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最新专利技术
  • 沉积质量控制方法以及执行该方法的沉积质量控制系统
    沉积质量控制方法以及执行该方法的沉积质量控制系统_三星显示有限公司_202510900893.3
    本申请公开了一种沉积质量控制方法以及执行该方法的沉积质量控制系统，该方法包括：输入与第一沉积时间有关的信息；在第一沉积时间期间在第N‑2基板上形成第N‑2封装层并且在第N‑1基板上形成第N‑1封装层；测量第N‑2封装层和第N‑1封装层中的每...
    2026-03-15
  • 一种真空镀膜机转架控制系统、控制方法及真空镀膜方法
    一种真空镀膜机转架控制系统、控制方法及真空镀膜方法_诚联恺达(河北)科技股份有限公司_202511457841.X
    本发明属于真空镀膜技术领域，涉及一种真空镀膜机转架控制系统、控制方法及真空镀膜方法。真空镀膜机转架控制系统包括动力模块、传输管路、执行模块、数据采集模块、控制模块和驱动模块，动力模块通过传输管路与执行模块连接，形成可控的动力传输通道，为转架...
    2026-03-15
  • 一种用于镀膜机分段镀铝遮板的热变形补偿系统
    一种用于镀膜机分段镀铝遮板的热变形补偿系统_山东金川顺为新材料科技有限公司_202511507285.2
    本发明公开了一种用于镀膜机分段镀铝遮板的热变形补偿系统，涉及先进有色金属材料技术领域，能够解决现阶段镀膜机分段镀铝遮板热变形补偿系统，因缺乏局部热负荷与热变形耦合的精准分析及补偿滞后评估，导致补偿精度不足、膜厚不稳定的技术问题，包括：数据采...
    2026-03-15
  • 一种基于高度误差的均匀性挡板修正方法和装置
    一种基于高度误差的均匀性挡板修正方法和装置_中国工程物理研究院激光聚变研究中心_202511527395.5
    本发明公开了一种基于高度差的均匀性挡板修正方法和装置，涉及光学薄膜制备领域技术领域。该方法包括：对工件平面进行环带划分；确定每个环带在相同沉积时间内的沉积量总量；确定一个沉积量阈值；计算沉积量总量与沉积量阈值之间的沉积量差值；根据沉积量差值...
    2026-03-15
  • 一种均匀性挡板的修正设计方法和系统
    一种均匀性挡板的修正设计方法和系统_中国工程物理研究院激光聚变研究中心_202511554045.8
    本发明公开了一种均匀性挡板的修正设计方法和系统，涉及光学薄膜制备技术领域。该方法包括：对工件平面和薄膜沉积平面进行划分得到一级环带；将薄膜沉积平面上每两个一级环带之间再次平均划分得到二级环带；计算二级环带的沉积量平均值；计算工件在每个二级环...
    2026-03-15
  • 挡板结构、挡板结构控制方法、靶装置及溅射系统
    挡板结构、挡板结构控制方法、靶装置及溅射系统_四川九天真空科技有限公司_202511448099.6
    本申请提供一种挡板结构、挡板结构控制方法、靶装置及溅射系统，涉及材料溅射技术领域。挡板结构包括：驱动机构、控制件、挡板组件和限位机构；驱动机构和限位机构固定在外部的靶结构上；驱动机构与控制件的第一端连接，驱动机构用于驱动控制件运动；控制件的...
    2026-03-15
  • 一种自动化真空镀膜机
    一种自动化真空镀膜机_江西省中泰芯光学有限公司_202511493250.8
    本发明涉及金属材料的镀膜技术领域，尤其涉及一种自动化真空镀膜机。包括有支撑台和镀膜机主体，支撑台上安装有镀膜机主体，镀膜机主体内底部和内顶部分别设置有底盘和顶盘，底盘和顶盘上均转动设置有转盘，连接于底盘的转盘上呈环形间隔转动设置有圆板。本发...
    2026-03-15
  • 一种晶圆真空镀膜设备
    一种晶圆真空镀膜设备_安徽其芒光电科技有限公司_202511564751.0
    本申请公开一种晶圆真空镀膜设备，涉及真空镀膜技术领域，包括镀膜腔、传送腔、以及至少两个冷却腔。镀膜腔包括第一壳体、支撑板、承载块、靶材、第一驱动件和第二驱动件；支撑板设置于第一壳体内；多个承载块可移动地设置于支撑板下方；靶材固定设置于第一壳...
    2026-03-15
  • 一种多舱式真空镀膜生产线
    一种多舱式真空镀膜生产线_广东汇成真空科技股份有限公司_202511646172.0
    本发明公开了一种多舱式真空镀膜生产线，其包括进片舱、前处理舱、镀膜工艺舱、后处理舱和出片舱，各个舱内部相连通形成一条运输通道，各个舱内部设有工件运输机构，生产线至少在进片舱和出片舱设有插板阀；镀膜工艺舱设有中部运输腔室、上镀膜腔室和顶升旋转...
    2026-03-15
  • 通过提高OLED CVD掩膜防电弧性能的分步涂布的大面积多分割掩膜多重涂布方法
    通过提高OLED CVD掩膜防电弧性能的分步涂布的大面积多分割掩膜多重涂布方法_威福斯株式会社_202411751714.6
    本发明涉及一种通过提高OLED CVD掩膜防电弧性能的分步涂布的大面积多(分割)掩膜多重涂布方法。由此，本发明的技术要旨的特征在于，将辅助掩膜先行接合于掩膜框架后，在除形成有焊点熔核的遮蔽区域之外的表面整体进行第一次涂布；然后接合图案掩膜后...
