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最新专利技术
  • 一种防氧化复合铜的制备方法
    一种防氧化复合铜的制备方法_江阴纳力新材料科技有限公司_202511325494.5
    本发明公开了一种防氧化复合铜的制备方法，涉及金属材料加工技术领域。防氧化复合铜的制备方法：包括以下步骤：将基膜经过磁控溅射铜靶材，形成过渡层；再水电镀沉积铜，形成表面金属层；得到复合铜箔；将复合铜箔置于抗氧化液中，浸泡5~10s，得到防氧化...
    2026-03-07
  • 一种铜靶材的表面处理方法
    一种铜靶材的表面处理方法_武汉江丰电子材料有限公司_202511347153.8
    本发明涉及一种铜靶材的表面处理方法，具体涉及靶材领域，所述表面处理方法包括：对铜靶材溅射面的环形区域和环形区域内的闭合区域分别进行第一等离子表面处理和第二等离子表面处理；所述环形区域的面积＜闭合区域的面积；所述第一等离子表面处理所用气体包括...
    2026-03-07
  • 一种基于中频异质双靶成分调控薄膜实现可见光与微波透过率协同优化的方法
    一种基于中频异质双靶成分调控薄膜实现可见光与微波透过率协同优化的方法_哈尔滨工业大学_202511347905.0
    一种基于中频异质双靶成分调控薄膜实现可见光与微波透过率协同优化的方法，它涉及一种通过中频异质双靶调控薄膜的方法。本发明要解决现有技术难以实现可见光高反射与微波高透过的理想兼容问题。方法：将基体置于真空镀膜设备的样品台上，调节溅射靶与基体的距...
    2026-03-07
  • 一种多层干涉膜制品及其连续制备方法
    一种多层干涉膜制品及其连续制备方法_森科五金(深圳)有限公司_202511507812.X
    本发明公开了一种多层干涉膜制品及其连续制备方法，该多层干涉膜制品的连续制备方法包括步骤：提供连续线镀膜设备，连续线镀膜设备包括依序排列的N个独立的腔体，将基材装载于连续线镀膜设备的转架；在第1个腔体内对基材进行清洗；在第2个腔体至第(N‑1...
    2026-03-07
  • 一种基于定向热辐射调控的街区能源利用材料及制备方法
    一种基于定向热辐射调控的街区能源利用材料及制备方法_河北工业大学_202511696313.X
    本发明涉及能源利用技术领域，尤其涉及一种基于定向热辐射调控的街区能源利用材料及制备方法，材料包括基底建筑材料以及设置在基底建筑材料上表面预设微结构，方法包括：基于热流转向区的棱边轮廓曲线的平滑表征参数确定热流转向区的清洗是否合格，以调节氩气...
    2026-03-07
  • 真空镀膜夹具及装置
    真空镀膜夹具及装置_中国科学院半导体研究所_202410757631.1
    提供一种真空镀膜夹具，可应用于光电、光伏及电子等多个领域。该夹具包括：驱动组件，包括主动盘和行星齿轮结构；传动组件，包括第一连接杆、第二连接杆、第三连接杆和连接结构，连接结构通过第一连接杆与行星齿轮结构连接；以及安装结构，包括第一平板结构，...
    2026-03-07
  • 一种可兼容多尺寸晶圆的镀膜托盘
    一种可兼容多尺寸晶圆的镀膜托盘_成都航天博目电子科技有限公司_202511301775.7
    本发明公开了一种可兼容多尺寸晶圆的镀膜托盘，包括托盘主体，托盘主体上设置有多个台阶式承载环、尺寸标识、中心定位标识、中心环形开槽、多个环形边缘槽、限位钉安装孔及取片豁口；多个台阶式承载环同轴设置，分别用于对不同尺寸的晶圆进行承载并限位；中心...
    2026-03-07
  • 一种工件旋转固定架及含有该固定架的磁控溅射镀膜设备
    一种工件旋转固定架及含有该固定架的磁控溅射镀膜设备_无锡嘉森光学科技有限公司_202511390134.3
    本发明涉及磁控溅射镀膜机技术领域，具体涉及一种工件旋转固定架及含有该固定架的磁控溅射镀膜设备，包括镀膜室，工件处于镀膜室内进行镀膜，还包括：转动盘、支柱和固定架；转动盘转动安装在镀膜室内，由电机驱动旋转，所述支柱竖直固定安装在转动盘上，固定...
    2026-03-07
  • 选择性沉积的表面处理
    选择性沉积的表面处理_应用材料公司_202511184199.2
    公开了选择性沉积期间的表面预处理方法。本公开内容的一个或多个实施方式提供了有助于去除阻隔层的表面预处理。本公开内容的一些实施方式包括表面预处理，其包括暴露具有第一表面和第二表面的基板以修改第一表面，在经修改第一表面上沉积阻隔层，相较于阻隔层...
    2026-03-07
  • 氮气置换装置及化学气相沉积设备
    氮气置换装置及化学气相沉积设备_甬江实验室_202511337036.3
    本申请公开了一种氮气置换装置及化学气相沉积设备，属于半导体制造技术领域。所述氮气置换装置包括置换装置本体、抽气机构、氮气机构、气体浓度传感模块和控制模块，所述置换装置本体形成缓冲腔和反应腔；所述抽气机构与所述缓冲腔相连，用于调节所述缓冲腔内...
