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最新专利技术
  • 重掺磷超低电阻率硅单晶的制备方法
    重掺磷超低电阻率硅单晶的制备方法_宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司_202511426538.3
    一种重掺磷超低电阻率硅单晶的制备方法，包括：在等径工序中，基于炉压划分等径过程为等径Ⅰ区间和等径Ⅱ区间，采用的炉压按照以下条件设定：1)等径Ⅰ区间：炉压设置为12‑16kPa，保持恒定；2)等径Ⅱ区间：炉压由等径Ⅰ区间结束时的值快速升至25...
    2026-03-22
  • 单晶硅生长装置及其制造方法
    单晶硅生长装置及其制造方法_上海超硅半导体股份有限公司_202511605779.4
    本发明涉及一种单晶硅生长装置及其制造方法。所述单晶硅生长装置包括：石墨坩埚，具有石墨容纳腔；石英坩埚，位于所述石墨容纳腔内，所述石英坩埚具有用于容纳硅熔体的石英容纳腔；石墨纸，位于所述石墨容纳腔内，且所述石墨纸分布于所述石墨容纳腔的内壁与所...
    2026-03-22
  • 控制拉晶过程中液口距的方法、系统及电子设备
    控制拉晶过程中液口距的方法、系统及电子设备_宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司_202511426843.2
    本发明提供的控制拉晶过程中液口距的方法、系统及电子设备，属于单晶制备技术领域，其中控制拉晶过程中液口距的方法为按预设周期采集导流筒下沿至熔硅液面的距离，得到实际液口距，从而根据实际液口距与液口距初始值的差值计算出坩埚上升速度补偿值，并将坩埚...
    2026-03-22
  • 一种大尺寸氟化钡单晶提拉生长装置及方法
    一种大尺寸氟化钡单晶提拉生长装置及方法_河南微米光学科技有限公司_202511561553.9
    本发明涉及人工晶体生长技术领域，公开了一种大尺寸氟化钡单晶提拉生长装置及方法，该装置包括提拉炉主体、新型炉体钟罩、动态气‑压控制系统、保温系统及提拉机构；新型炉体钟罩集成氩气自动控流装置、全程工作的真空泵接口及防挥发物观察窗口，动态气‑压控...
    2026-03-22
  • 一种石英销及其制造方法
    一种石英销及其制造方法_上海新昇半导体科技有限公司_202511853428.5
    本申请属于半导体制造技术领域，提供一种石英销及其制造方法，石英销包括连接组件和捕捉组件，捕捉组件包括第一捕捉部和第二捕捉部，第一捕捉部具有相对设置的顶面和底面，连接组件连接至第一捕捉部的顶面，第二捕捉部连接至第一捕捉部的底面；第二捕捉部包括...
    2026-03-22
  • 一种基于直拉法单晶硅生产的放肩控制方法
    一种基于直拉法单晶硅生产的放肩控制方法_四川永祥光伏科技有限公司_202511489401.2
    本发明涉及单晶硅生产技术领域。本发明为解决现有技术中存在检测滞后性，无法实现放肩开口的提前预判的问题，提供一种基于直拉法单晶硅生产的放肩控制方法。该方法基于静态工艺数据和动态工艺数据训练预测模型，然后利用训练好的预测模型对放肩的开口时刻和开...
    2026-03-22
  • 用于液相外延生长的石墨舟结构及液相外延生长工艺方法
    用于液相外延生长的石墨舟结构及液相外延生长工艺方法_中国电子科技集团公司第十一研究所_202511584919.4
    本申请提供一种用于液相外延生长的石墨舟结构及液相外延生长工艺方法，涉及半导体薄膜制备技术领域。所述石墨舟结构包括：石墨底托，设置有用于安装母液槽的安装位；石墨母液槽，用于容纳进行外延生长的母液，母液槽可拆卸连接在安装槽内；石墨母液槽和石墨底...
    2026-03-22
  • 一种液相外延生长石榴石的温场
    一种液相外延生长石榴石的温场_炬芯通光电科技(苏州)有限公司_202511348454.2
    本发明公开了一种液相外延生长石榴石的温场，分布在反应容器内，温场分为上部、中部和下部，上部、中部和下部是连续的空间，其特征在于，所述下部温度自下向上逐渐减小，所述上部的温度自下向上逐渐增大；中部为单晶组分析出并沉积生长形成单晶薄膜的区域。与...
    2026-03-22
  • 一种采用液相外延生长法制备石榴石厚膜单晶的方法
    一种采用液相外延生长法制备石榴石厚膜单晶的方法_炬芯通光电科技(苏州)有限公司_202511348447.2
    本发明公开了一种采用液相外延生长法制备石榴石厚膜单晶的方法，首先安装单点载荷传感器，记录衬底材料与熔液接触时的输出信号；然后，根据单点载荷传感器的输出信号的变化，将衬底材料提升。通过在晶体生长装置上加装单点载荷传感器，不仅能够实时检测衬底材...
    2026-03-22
  • 一种大尺寸碳化硅晶体生长的多层结构粘接籽晶装置
    一种大尺寸碳化硅晶体生长的多层结构粘接籽晶装置_哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司_202511443101.0
    本发明涉及碳化硅晶体生长技术领域，尤其涉及一种大尺寸碳化硅晶体生长的多层结构粘接籽晶装置，包括坩埚本体，所述坩埚本体内设置有能同时对坩埚本体内外进行加热的加热组件，所述坩埚本体内部中心设置有能吸附籽晶的真空吸附组件，所述坩埚本体的顶部设置有...
