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最新专利技术
  • 散装供料器
    散装供料器_株式会社富士_202380098642.7
    散装供料器具备：供料器主体；轨道部件，以可拆装的方式安装于供料器主体，且具有向上方开口而以可拾取的方式供给元件的供给区域；盖板，以可开闭的方式设于轨道部件，且在关闭状态下堵住供给区域的开口；可动部件，以能够沿着盖板的开闭方向移动的方式设于供...
    2025-12-28
  • 带切断装置
    带切断装置_松下知识产权经营株式会社_202480035895.4
    切断载带的带切断装置具有：壳体，其具备供载带通过的开口；切断刃，其配置于壳体内，用于切断载带；带保持单元，其保持载带，并在载带通过开口而被切断刃切断的带切断位置与载带配置于开口的外部的带设置位置之间能够在载带的宽度方向上移动；以及第一遮蔽构...
    2025-12-28
  • 监视器指定装置
    监视器指定装置_株式会社富士_202380098340.X
    监视器指定装置具备多个监视器和指定部。多个监视器能够由作业者在画面上操作对基板进行预定的对基板作业的对基板作业机。指定部使作业者在画面上指定有效监视器，该有效监视器是多个监视器中的至少一个具有操作对基板作业机的操作权的监视器。
    2025-12-28
  • 半导体装置及其制造方法
    半导体装置及其制造方法_长江存储科技有限责任公司_202480000994.9
    提供了半导体装置及其制造方法。所公开的半导体装置包括第一半导体堆叠体以及垂直地堆叠在第一半导体堆叠体上的第二半导体堆叠体。第一半导体堆叠体包括：第一晶体管层，其包括第一垂直晶体管的阵列，每个第一垂直晶体管包括第一垂直沟道结构，第一垂直沟道结...
    2025-12-28
  • 半导体器件及其形成方法
    半导体器件及其形成方法_长江存储科技有限责任公司_202480001027.4
    一种半导体器件包括存储器结构和耦合到存储器结构的外围结构。外围结构包括第一掺杂区域、第一晶体管结构阵列、第二晶体管结构阵列和第一抽头结构。第一晶体管结构阵列和第二晶体管结构阵列布置在第一掺杂区域中，第一掺杂区域配置在第一方向和垂直于第一方向...
    2025-12-28
  • FINFET结构中的空气间隙减少
    FINFET结构中的空气间隙减少_应用材料公司_202480027228.1
    描述了形成晶体管，例如FinFET的方法。在沟槽中形成共形衬垫层。在沟槽结构的金属间隙填充期间以规则或半规则间隔引入金属氮化物材料，以防止在结构内形成空隙(气隙)。该金属氮化物材料和该金属间隙填充材料可以藉由原子层沉积方法来沉积。
    2025-12-28
  • 三维存储器阵列中的存储器单元保护层
    三维存储器阵列中的存储器单元保护层_美光科技公司_202380083092.1
    描述用于三维存储器阵列中的存储器单元保护层的方法、系统及装置。存储器装置可支持存取布置成三维架构的存储器阵列的存储器单元。所述三维架构可包含由介电材料的层阶分离的存储器单元的层阶，使得所述存储器单元形成在所述介电材料之间。为了防止或减少给定...
    2025-12-28
  • 光学互连式高带宽存储器架构
    光学互连式高带宽存储器架构_艾维森纳科技有限公司_202480030437.1
    系统单芯片(SoC)能够与存储器光学地互连。所述SoC以及第一电子与光子IC芯片能够容纳于同一半导体封装中。所述第一电子与光子IC芯片能够和第二电子与光子IC芯片进行光学通信，所述第二电子与光子IC芯片和存储器进行电通信。所述第一及第二电子...
    2025-12-28
  • 半导体装置
    半导体装置_美蓓亚功率半导体株式会社_202480032262.8
    在纵沟道翅片构造的沟槽MOSFET中，实现沟道区域(5)的宽度和JFET区域(8)的宽度的设计的自由度高的半导体装置(1)。半导体装置(1)是纵沟道翅片构造的沟槽MOSFET，多个沟槽(2)的底面的宽度方向的端部配置在主体区域(9)之中，沟...
    2025-12-28
  • 半导体装置及半导体装置的制造方法
    半导体装置及半导体装置的制造方法_株式会社半导体能源研究所_202480034194.9
    提供一种包括微型晶体管的半导体装置。该半导体装置包括半导体层、第一至第三导电层及第一至第三绝缘层，第一绝缘层设置于第一导电层上，且包括到达第一导电层的第一开口，第二导电层设置于第一绝缘层上，且包括与第一开口重叠的第二开口，第二绝缘层与第一开...
