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最新专利技术
  • 层叠陶瓷电容器
    层叠陶瓷电容器_株式会社村田制作所_202380096401.9
    提供一种能够不增大尺寸地提高电容的层叠陶瓷电容器。层叠陶瓷电容器(1)具有端面侧的第1区域(EA1)、第2区域(EA2)、第3区域(EB1)、第4区域(EB2)、在第1区域(EA1)与第2区域(EA2)之间相对于它们配置得偏靠层叠体(10)...
    2025-11-26
  • 可镀覆单层电容器
    可镀覆单层电容器_京瓷AVX元器件公司_202480027908.3
    提供了单层电容器和电路板。电路板可以包括具有安装表面的电路板基板和至少部分地嵌入该电路板基板内的单层电容器。该单层电容器可以包括形成在衬底的第一表面的至少一部分上的第一钝化层、形成在该第一钝化层的至少一部分上的第一导电层和形成在该衬底的第二...
    2025-11-26
  • 可转换电开关
    可转换电开关_施耐德电气西班牙有限公司_202380072055.0
    本发明涉及一种可转换电开关，其包括：致动摇臂(1)，所述致动摇臂安装在基座(2)上，使得致动摇臂能够在用于连接和断开开关的两个稳定位置之间摇动；以及激活元件(3)，其能够连接到所述致动摇臂(1)，并且当所述激活元件(3)和所述摇臂(1)在激...
    2025-11-26
  • 用于确定断续器单元的估算行程曲线的方法和用于气体绝缘式高压或中压装置的断续器单元
    用于确定断续器单元的估算行程曲线的方法和用于气体绝缘式高压或中压装置的断续器单元_日立能源有限公司_202380096473.3
    本发明涉及一种用于确定高压或中压装置的断续器单元的估算行程曲线(14)的计算机实现的方法，包括以下步骤：‑接收高压或中压装置的断续器单元的参考行程曲线(10)，其中，参考行程曲线(10)描述了在断续器单元的断开操作和/或闭合操作期间断续器单...
    2025-11-26
  • 切断装置
    切断装置_松下知识产权经营株式会社_202480026038.8
    切断装置具备机壳、点火器(2)、导电体(3)和树脂构件(4)。点火器(2)能够产生气体。树脂构件(4)位于机壳的内部，埋设有导电体(3)的一部分。导电体(3)具有从机壳突出的第1端子部(31)、从机壳突出的第2端子部(32)、以及位于点火器...
    2025-11-26
  • 劣化判定装置
    劣化判定装置_株式会社自动网络技术研究所_202480020933.9
    提供一种劣化判定装置，通过适当地判定继电器的劣化的状态，能够更长期地运用继电器。劣化判定装置(1)在车载系统(100)中使用，所述车载系统(100)具备：电力路(11)，是将来自电源部(10)的电力传输到负载(35)的路径；及第一开闭器(3...
    2025-11-26
  • 继电器
    继电器_日立能源有限公司_202480023459.5
    本发明涉及一种继电器，其包括基座组件(2)、由基座组件支撑的继电器机械模块(4)、以及容纳继电器机械模块并连接到基座组件的壳体元件(6)。壳体元件包括被配置用于将继电器附接到支撑件的凸缘(62)。继电器可以通过壳体元件安装在机架或其他支撑件...
    2025-11-26
  • 微机械开关及其制备方法、电子设备
    微机械开关及其制备方法、电子设备_京东方科技集团股份有限公司_202480000554.3
    一种微机械开关及其制备方法、电子设备。该微机械开关，其包括：衬底基板(1)；信号电极(21)、第一参考电极(22)和第二参考电极(23)，设置在衬底基板上，且第一参考电极和第二参考电极分别位于信号电极延伸方向的两侧；层间介质层(4)，至少覆...
    2025-11-26
  • 用于处理高k材料以减少漏电流并增加电容的方法
    用于处理高k材料以减少漏电流并增加电容的方法_应用材料公司_202480026951.8
    本文描述的具体实施例涉及处理用于形成MIM电容器的高k材料的系统和方法。提供了各种高密度等离子体氮化工艺或高密度等离子体氧化工艺和高密度等离子体氮化工艺的组合。
    2025-11-26
  • 用于离子植入的锥光晶圆定向
    用于离子植入的锥光晶圆定向_应用材料股份有限公司_202480027006.X
    离子植入器可包括离子源以生成离子束。离子植入器可包括一组束线组件，以沿离子束轴将离子束导入到基板，以及容纳基板以接收离子束的处理室。离子植入器可包括圆锥光学系统，包括：照明光源，用于将光导入到基板位置；第一偏光片，具有第一偏振轴，配置在照明...
