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最新专利技术
  • 一种薄膜电阻改性方法
    一种薄膜电阻改性方法_九江德福科技股份有限公司_202511470331.6
    本发明涉及一种薄膜电阻改性方法，包括如下步骤：在铜箔毛面真空溅射薄膜电阻，随后对薄膜电阻进行等离子体渗氮或渗碳处理，得到埋阻铜箔。经过本发明改性的薄膜电阻具有低TCR，随温度变化电阻波动小；可以通过渗碳或渗氮的含量来控制薄膜电阻的电阻率，制...
    2026-03-20
  • 工艺套件及半导体设备
    工艺套件及半导体设备_深圳市新凯来工业机器有限公司_202511393710.X
    本申请涉及半导体设备领域，尤其涉及工艺套件及半导体设备。工艺套件包括：限光壁(10)，其形成为环形，所述限光壁(10)的底部顶面具有凸出部(110)；外沉积环(20)，其底面具有凹陷部(210)，所述凸出部(110)伸入所述凹陷部(210)...
    2026-03-20
  • 一种脉冲电流辅助真空气相沉积刀具涂层制备方法
    一种脉冲电流辅助真空气相沉积刀具涂层制备方法_东北大学_202511417627.1
    本发明属于刀具涂层材料技术领域，公开了一种脉冲电流辅助真空气相沉积刀具涂层制备方法。所述的制备方法是对预镀膜刀具施加脉冲电流，通过脉冲电流产生的瞬态电效应和热效应取代传统的电加热方式。该方法不需要传统真空气相沉积涂层时的升温和降温过程、也不...
    2026-03-20
  • 一种基于磁控溅射的细杆表面的高熵涂层及其制备方法
    一种基于磁控溅射的细杆表面的高熵涂层及其制备方法_北京领涂铠盾科技有限公司_202511488808.3
    本发明属于表面工程与涂层制备技术领域，具体涉及一种基于磁控溅射的细杆表面的高熵涂层及其制备方法。采用磁控溅射工艺，在预处理后的金属基体构件表面依次沉积形成过渡层、主功能层和自润滑表层，过渡层为高熵金属，主功能层为高熵金属氮化物；高熵金属或高...
    2026-03-20
  • 一种高强韧Ti80基复合材料及其制备方法
    一种高强韧Ti80基复合材料及其制备方法_哈工大苏州研究院_202511661102.2
    本发明公开了一种高强韧Ti80基复合材料及其制备方法，属于钛基复合材料及其制备技术领域。本发明解决了现有Ti80基复合材料制备的混粉过程中由于氢化脱氢粉冷焊，导致增强相颗粒难以分散的问题。本发明通过物理气相沉积技术在氢化脱氢钛粉表面包裹均匀...
    2026-03-20
  • 异形基材磁控溅射镀膜方法及加热装置
    异形基材磁控溅射镀膜方法及加热装置_浙江大华技术股份有限公司_202511716721.7
    本发明涉及一种异形基材磁控溅射镀膜方法及加热装置，所述方法包括：将异形基材置于加热台上进行第一次溅射，使异形基材表面形成金属过渡层；在负偏压条件下对具有过渡层的异形基材进行第二次溅射，完成镀膜；其中，所述加热台具有多个开孔，所述开孔在所述加...
    2026-03-20
  • 一种柔性非晶合金基薄膜及其制备方法
    一种柔性非晶合金基薄膜及其制备方法_长三角物理研究中心有限公司_202511761573.0
    本发明涉及电加热薄膜技术领域，特别是一种柔性非晶合金基薄膜及其制备方法，制备时以FeSiB靶和Ag靶作为溅射靶材，以柔性膜为基材，通过磁控溅射的方式，在基材的表面交替沉积FeSiB层和FeSiBAg层。通过FeSiB层和FeSiBAg层交替...
    2026-03-20
  • 一种金属基镍铬应变薄膜及其制备方法和应用
    一种金属基镍铬应变薄膜及其制备方法和应用_中国工程物理研究院总体工程研究所_202511511675.7
    本发明公开了一种金属基镍铬应变薄膜及其制备方法和应用，涉及传感器应变薄膜技术领域，采用离子束溅射法制备，具体方法为：首先进行预溅射，然后进行正式溅射，在绝缘层薄膜上沉积镍铬合金应变薄膜；预溅射和正式溅射时的电压为500V~800V，加速电压...
    2026-03-20
  • 工件承载装置的更换方法、工件承载装置及用于涂覆基板的生产车间
    工件承载装置的更换方法、工件承载装置及用于涂覆基板的生产车间_ALD真空技术有限公司_202511274756.X
    本揭露是有关于一种用于在一生产车间(10)中更换一工件承载装置(50)以涂覆多个基板(12)的方法。此方法包括以下步骤：通过一机器人(16)将依工件承载装置(50)从一供应区(20)移动到一处理区(14)；通过机器人(16)进一步移动工件承...
    2026-03-20
  • 一种用于真空镀膜机的工件旋转机构
    一种用于真空镀膜机的工件旋转机构_苏州茗泰科技有限公司_202511716980.X
    本发明公开了一种用于真空镀膜机的工件旋转机构，涉及真空镀膜设备技术领域。本发明包括底座，底座转动连接有第一转盘，第一转盘转动连接有套杆，底座安装有转动装置，第一转盘与转动装置相连接，套杆安装有升降装置，有升降装置包括升降皮带，第一转盘安装有...