    2025-12-28
  • 半导体装置及半导体装置的制造方法
    半导体装置及半导体装置的制造方法_株式会社半导体能源研究所_202480034667.5
    提供一种高速工作的半导体装置。提供一种包括第一晶体管及第一晶体管上的第二晶体管的半导体装置。第一晶体管包括第一至第三导电层。第二晶体管包括第三至第五导电层。第一导电层与第二导电层间及第三导电层与第四导电层间分别设置有绝缘层。各绝缘层包括到达...
    2025-12-28
  • 用于半导体器件的非导电边缘终端结构及其制造方法
    用于半导体器件的非导电边缘终端结构及其制造方法_艾迪尔半导体器材公司_202480033658.4
    提供了一种在半导体器件中形成边缘终端结构的方法。该方法包括：在半导体衬底上形成外延层，外延层横向地延伸跨过器件中的有源区域和边缘终端区域；在有源区域中形成有源沟槽并且在边缘终端区域中形成至少一个外沟槽，外沟槽和有源沟槽中的每个竖直地延伸穿过...
    2025-12-28
  • 显示基板
    显示基板_京东方科技集团股份有限公司_202580000872.4
    本公开提供了一种显示基板，包括衬底和位于衬底一侧的晶体管，晶体管包括栅极、有源层、以及第一绝缘层，其位于有源层背离衬底的一侧，并覆盖有源层；其中，第一绝缘层包括靠近有源层的第一绝缘子层和远离有源层的第二绝缘子层，第二绝缘子层的氧含量高于第一...
    2025-12-28
  • 自对准背侧接触
    自对准背侧接触_国际商业机器公司_202480035509.1
    一种半导体结构，包括第一晶体管和第二晶体管，第一晶体管包括第一占位体和第一栅极间距，第二晶体管包括第二占位体和第二栅极间距，其中第一栅极间距小于第二栅极间距，并且其中第一占位体小于第二占位体。
    2025-12-28
  • 半导体装置及其制造方法
    半导体装置及其制造方法_株式会社电装_202480031094.0
    在RC‑IGBT中降低恢复损耗并且抑制浪涌电压。一种半导体装置，具有：n型的场截止区，跨IGBT区和二极管区而分布；p型的集电区，在所述IGBT区内配置于所述场截止区的下侧；多个n型的阴极区，在所述二极管区内配置于所述场截止区的下侧；多个p...
    2025-12-28
  • 太阳能电池组件
    太阳能电池组件_凸版控股株式会社_202480033880.4
    图样印刷层具有：第一色图案层(10)，设置在透光性基材的一个面上，由多个第一色网点(11)构成；以及第二色图案层(20)，设置在第一色图案层(10)上，由多个第二色网点(21)构成。在印刷物中，多个第一色网点(11)各自包含第一色用粘合剂(...
    2025-12-28
  • 光检测装置
    光检测装置_索尼集团公司_202480033352.9
    [问题]提供一种有利于有效利用入射光的技术。[解决方案]一种光检测装置，包括：波面控制元件，其控制入射光的波面；光电转换元件，其将接收到的入射光转换为电气信号；和波导部，其在层叠方向上设置在所述波面控制元件和所述光电转换元件之间，具有折射率...
    2025-12-28
  • 光子晶体氮化镓发光元件的制造方法以及照明装置
    光子晶体氮化镓发光元件的制造方法以及照明装置_氮化物半导体株式会社_202480032112.7
    提供了一种针对构成发光元件的GaN层有效地形成光子晶体来获得光子晶体GaN发光元件的方法。本方法包括以下步骤：在蓝宝石基板(10)上依次使n型GaN层(12)、MQW层(14)、p型GaN层(16)外延生长来形成外延结构；在p型GaN层(1...
    2025-12-28
  • 微型LED的等离子体蚀刻侧表面的氯基各向同性表面处理
    微型LED的等离子体蚀刻侧表面的氯基各向同性表面处理_艾迈斯-欧司朗国际有限责任公司_202480034251.3
    本发明涉及一种用于制造光电装置的方法，该方法包括以下步骤：提供至少第一导电类型的第一层、第二导电类型的第二层以及在第一层与第二层之间的有源区的半导体层堆叠；等离子体蚀刻半导体层堆叠，使得半导体层堆叠的至少第一部分被保留并且半导体层堆叠的与第...
    2025-12-28
  • 发光半导体芯片
    发光半导体芯片_艾迈斯-欧司朗国际有限责任公司_202480005136.3
    指定了一种发光半导体芯片，包括：‑具有辐射出射表面(11)的半导体本体(1)，‑在辐射出射表面(11)上的钝化部(2)，‑在钝化部(2)上的接触结构(3)，‑在钝化部(2)中的至少一个开口(4)，其中，接触结构(3)通过至少一个开口(4)在...
    2025-12-28
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