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最新专利技术
  • 一种多晶金刚石薄膜生成方法、系统、终端及存储介质
    一种多晶金刚石薄膜生成方法、系统、终端及存储介质_深圳优普莱等离子体技术有限公司_202511770963.4
    本发明属于金刚石培育技术领域，公开了一种多晶金刚石薄膜生成方法、系统、终端及存储介质，所述方法包括：确定目标MPCVD设备，并对所述目标MPCVD设备中的反应腔体进行腔体清洗处理和起辉处理，得到目标反应腔体；确定目标形核配方，并根据所述目标...
    2026-03-11
  • 一种用于刻蚀设备的碳化硅聚焦环及其制备方法
    一种用于刻蚀设备的碳化硅聚焦环及其制备方法_北京亦盛精密半导体有限公司_202511351638.4
    本申请涉及刻蚀设备零部件的技术领域，具体涉及一种用于刻蚀设备的碳化硅聚焦环及其制备方法。该制备方法为：利用化学气相沉积法对石墨基体进行碳化硅沉积，获得碳化硅坯体，以碳化硅坯体为坯体材料进行外形加工，即得碳化硅聚焦环；沉积参数如下：单位MTS...
    2026-03-11
  • 一种适用于钛合金加工的涂层刀具及其制备方法
    一种适用于钛合金加工的涂层刀具及其制备方法_赣州澳克泰工具技术有限公司_202511796578.7
    本申请属于切削刀具生产制造领域，具体涉及一种适用于钛合金加工的涂层刀具及其制备方法，所述涂层刀具从内向外依次包括：增韧基体、CrN涂层、Cr‑B‑N涂层、CrB2/CraAlbNc涂层和(CrxAlyBz)N涂层，所述CrB2/CraAlb...
    2026-03-11
  • 碳化硅炉管制备方法及炉管安装结构
    碳化硅炉管制备方法及炉管安装结构_西安隆基乐叶光伏科技有限公司_202511286635.7
    本申请属于镀膜设备技术领域，尤其是涉及一种碳化硅炉管制备方法及炉管安装结构。该炉管安装结构包括炉体、炉管以及法兰组件。炉体内形成有沿炉体的轴向贯穿的炉体腔，且炉体的轴向一端为炉体口；炉管沿轴向穿入于炉体腔且内形成有炉管腔，炉管的轴向一端为炉...
    2026-03-11
  • 一种集成型半导体反应腔室
    一种集成型半导体反应腔室_靖江嘉昇和真空技术有限公司_202511626491.5
    本发明涉及半导体反应腔室相关技术领域，一种集成型半导体反应腔室，包括壳体，所述壳体的底部安装有底板，所述底板的底部安装有调节机构，且调节机构的顶部安装有托料盘，所述底板的顶部安装有转动机构，所述壳体的内壁安装有清洁机构；通过设置调节机构使得...
    2026-03-11
  • 一种适用于高粘度前驱体的源瓶
    一种适用于高粘度前驱体的源瓶_合肥安德科铭半导体科技有限公司_202511474311.6
    本发明公开了一种适用于高粘度前驱体的源瓶，涉及半导体薄膜沉积领域，包括：瓶体、瓶盖、进气管以及出气管；瓶盖通过螺栓可拆卸安装在瓶体上的开口处，瓶体内置高粘度前驱体，进气管和出气管分别插接在瓶盖上并伸入瓶体内，通过歧管结构和多个出气口将单股载...
    2026-03-11
  • 一种原子层沉积设备及沉积方法
    一种原子层沉积设备及沉积方法_中微半导体设备(上海)股份有限公司_202410843600.8
    本发明公开了一种原子层沉积设备及沉积方法，其中，原子层沉积设备包括：反应腔；主进气管路，所述主进气管路的第一端连通反应气源，第二端连通反应腔；控压管路，其第一端连通主进气管路，第二端连通气泵；惰性气体管路，其第一端连通惰性气体气源，第二端连...
    2026-03-11
  • 一种工艺配方的处理方法、上位机以及半导体工艺设备
    一种工艺配方的处理方法、上位机以及半导体工艺设备_北京北方华创微电子装备有限公司_202410852390.9
    本申请提供的工艺配方的处理方法，解决了对于晶圆数量不同的工艺，手动调整工艺参数，降低了出货效率以及增加了数据统一管理的难度的技术问题。本申请通过预先配置参数表，参数表包括目标参数与预设工艺参数的对应关系，当执行当前工艺批次时，根据当前工艺批...
    2026-03-11
  • 工艺腔室
    工艺腔室_北京北方华创微电子装备有限公司_202410852796.7
    本申请公开一种工艺腔室，其包括腔体、基座、顶针和连接件，其中，所述基座和所述顶针均设置于所述腔体内，所述基座设有多个通孔，各所述通孔中一一对应设有所述顶针，所述顶针均包括针体和限位件，所述限位件固定连接于所述针体的外表面；所述连接件固定连接...
    2026-03-11
  • 多区域热控喷淋头
    多区域热控喷淋头_ASMIP私人控股有限公司_202510854882.6
    提供了一种用于在反应室内分配气体的喷淋头组件。喷淋头组件包括顶板、气体分配板和多个热可控区域。气体分配板联接至顶板。气体分配板还具有面向顶板的顶表面和配置为面向设置在反应室内的衬底的底表面。多个热可控区域被制造在顶板和气体分配板中的至少一个...
