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最新专利技术
  • 一种多基岛引线框架及封装体
    一种多基岛引线框架及封装体_晶艺半导体有限公司_202511426912.X
    本申请提供了一种多基岛引线框架及封装体，涉及封装技术领域。引线框架包括四个基岛、第一类型引脚区和第二类型引脚区。四个基岛分别用于贴装第一功率开关器件、第二功率开关器件、自举二极管和驱动电路。第一类型引脚区分别同第一、第二和第三基岛连接；第二...
    2026-01-14
  • 一种预电镀引线框架及其制备方法
    一种预电镀引线框架及其制备方法_广州丰江微电子有限公司_202511524625.2
    本发明涉及引线框架技术领域，提出了一种预电镀引线框架及其制备方法，包括集成卡框，集成卡框内固定连接有多个引线框架本体，还包括弯折支撑件，弯折支撑件的数量设为多个，集成卡框上对应弯折支撑件设置有圆形扣压件，弯折支撑件与圆形扣压件连接，且弯折支...
    2026-01-14
  • 抗冲击的强化载板
    抗冲击的强化载板_景硕科技股份有限公司_202410803385.9
    一种抗冲击的强化载板，包含基板、刚性绝缘载片、金属柱、树脂层、第一电路层及第二电路层。基板开设有贯穿其上表面及下表面的第一贯孔。各刚性绝缘载片的外周缘的至少一部分上包覆有缓冲层，各刚性绝缘载片开设有贯穿其第一表面及第二表面的第二贯孔。金属柱...
    2026-01-14
  • 抗弯折载板
    抗弯折载板_景硕科技股份有限公司_202410803403.3
    一种抗弯折载板，包含基板、多个陶瓷板、多个金属柱、树脂层、第一电路层及第二电路层。基板具有上表面、下表面及多个贯穿上表面及下表面的第一贯孔。陶瓷板设置于基板的上表面，且陶瓷板彼此扣接成陶瓷板总成，陶瓷板开设贯穿陶瓷板的多个第二贯孔。金属柱填...
    2026-01-14
  • 一种电连接基板、芯片封装结构、电子设备
    一种电连接基板、芯片封装结构、电子设备_华为技术有限公司_202410817418.5
    本申请实施例提供一种电连接基板、芯片封装结构、电子设备。涉及芯片封装技术领域，用于减小电连接基板中裂纹向内扩散，导致基板内部走线断裂的几率。该电连接基板中，围绕第一焊盘在第一表面金属层中设置有相应的反焊盘，围绕第一焊盘在任意一层第一中间金属...
    2026-01-14
  • 封装基板及其制法
    封装基板及其制法_芯爱科技(南京)有限公司_202411181461.3
    一种封装基板及其制法，该封装基板包括核心结构，具有核心板体、连通该核心板体的相对两侧的穿孔及形成于该相对两侧上及穿孔中的介电体；导电通孔，其形成于该穿孔中的介电体中；内线路层，其形成于该相对两侧的介电体上；线路结构，其形成于该内线路层上，包...
    2026-01-14
  • 具有带有外部框架和金属柱的玻璃核心的微电子组件
    具有带有外部框架和金属柱的玻璃核心的微电子组件_英特尔公司_202510648823.3
    公开了具有带有外部框架和金属柱的玻璃核心的微电子组件。在一个方面，微电子组件可以包括玻璃核心(例如，玻璃层或玻璃结构)，其具有第一面、与第一面相对的第二面、在第一面与第二面之间延伸的一个或多个外侧边缘壁以及在第一面与第二面之间延伸的开口。微...
    2026-01-14
  • 一种功率模组及制备方法
    一种功率模组及制备方法_安捷利(番禺)电子实业有限公司_202511068247.1
    本发明公开了一种功率模组及制备方法，模组包括：两路并联且结构相同的电路结构，电路结构包括陶瓷层、上桥功率器件及下桥功率器件；上桥功率器件包括上桥铜座及上桥MOS管；下桥功率器件包括下桥铜座及下桥MOS管；陶瓷层的上表面设有第一铜层，陶瓷层的...
    2026-01-14
  • 具有气隙的半导体元件及其制备方法
    具有气隙的半导体元件及其制备方法_南亚科技股份有限公司_202411849365.1
    本公开提供一种半导体元件以及该半导体元件的制备方法。该半导体元件包括一基底；一漏极，设置在该基底中；一上介电层，设置在该基底上；一单元接触结构，包括：一单元接触下导电层，设置在该上介电层中以及在该漏极上；一单元接触上导电层，设置在该上介电层...
    2026-01-14
  • 基板及其制备方法、封装结构和电子设备
    基板及其制备方法、封装结构和电子设备_华为技术有限公司_202410807532.X
    提供一种基板及其制备方法、封装结构和电子设备，涉及电子元件封装技术领域，可以显著降低基板封装的难度，且可以有效缓解槽填充难度大的隐患，使得基板具有较优的可靠性。基板包括：芯层；层叠设置于芯层内的多个布线层，多个布线层包括第一布线层；芯层中设...
