系统及薄膜沉积设备_拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司_202511872649.7
    本发明提供了一种气体传输系统及薄膜沉积设备。气体传输系统包括：第一管路，其第一端连接工艺腔室，而其第二端连接远程等离子系统；第二管路，其第一端连接第一反应气源，而其第二端经由第一接口连接到所述第一管路，其中，所述第一接口位于所述工艺腔室和所...
    2026-03-20
  • 半导体处理设备及其基板支撑结构
    半导体处理设备及其基板支撑结构_中微半导体设备(上海)股份有限公司_202410933702.9
    一种半导体处理设备及其基板支撑结构，基板支撑结构位于半导体处理设备的反应腔内，在基板支撑结构的加热基座下方设置铝延展部，并通过支撑杆实现加热基座和铝延展部之间的机械连接，同时形成射频导电通路，在加热基座因升温发生向外膨胀时，铝延展部也被同步...
    2026-03-20
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