    2026-03-11
  • 间隙填充方法、系统和设备
    间隙填充方法、系统和设备_ASMIP私人控股有限公司_202510857705.3
    公开了一种用于在衬底的凹部中沉积氧化物的方法、系统和设备，并且包括：a)在室中提供衬底，衬底包括通向凹部的至少一个开口，b)首先将前体脉冲到室中以优先化学吸附在第一区域中，c)将氧物质脉冲到室中以在与化学吸附的前体接触时在第一区域中形成第一...
    2026-03-11
  • 一种基于板式ALD双面沉积氧化铝膜的方法及应用
    一种基于板式ALD双面沉积氧化铝膜的方法及应用_泰州中来光电科技有限公司_202511406311.2
    本发明涉及太阳能电池制造技术领域，公开了一种基于板式ALD双面沉积氧化铝膜的方法及应用。该基于板式ALD双面沉积氧化铝膜的方法，搭配使用特制的镂空载板结构(镂空载板的缝隙宽度控制在1‑3cm)，并优化板式ALD的双面氧化铝膜的沉积工艺(包括...
    2026-03-11
  • 一种反应腔室及半导体薄膜沉积设备
    一种反应腔室及半导体薄膜沉积设备_拓荆科技(上海)有限公司_202511463491.8
    本发明公开了一种反应腔室及半导体薄膜沉积设备，反应腔室内具有喷淋板，喷淋板的上方具有加热单元，反应腔室包括腔室本体、上盖板、第一隔热单元以及第二隔热单元，上盖板位于腔室本体的开口处，第一隔热单元覆盖在腔室本体的外侧，第二隔热单元位于上盖板外...
    2026-03-11
  • 一种盘式激光增强原子层沉积反应器与实现方法
    一种盘式激光增强原子层沉积反应器与实现方法_西安近代化学研究所_202511464656.3
    本发明提供了一种盘式激光增强原子层沉积反应器与实现方法，原子层沉积反应器本体和激光器；原子层沉积反应器本体包括样品腔，样品腔的顶部安装有样品腔上盖，样品腔上盖的顶部安装有插板阀，插板阀的顶部设置有插板阀真空法兰接口；插板阀真空法兰接口上安装...
    2026-03-11
  • 一种环路热管系统、控温方法及存储介质
    一种环路热管系统、控温方法及存储介质_拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司_202511795942.8
    本申请涉及一种环路热管系统、控温方法及存储介质，该环路热管系统包括：主换热器、存储容器及制冷回路；所述主换热器包括腔体，在所述腔体内设置被制冷剂浸没的所述存储容器；所述制冷回路与所述腔体连通，所述制冷回路上设置有变速泵及次换热器；所述次换热...
    2026-03-11
  • 一种沉积装置、半导体设备和检测方法
    一种沉积装置、半导体设备和检测方法_华为技术有限公司_202410868976.4
    本申请实施例提供一种沉积装置、半导体设备和检测方法，涉及半导体技术领域。该沉积装置包括：沉积腔；设置在沉积腔中的基座；设置在沉积腔中的喷涂装置，喷涂装置位于基座上方；多个传感器，多个传感器的感测端分别朝向基座的不同位置点，且分别朝向喷涂装置...
    2026-03-11
  • 衬底处理方法
    衬底处理方法_ASMIP私人控股有限公司_202510846514.7
    提供了在命令信号从控制器传输到衬底处理设备时提高控制时间精度以及在处理衬底时提高过程稳定性的方法。使用其形成膜的方法包括将过程控制参数输入到第一控制器中，将过程控制参数从第一控制器下载到第二控制器，以及在衬底上形成膜。
    2026-03-11
  • 一种用于CVD涂层设备的多温区加热温度控制方法及控制系统
    一种用于CVD涂层设备的多温区加热温度控制方法及控制系统_精工锐意科技(河南)有限公司_202511335254.3
    本发明提出一种用于CVD涂层设备的多温区加热温度控制方法，步骤为，根据工艺需求为每个温区设定温度调节目标值并设定操作点；基于设定的操作点和每个温区设定温度调节目标值获取各温区的温度控制曲线，基于温度控制曲线以预调节方式对各温区的温度进行快速...
    2026-03-11
  • 一种不锈钢管道表面处理方法
    一种不锈钢管道表面处理方法_泰州核纯管业科技有限公司_202511393654.X
    本发明公开一种不锈钢管道表面处理方法，依次进行预处理与机械处理、化学处理及表面涂层处理：预处理通过脱脂清洗、喷砂/喷丸粗化及粉尘清除获洁净粗化表面；化学处理经酸洗活化、钝化及控电导率清洗，形成初步防护并保障洁净；表面涂层处理制备无机‑有机杂...
    2026-03-11
  • 一种化学镀镍的氢化钛颗粒、活性钎焊膏、及AMB陶瓷覆铜板的制备方法
    一种化学镀镍的氢化钛颗粒、活性钎焊膏、及AMB陶瓷覆铜板的制备方法_厦门海赛米克新材料科技有限公司_202511682836.9
    本发明公开了一种化学镀镍的氢化钛颗粒的制备方法，一种基于化学镀镍的氢化钛颗粒的活性钎焊膏的制备方法，以及一种基于镀镍氢化钛颗粒活性钎金属焊膏的AMB陶瓷覆铜板的制备方法，通过在氢化钛表面化学镀镍，不仅可以避免钎料中钛的氧化，而且在钎焊过程中...
    2026-03-11
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