    2026-03-15
  • 一种用于储存高纯度固态源材料的容器预处理方法及系统
    一种用于储存高纯度固态源材料的容器预处理方法及系统_安徽亚格盛电子新材料股份有限公司_202511465319.6
    本发明涉及半导体技术领域，具体公开了一种用于储存高纯度固态源材料的容器预处理方法，包括以下步骤：初始填充与称重：向钢瓶中加入定量的目标固体源材料，称重并记录初始总重量；制作涂层：将填充后的钢瓶置于加热设备中，启动设备对钢瓶进行程序化的加热与...
    2026-03-15
  • 一种化学气相沉积覆盖剂的制备方法和化学气相沉积方法
    一种化学气相沉积覆盖剂的制备方法和化学气相沉积方法_湖南联合半导体科技有限公司_202511378980.3
    本发明公开了一种化学气相沉积覆盖剂的制备方法和化学气相沉积方法，该化学气相沉积覆盖剂的制备方法，包括以下步骤：a1、制备纳米氧化锌溶胶；a2、将石墨烯量子点与水共混均匀，得到石墨烯量子点水溶液；a3、将步骤a1中制得的纳米氧化锌溶胶与步骤a...
    2026-03-15
  • 一种制备金刚石种子层的方法
    一种制备金刚石种子层的方法_安徽尤品新材料有限公司_202511138516.7
    本发明公开了一种制备金刚石种子层的方法，包括以下步骤，S1、衬底预处理：对衬底表面进行清洗处理；S2、金刚石微粉悬浮液配制：将金刚石微粉分散于溶剂中，形成均匀悬浮液；S3、超声波涂覆：将步骤S2中配制好的金刚石微粉悬浮液倒入超声波涂覆机的料...
    2026-03-15
  • 一种清理装置及反应腔室排气口的清理方法
    一种清理装置及反应腔室排气口的清理方法_楚赟精工科技(上海)有限公司_202311845300.5
    本发明公开了一种清理装置及反应腔室排气口的清理方法，其中清理装置包括多个升降抖动组件及多个控制组件。在与反应腔室的排气口连接的排气管路内设置升降抖动组件，多个升降抖动组件位于与排气口相连通的排气管路中靠近排气口的一端，多个升降抖动组件绕排气...
    2026-03-15
  • 一种基于熔盐介质的超高温金属气源制备超高温陶瓷涂层的方法
    一种基于熔盐介质的超高温金属气源制备超高温陶瓷涂层的方法_中南大学_202511841112.4
    本发明公开了一种基于熔盐介质的超高温金属气源制备超高温陶瓷涂层的方法，将低熔点盐A、金属氟酸盐、金属M混合获得混合物C，将混合物C置于第一坩埚中，将低熔点盐B、金属M混合获得混合物D，将混合物D置于第二坩埚中，将碳基材置于沉积炉中，然后对第...
    2026-03-15
  • 混合器和沉积设备
    混合器和沉积设备_华为技术有限公司_202410878118.8
    本申请实施例提供一种混合器和沉积设备，涉及半导体制造领域，用于提高沉积设备所形成的薄膜的质量。沉积设备包括反应室和混合器。反应室包括进气口和出气口。反应室的内部设有载物台，载物台位于进气口和出气口之间。混合器包括壳体，以及连接于壳体的出气管...
    2026-03-15
  • 进气结构、半导体加工设备和进气方法
    进气结构、半导体加工设备和进气方法_北京北方华创微电子装备有限公司_202410883433.X
    本发明提供了一种进气结构、半导体加工设备和半导体加工的进气方法，涉及半导体加工技术领域，以解决工艺腔室中工艺气体不均匀的问题。进气结构，用于半导体加工设备，半导体设备具有工艺腔室，进气结构包括进气本体，进气本体中设有匀气腔，进气本体上设有与...
    2026-03-15
  • 用于调节ALD制备氧化锡均匀性的装置以及方法
    用于调节ALD制备氧化锡均匀性的装置以及方法_无锡松煜科技有限公司_202511206229.5
    本申请涉及一种用于调节ALD制备氧化锡均匀性的装置以及方法，属于半导体材料的技术领域。它通过设计带可调挡风板的匀流板，从而控制腔室抽气区域大小分布；在制备方法上，先进行沉积实验获取膜厚分布数据，依据无膜区和薄膜区增大抽气孔径，厚膜区减小孔径...
    2026-03-15
  • 基于物理吸附的原子层沉积方法
    基于物理吸附的原子层沉积方法_南方科技大学_202511320758.8
    本申请涉及微纳加工技术领域，尤其涉及一种基于物理吸附的原子层沉积方法，包括：提供基底；选取与基底表面合能为1～25kJ/mol的第一前驱体，将第一前驱体在基底上进行第一沉积循环，在基底表面形成物理吸附层；其中，第一沉积循环的每次循环包括：将...
    2026-03-15
  • 一种可精确控制前驱体的薄膜沉积反应系统
    一种可精确控制前驱体的薄膜沉积反应系统_苏州镓耀半导体科技有限公司_202511357691.5
    本申请公开了一种可精确控制前驱体的薄膜沉积反应系统，包括前驱体输送管路和薄膜沉积反应装置，薄膜沉积反应装置设有两个进气孔和一个排气口，进气孔分别与一路前驱体输送管路连通，前驱体输送管路包括源供应管路和吹扫管路，吹扫管路包括吹扫控制阀门和吹扫...
    2026-03-15
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