    2026-01-14
  • 半导体装置
    半导体装置_铠侠股份有限公司_202510211020.1
    提供能够将半导体系统的布线设计通用化的半导体装置。实施方式的半导体装置具备：各自层叠有1个以上的半导体芯片的第一半导体模块和第二半导体模块；布线基板，其在第一面上安装有第一半导体模块和第二半导体模块，具有：第一信号线，其将设置于第二面的第一...
    2026-01-14
  • 一种圆片级大功率集成天线T/R组件结构及其制备方法
    一种圆片级大功率集成天线T/R组件结构及其制备方法_上海航天电子通讯设备研究所_202511231561.7
    本发明提供了一种圆片级大功率集成天线T/R组件结构及其制备方法，自下而上包括封装基板层、精细布线连接层、封装盖板层和天线层；封装基板层和封装盖板层均为多层圆片级陶瓷片，一体化集成导热块、电磁屏蔽腔、埋置元件、围框等功能结构；精细布线层通过薄...
    2026-01-14
  • 半导体结构和电子设备
    半导体结构和电子设备_摩尔线程智能科技(北京)股份有限公司_202511590878.X
    本公开涉及一种半导体结构和电子设备，该半导体结构包括基板和存储IO模组，基板包括布线层，存储IO模组设于基板，包括多个堆叠的存储芯片和设于存储芯片与基板之间的IO芯片，存储芯片和IO芯片与布线层电连接。从而，能够将IO芯片和多个存储芯片堆叠...
    2026-01-14
  • 半导体结构和电子设备
    半导体结构和电子设备_摩尔线程智能科技(北京)股份有限公司_202511591084.5
    本公开涉及一种半导体结构和电子设备，该半导体结构包括：基板、逻辑芯片和存储单元，其中，基板包括布线层，逻辑芯片设于基板，存储单元包括多个堆叠设置的存储芯片，每个存储芯片上设有与布线层电连接的连接部，每个存储芯片通过布线层与逻辑芯片电连接。如...
    2026-01-14
  • 裂纹扩展监测结构、晶圆和裂纹扩展监测方法
    裂纹扩展监测结构、晶圆和裂纹扩展监测方法_荣耀终端股份有限公司_202410765532.8
    本申请提供一种裂纹扩展监测结构、晶圆和裂纹扩展监测方法，涉及半导体技术领域，可以监测裂纹的生长，捕捉晶圆在切割过程中造成的裂纹扩展，从而引起的器件损伤；且给出裂纹扩展与温度循环应力的关系，便于后续进行可靠性评估。该裂纹扩展监测结构包括：沿第...
    2026-01-14
  • 晶圆缺陷标记方法及晶圆切片方法
    晶圆缺陷标记方法及晶圆切片方法_无锡芯卓湖光半导体有限公司_202511330086.9
    本申请公开了一种晶圆缺陷标记方法及晶圆切片方法，属于半导体技术领域。该方法包括：检测晶圆中的缺陷的缺陷位置；根据所述缺陷位置，确定微观标记位置，使所述微观标记位置位于所述缺陷位置的周侧；在所述微观标记位置形成微观标记；根据所述缺陷位置和所述...
    2026-01-14
  • 基于多层电磁屏蔽的抗干扰半导体封装装置及其制备方法
    基于多层电磁屏蔽的抗干扰半导体封装装置及其制备方法_国网山西省电力有限公司太原供电分公司_202511731883.8
    本发明涉及半导体技术领域，具体提供了基于多层电磁屏蔽的抗干扰半导体封装装置及其制备方法，装置包括封装壳和压力传感组件；封装壳包括绝缘耐热外壳，以及覆盖所述绝缘耐热外壳的内壁面设置的导电金属镀层；压力传感组件设置在所述导电金属镀层的内部；压力...
    2026-01-14
  • 堆栈的发光装置
    堆栈的发光装置_瑞利光智能股份有限公司_202410768936.2
    本发明提供一种堆栈的发光装置，其包含一第一发光层、一第二发光层、一第三发光层以及一上基板，该第一发光层的一第一共享电极以及一第一扇出电极电性连接一第一发光元件的一上方，该第二发光层的一第二共享电极以及一第二扇出电极电性连接一第二发光元件的一...
    2026-01-14
  • 全彩Micro LED发光结构及其制备方法
    全彩Micro LED发光结构及其制备方法_晶能光电股份有限公司_202410783635.7
    本发明提供了的全彩Micro LED发光结构及其制备方法，其中，在全彩Micro LED发光结构中，包括：配置有沿同一方向分布、位置各异的的第一电极触点、第二电极触点、第三电极触点和第四电极触点的驱动基板，其中，第一电极触点、第二电极触点和...
    2026-01-14
  • 改性锌负极及包含其的水系锌离子电池
    改性锌负极及包含其的水系锌离子电池_中国科学院赣江创新研究院_202511737191.4
    本发明公开了改性锌负极及包含其的水系锌离子电池，该改性锌负极包括负极集流体，所述负极集流体的至少一个表面上设置有改性涂层，所述改性涂层包括稀土基金属有机框架材料和粘结剂。在本发明的改性涂层中，稀土基金属有机框架材料改变了锌负极的微观结构，均...
    2026-01-14
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