    2026-03-07
  • 一种石墨舟饱和方法
    一种石墨舟饱和方法_石家庄晶澳太阳能科技有限公司_202511097214.X
    本发明涉及光伏电池技术领域，公开了一种石墨舟饱和方法，该石墨舟饱和方法包括：对石墨舟预处理；其中，所述预处理包括干法清洗；在石墨舟上沉积掺杂多晶硅层和非晶硅层，形成沉积层。该方法用以解决干法清洗所得的石墨舟的表面杂质仍然残留，进而导致制备出...
    2026-03-07
  • 利用毛发制备CVD培育钻石用高纯含碳气体装置及方法
    利用毛发制备CVD培育钻石用高纯含碳气体装置及方法_桂林星钻超硬材料有限公司_202510126759.2
    本发明公开一种利用毛发制备CVD培育钻石用高纯含碳气体装置及方法，由毛发碳化及气化单元和气体提纯单元组成。毛发碳化及气化单元包括管式真空炉、真空泵、进料管和粗料管。气体提纯单元包括精密过滤器、气体液化器、气体纯化器、存储罐、循环泵、初提纯管...
    2026-03-07
  • 一种高纯碳化硅喷淋头及其制备方法
    一种高纯碳化硅喷淋头及其制备方法_湖北芯火半导体科技有限公司_202511177370.7
    本发明公开了一种高纯碳化硅喷淋头及其制备方法，所述制备方法包括如下步骤：制备牺牲层，牺牲层包括一圆形薄片状的基底，以及多个形成于该基底上的圆柱形的凸台；在牺牲层上沉积第一碳化硅层，沉积厚度要能完全包覆凸台，形成第一沉积体；除去第一沉积体中的...
    2026-03-07
  • 一种快速CVD沉积碳化硅涂层的方法
    一种快速CVD沉积碳化硅涂层的方法_山东旌丞新材料科技有限公司_202511238648.7
    本发明公开的属于碳化硅涂层技术领域，具体为一种快速CVD沉积碳化硅涂层的方法，包括以下步骤：对石墨基底进行预处理；对设备进行调试；将预处理后的基体置于反应炉内，关闭炉门，启动真空系统，将反应炉内压力抽至‑Pa，减少炉内空气对反应的干扰；向反...
    2026-03-07
  • ALD降低双插绕镀的工艺、太阳能电池的制备方法和太阳能电池
    ALD降低双插绕镀的工艺、太阳能电池的制备方法和太阳能电池_正泰新能科技股份有限公司_202411230605.X
    本发明提供了一种ALD降低双插绕镀的工艺，包括以下步骤：S1)将包括若干个卡槽的载具置于ALD工艺设备的腔体中；S2)在硅片的表面形成水膜；S3)在ALD工艺设备的腔体中通入氮气，使两硅片不进行氧化铝膜沉积的表面吸附；S4)将H2O和三甲基...
    2026-03-07
  • 一种制备硅碳负极材料的连续式生产设备及方法
    一种制备硅碳负极材料的连续式生产设备及方法_博鑫元(淄博)新材料科技有限公司_202511679700.2
    本发明公开了一种制备硅碳负极材料的连续式生产设备及方法，涉及锂离子二次电池材料技术领域，包括高温CVD腔室、传送带和舱段，所述高温CVD腔室的内腔安装有加热装置，所述舱段通过所述传送带穿过所述高温CVD腔室，所述舱段的一侧外壁固定连接有真空...
    2026-03-07
  • 一种应用于ALD工艺的液源前驱体供应系统及控制方法
    一种应用于ALD工艺的液源前驱体供应系统及控制方法_中电科工环境技术(武汉)有限公司_202511289775.X
    本申请涉及原子层沉积技术领域，具体公开了一种应用于ALD工艺的液源前驱体供应系统及控制方法，供应系统包括柜体和设于柜体内的主输送管道、载气输送管路、吹扫管路、液源前驱体A钢瓶、液源前驱体B钢瓶、气相前驱体A输送管路、气相前驱体B输送管路、抽...
    2026-03-07
  • 源料装置及原子沉积设备
    源料装置及原子沉积设备_漳州旗滨新能源发展有限责任公司_202511154348.0
    本发明公开了一种源料装置和原子沉积设备，涉及原子沉积技术领域，该源料装置包括外壳、内胆体、管组以及调节件，外壳具有容置腔；内胆体设于容置腔且可沿外壳体的高度方向升降活动，内胆体具有反应腔，内胆体的外顶壁开设有连通反应腔的进气口和出气口；管组...
    2026-03-07
  • 一种喷淋板组件和半导体的工艺设备
    一种喷淋板组件和半导体的工艺设备_拓荆科技股份有限公司_202511263265.5
    本发明公开了一种喷淋板组件和半导体的工艺设备。该喷淋板组件包括：喷淋板本体；支撑孔板，位于所述喷淋板本体的下方，其中，所述支撑孔板的第一面积部与所述喷淋板本体接触配合，以支撑所述喷淋板本体，而其余面积部与所述喷淋板本体间隙配合，形成气体扩散...
    2026-03-07
  • 一种混气机构及其薄膜沉积设备
    一种混气机构及其薄膜沉积设备_拓荆创益(沈阳)半导体设备有限公司_202511326191.5
    本发明公开了一种混气机构及其薄膜沉积设备，混气机构包括：混气本体，所述混气本体内设有第一进气通道和混气腔体，所述混气腔体连通于所述第一进气通道，所述混气本体上设有至少一个第二进气通道，以及与所述第二进气通道连通的若干导气通道，若干所述导气通...
    2026-03-07
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