    2026-03-20
  • 真空镀膜机的镀膜控制系统
    真空镀膜机的镀膜控制系统_深圳市山禾乐科技开发有限公司_202511455227.X
    本发明涉及镀膜设备技术领域，具体是涉及真空镀膜机的镀膜控制系统，包括缓冲腔和设置于缓冲腔内部的真空腔，真空腔内还设置有放料组件；真空腔包括固定舱和移动舱，缓冲腔与真空腔之间留有过渡空间，缓冲腔上设置有能开启的舱门，通过缓冲腔的设置，在取放物...
    2026-03-20
  • 一种顶针支撑机构、调节方法及薄膜沉积设备
    一种顶针支撑机构、调节方法及薄膜沉积设备_拓荆科技(上海)有限公司_202511484373.5
    本发明提供了一种顶针支撑机构、一种顶针支撑机构的调节方法，以及一种薄膜沉积设备。所述顶针支撑机构包括：顶针支板，设于顶针的下方，所述顶针支板上表面设有多条安装槽；以及多个顶针支座，可拆卸地安装于所述顶针支板的至少一条所述安装槽，以对准对应的...
    2026-03-20
  • 一种提升膜层质量的镀膜鼓防污组件
    一种提升膜层质量的镀膜鼓防污组件_北京北方华创真空技术有限公司_202511301230.6
    本申请涉及一种提升膜层质量的镀膜鼓防污组件，涉及物理气相沉积镀膜的技术领域，一种提升膜层质量的镀膜鼓防污组件包括上、中、下三部分；上部：一对带粘性套的挡灰辊；中部：倒八结构不对称防污机构，防污机构包括入鼓侧的垂直L型防污件和出鼓侧的V型防污...
    2026-03-20
  • 屏蔽罩套件和沉积设备
    屏蔽罩套件和沉积设备_深圳市新凯来工业机器有限公司_202511460268.8
    本申请提供一种屏蔽罩套件和沉积设备，屏蔽罩套件用于沉积设备，屏蔽罩套件包括屏蔽罩本体和隔离环，屏蔽罩本体包括围合形成反应空间的屏蔽罩侧壁，隔离环包括隔离本体，隔离本体设于屏蔽罩侧壁朝向反应空间的内表面，且朝屏蔽罩套件的中心延伸。利用本申请提...
    2026-03-20
  • 一种薄膜沉积设备、控制方法及存储介质
    一种薄膜沉积设备、控制方法及存储介质_拓荆科技(上海)有限公司_202511479766.7
    本发明提供了一种薄膜沉积设备、一种薄膜沉积设备的控制方法，以及一种计算机可读存储介质。所述薄膜沉积设备包括：腔室本体，其中设有多个第一加热盘，其中，各所述第一加热盘上分别设有多个第一顶针，用于顶起对应的第一加热盘上的晶圆；第一升降机构，设于...
    2026-03-20
  • 一种金属丝镀膜传送机构
    一种金属丝镀膜传送机构_沈阳明日设备技术有限公司_202511514198.X
    本发明公开了一种金属丝镀膜传送机构，涉及金属丝镀膜技术领域，包括收丝工作区及镀膜工作区，收丝工作区的内部下端设有收丝滚轴，收丝工作区的外部一侧设有收丝电机，收丝电机的动力输出端通过磁流体密封传动组件与收丝滚轴连接，收丝工作区的内部上下端分别...
    2026-03-20
  • 一种复合涂层刀具及其制备方法
    一种复合涂层刀具及其制备方法_赣州澳克泰工具技术有限公司_202511853162.4
    本申请属于硬质合金涂层刀具技术领域，具体涉及一种复合涂层刀具及其制备方法，所述复合涂层包括打底层、功能层以及位于两者之间的Ti‑Al‑B‑Si过渡层。过渡层中Si元素含量自打底层向功能层方向递增；功能层为hcp‑(Ti1‑a‑1‑a‑bbA...
    2026-03-20
  • 一种金刚石膜及金刚石膜的制备方法
    一种金刚石膜及金刚石膜的制备方法_嘉兴沃尔德金刚石工具有限公司_202511409654.4
    本申请公开了一种金刚石膜及金刚石膜的制备方法，包括步骤：S1、准备半导体衬底，并对半导体衬底进行预处理；S2、对半导体衬底进行切割，沿半导体衬底的侧面圆形轮廓且位于中心平面处开设一圈沟槽；S3、通过掩膜金属丝沿沟槽绑定半导体衬底，掩膜金属丝...
    2026-03-20
  • α-In2Se3薄膜的制作方法
    α-In2Se3薄膜的制作方法_浙江大学_202511493067.8
    本发明涉及一种α‑In22Se33薄膜的制作方法，本方法利用CVD工艺在氟金云母衬底表面沉积形成β′‑In22Se33薄膜，再以100℃/min~200℃/min的速率将炉温由750℃~780℃降至室温，使所述β′‑In22Se33薄膜相变...
    2026-03-20
  • 一种高纯金属钒碘化沉积炉
    一种高纯金属钒碘化沉积炉_武汉科技大学_202511651256.3
    本发明涉及一种高纯金属钒碘化沉积炉。其技术方案是：高纯金属钒碘化沉积炉由碘化沉积炉体、中间加热装置、加碘及抽真空系统和测温系统组成。碘化沉积炉体由炉身和炉盖组成，炉盖内衬(5)和炉身内衬(8)构成真空室(9)；中间加热装置结构是，真空室(9...
    2026-03-20
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