    2025-11-26
  • 使用形状记忆合金提升阀致动器的智能面板
    使用形状记忆合金提升阀致动器的智能面板_应用材料公司_202480027209.9
    本公开的实施例涉及一种实施提升阀以改变喷嘴横截面的面板。在一个实施例中，提供了一种面板。面板包括主体、主体中的多个孔、以及多个提升阀组件。提升阀组件包括提升阀，所述提升阀被配置为在孔的第一部分中行进并且在孔的第二部分中产生可变通路。提升阀组...
    2025-11-26
  • 脉冲电压辅助等离子体轰击
    脉冲电压辅助等离子体轰击_应用材料公司_202480027229.6
    本文提供的实施例总体包括用于控制等离子体引发和维持的设备、等离子体处理系统和方法。一些实施例是针对用于在等离子体处理系统中处理基板的设备。所述设备总体包括：脉冲电压(PV)信号发生器，所述PV信号发生器被配置成向等离子体负载提供偏压信号，以...
    2025-11-26
  • 用于等离子体处理的多电极源组件
    用于等离子体处理的多电极源组件_应用材料公司_202480027887.5
    提供了用于控制使用射频(RF)源功率组件所形成等离子体的均匀性的设备及方法，所述射频源功率组件包括耦接至多电极源组件内安置的两个或多个电极的一或多个谐振调谐电路。通过消除多个RF产生器及单独为所述多个电极供电的匹配器达成改进的等离子体均匀性...
    2025-11-26
  • 用于气体分析的质谱仪及气体分析方法
    用于气体分析的质谱仪及气体分析方法_英福康有限责任公司_202480024574.4
    在用于气体分析的质谱仪(10)中，包括：由真空泵抽空的质谱仪外壳(12)；用于使进入质谱仪外壳(12)的气体原子或分子电离并加速质谱仪外壳(12)中的离子的离子源(16)；用于收集由离子源(16)产生的离子的导电材料制成的离子阱(22)；用...
    2025-11-26
  • 发光封装体
    发光封装体_浜松光子学株式会社_202380097531.4
    本发明的发光封装体具备：框体，其具有使用于维持等离子体的第1光入射于等离子体区域的第1窗部、及使自等离子体发出的第2光自等离子体区域出射的第2窗部；第1电极，其具有面对等离子体区域的第1前端部；第2电极，其具有：第2前端部，其面对等离子体区...
    2025-11-26
  • 发光封装体
    发光封装体_浜松光子学株式会社_202380097533.3
    本发明的发光封装体具备容纳用于产生等离子体的气体的容纳构造体。容纳构造体具有：第1窗部，其使在等离子体产生的等离子体区域用于维持等离子体的第1光入射于等离子体区域；第2窗部，其使自等离子体产生的第2光自等离子体区域出射；第3窗部，其隔着等离...
    2025-11-26
  • 多层外延堆叠及其制备方法
    多层外延堆叠及其制备方法_应用材料公司_202480026974.9
    本公开内容的实施例总体上涉及外延膜堆叠及用于制备外延膜堆叠的气相沉积工艺。在一个或多个实施例中，所生产的经碳掺杂的硅‑锗和硅微型堆叠具有相对较低的缺陷或晶体瑕疵。将含有多个经碳掺杂的硅‑锗和硅微型堆叠的多层外延堆叠沉积在基板上。各多层外延堆...
    2025-11-26
  • RF脉冲辅助的含钨膜沉积
    RF脉冲辅助的含钨膜沉积_应用材料公司_202480027861.0
    示例性半导体处理方法可包括将一种或多种沉积前驱物提供到半导体处理腔室的处理区。所述沉积前驱物可为或包括含钨前驱物。基板可安置在所述半导体处理腔室的所述处理区内。所述方法可包括在所述处理区中形成所述一种或多种沉积前驱物的等离子体。所述等离子体...
    2025-11-26
  • 使用含硼及卤素的前驱物的含金属硬掩模开孔方法
    使用含硼及卤素的前驱物的含金属硬掩模开孔方法_应用材料公司_202480027253.X
    范例半导体处理方法可包括：将含硼及卤素前驱物及含氧前驱物提供至半导体制程腔室的处理区域。基板可容置于处理区域中。含金属硬屏蔽材料层可设置于基板上。含硅材料层可设置于含金属硬屏蔽材料层上。所述方法可包括：形成含硼及卤素前驱物及含氧前驱物的电浆...
    2025-11-26
  • 通过气相掺杂的高深宽比接合区形成
    通过气相掺杂的高深宽比接合区形成_应用材料公司_202480027364.0
    提供了在目标区域中具有改进掺杂的半导体处理方法及半导体结构。方法包括提供设置在半导体处理腔室内的基板，其中在此基板上形成一或多个未掺杂目标区域。方法包括使此一或多个未掺杂目标区域经受预清洁操作，移除存在于此一或多个未掺杂目标区域上的任何氧化...
    2025-11-26
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