    2026-03-22
  • 晶体生长装置
    晶体生长装置_江苏集芯先进材料有限公司_202511451429.7
    本发明公开了一种晶体生长装置，包括：坩埚、导流筒、籽晶固定装置和温度梯度调节组件，导流筒设于坩埚内，坩埚内形成有位于导流筒下方的原料腔，导流筒内形成有生长通道，籽晶固定装置设于坩埚内且位于导流筒的顶部，温度梯度调节组件用于调整晶体生长的温度...
    2026-03-22
  • 一种具有应力释放结构的碳化硅单晶生长坩埚及生长方法
    一种具有应力释放结构的碳化硅单晶生长坩埚及生长方法_内蒙古清橙半导体科技有限公司_202511713639.9
    本发明涉及半导体材料制备技术领域，具体涉及一种具有应力释放结构的碳化硅单晶生长坩埚及生长方法。坩埚内部由下至上依次设置有：由外向内铺设的、粒径递减的第一与第二碳化硅粉料；覆盖于第一粉料表面的石墨盘；覆盖于第二粉料表面的多孔石墨板；支撑于石墨...
    2026-03-22
  • 一种缓冲层的分子束外延生长温度优化方法
    一种缓冲层的分子束外延生长温度优化方法_新磊半导体科技(苏州)股份有限公司_202511387737.8
    本发明提供一种缓冲层的分子束外延生长温度优化方法，涉及半导体制造技术领域。该方法包括：在衬底温度为第一温度下生长第一缓冲层；在温度从第一温度升温至第二温度的同时，生长第二缓冲层；在温度为第二温度下，生长第三缓冲层，获得缓冲层样品；改变第一温...
    2026-03-22
  • 一种MBE束源炉及其在线监测方法
    一种MBE束源炉及其在线监测方法_湖南烁科晶磊半导体科技有限公司_202511584631.7
    本发明公开了一种MBE束源炉及其在线监测方法，束源炉包括炉腔以及设置在炉腔上部的双层坩埚，双层坩埚包括嵌套设置的内层坩埚和外层坩埚，内层坩埚与外层坩埚之间嵌设有两组相互独立的信号传导件，其中一组为连续导通的导线，另一组为非连接状态的导电组，...
    2026-03-22
  • 基于多参数协同调控的MPCVD金刚石高效长晶工艺
    基于多参数协同调控的MPCVD金刚石高效长晶工艺_宏芯半导体(苏州)有限公司_202511773370.3
    本发明属于金刚石加工技术领域，尤其为基于多参数协同调控的MPCVD金刚石高效长晶工艺，包括如下步骤：选择合适的晶种进行检测：对晶种进行预处理进行长晶步骤的实施；对制备而来的晶体进行后处理操作；进行清洁处理；进行切割处理；完成后的金刚石晶体进...
    2026-03-22
  • 一体式碳化硅晶体生长装置及方法
    一体式碳化硅晶体生长装置及方法_通威微电子有限公司_202511791038.X
    本发明提供了一种一体式碳化硅晶体生长装置及方法，涉及半导体技术领域，将碳化硅的粉料合成和晶体生长集成在一套设备和工艺里完成，通过在坩埚盖和坩埚体的基础上增设隔离件，可以组成不同形态的坩埚结构，先让坩埚体、隔离件以及坩埚盖从下到上依次连接，坩...
    2026-03-22
  • 一种在晶圆上生长外延层的方法和芯片
    一种在晶圆上生长外延层的方法和芯片_上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司_202410874545.9
    本申请涉及半导体领域，公开了一种在晶圆上生长外延层的方法和芯片，包括：当外延上新机台或者沉积腔室预护性维护后，获得表面沉积有第一外延层的晶圆；第一外延层的中心区域厚度大于边缘区域厚度；刻蚀第一外延层形成刻蚀后外延层；刻蚀时沉积腔室的温度小于...
    2026-03-22
  • 一种用于分子束外延设备的源料回收系统及方法
    一种用于分子束外延设备的源料回收系统及方法_湖南烁科晶磊半导体科技有限公司_202511743442.X
    本发明公开了一种用于分子束外延设备的源料回收系统及方法，该源料回收系统用于回收高蒸气压的源料，包括预收集单元和终回收单元，预收集单元包括第一冷屏和第二冷屏，第一冷屏嵌套在分子束外延设备的生长腔室内，第二冷屏嵌套在第一冷屏内，以用于冷凝吸附外...
    2026-03-22
  • 石墨基座和发光二极管的制备方法
    石墨基座和发光二极管的制备方法_京东方华灿光电(苏州)有限公司_202511257652.8
    本公开提供了一种石墨基座和发光二极管的制备方法，属于外延生长技术领域。该石墨基座的表面具有多个开口，所述多个开口包括位于所述石墨基座的中心区域的多个内圈孔和位于所述石墨基座的周边边缘的多个外圈孔，多个所述外圈孔环绕多个所述内圈孔；所述外圈孔...
    2026-03-22
  • 进气装置、碳化硅外延生长结构及控制方法
    进气装置、碳化硅外延生长结构及控制方法_河北普兴电子科技股份有限公司_202511191011.7
    本发明提供一种进气装置、碳化硅外延生长结构及控制方法，属于半导体加工技术领域。利用进气装置中双进气阀、双孔道、互不相通的气体通路设计，实现生长气体与保护气体的物理隔离输送；再基于流量控制器和双进气阀，实现对生长气体与保护气体流量的精准调节，...
    2026-03-22
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