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最新专利技术
  • 半导体装置
    半导体装置_三菱电机株式会社_202510506331.0
    本发明提供抑制电极间的短路，提高可靠性的半导体装置。本公开所涉及的半导体装置在半导体基板形成有晶体管，半导体基板具有形成有晶体管的活性区域和活性区域的周围的终端区域，终端区域具备半导体基板之上的第一层间绝缘膜、其上的第二层间绝缘膜、与晶体管...
    2025-12-01
  • 一种IGBT器件及其制造方法
    一种IGBT器件及其制造方法_深圳市芯控源电子科技有限公司_202511022446.9
    本申请公开的属于半导体技术领域，具体为一种IGBT器件，包括器件元胞单元，所述器件元胞单元包括集电极、设置在集电极上的P+区、设置在P+区上的缓冲区、设置在缓冲区上的漂移区、设置在漂移区上的P‑base、设置在P‑base内部的N+区、设置...
    2025-12-01
  • 一种沟槽型IGBT元胞结构、IGBT器件及制备方法
    一种沟槽型IGBT元胞结构、IGBT器件及制备方法_江苏索力德普半导体科技有限公司_202511200400.1
    本发明涉及一种沟槽型IGBT元胞结构、IGBT器件及制备方法，所述沟槽型IGBT元胞结构包括N‑漂移层和有源区，有源区设有P‑体区、若干沟槽和N+发射极区；沟槽包括横向排列的若干栅极沟槽和发射极沟槽，各个沟槽垂直穿过P‑体区进入N‑漂移层内...
    2025-12-01
  • 一种逆导型绝缘栅双极型晶体管及其制备方法
    一种逆导型绝缘栅双极型晶体管及其制备方法_厦门芯一代集成电路有限公司_202511372518.2
    本发明涉及一种逆导型绝缘栅双极型晶体管及其制备方法，逆导型绝缘栅双极型晶体管包括：n‑漂移层、第一n型调节层、第二n型调节层和场截止层，其中，n‑漂移层、第一n型调节层、第二n型调节层和场截止层依次层叠；第一n型调节层的掺杂浓度大于n‑漂移...
    2025-12-01
  • 外延结构的制作方法与外延结构
    外延结构的制作方法与外延结构_环球晶圆股份有限公司_202411894367.2
    一种外延结构的制作方法，包含：提供一基板；于所述基板上方形成一第一缓冲层；于所述第一缓冲层上方形成一粗化层，形成所述粗化层的制程中包含执行一第一低温生长步骤及一高温生长步骤，其中，所述第一低温生长步骤包含于一第一低温温度中形成一第一本质掺杂...
    2025-12-01
  • LDMOSFET器件的制造方法及LDMOSFET器件
    LDMOSFET器件的制造方法及LDMOSFET器件_北京智芯微电子科技有限公司_202510952041.9
    本发明涉及半导体技术领域，提供一种LDMOSFET器件的制造方法及LDMOSFET器件。该方法兼容BCD工艺，通过在场氧化层和氮化物层形成空腔，然后在空腔内沉积多晶硅，只需一次多晶硅淀积即可形成浮动栅和控制栅，简化了制造工艺步骤。该器件中O...
    2025-12-01
  • 一种屏蔽栅沟槽型功率器件及其制备方法
    一种屏蔽栅沟槽型功率器件及其制备方法_希力微电子(深圳)股份有限公司_202511014933.0
    本发明公开了一种屏蔽栅沟槽型功率器件及其制备方法，制备方法包括：在第一沟槽和第二沟槽的内侧以及第一导电类型外延层的上表面沉积厚度一致的厚氧化层；在第一沟槽和第二沟槽中填充屏蔽栅多晶硅和第一硬质掩膜层，以第一硬质掩膜层为掩膜，去除厚氧化层；再...
    2025-12-01
  • 一种基于WSe2异质结构的高迁移率晶体管及其制备方法
    一种基于WSe2异质结构的高迁移率晶体管及其制备方法_北京科技大学_202511139505.0
    本发明公开一种基于WSe2异质结构的高迁移率晶体管及其制备方法，包括制备衬底，衬底材料为二氧化硅，对二氧化硅进行酸洗去除表面杂质，衬底准备完成后，制备WSe2薄膜，将钨源和硒源一起放入反应炉中，温度设定在700℃‑800℃，且使用氮气作为载...
    2025-12-01
  • HEMT芯片制备方法及系统
    HEMT芯片制备方法及系统_广西云芯半导体科技有限公司_202511176615.4
    本发明公开一种HEMT芯片制备方法及系统，其中该方法包括：基于第一刻蚀方法在外延片上的外延层上进行纵向刻蚀，形成若干物理隔离沟槽，借助于物理隔离沟槽，将外延层分割为包括若干独立管芯单元的管芯阵列；对于任一管芯单元，基于第二刻蚀方法，在其侧面...
    2025-12-01
  • 一种改善漏电屏蔽栅MOSFET器件制备方法
    一种改善漏电屏蔽栅MOSFET器件制备方法_华羿微电子股份有限公司_202511475407.4
    本发明提供一种改善漏电屏蔽栅MOSFET器件制备方法。涉及半导体器件制造技术领域，包括，提供半导体衬底，在所述半导体衬底上外延生长N型轻掺杂外延层，并通过光刻及干法刻蚀形成纵深沟槽。该改善漏电屏蔽栅MOSFET器件制备方法，通过优化沟槽形貌...
    2025-12-01
  • 一种LDMOS器件的制备方法及LDMOS器件
    一种LDMOS器件的制备方法及LDMOS器件_合肥晶合集成电路股份有限公司_202511501182.5
    本申请公开了一种LDMOS器件的制备方法及LDMOS器件，LDMOS器件的制备方法包括：提供半导体层，所述半导体层包括用于形成体区的第一区域和用于形成漂移区的第二区域，从靠近第一区域到远离第一区域的方向，第二区域依次包括第一子区域、第二子区...
    2025-12-01
  • GaN HEMT器件及其制备方法
    GaN HEMT器件及其制备方法_深圳大学_202510912806.6
    本申请提供了一种GaN HEMT器件及其制备方法。GaN HEMT器件包括GaN半绝缘衬底、GaN外延层、AlGaN势垒层、漏极金属、栅极金属以及源极金属，GaN半绝缘衬底采用离子辐照氮化镓单晶衬底的方法制备而成，GaN半绝缘衬底、GaN外...
    2025-12-01
  • 一种常关型GaN HEMT器件及制备方法
    一种常关型GaN HEMT器件及制备方法_山东浪潮华光光电子股份有限公司_202510980931.0
    本申请提供的一种常关型GaN HEMT器件及制备方法涉及半导体技术领域。该常关型GaN HEMT器件及制备方法通过在栅极金属和AlGaN势垒层之间引入BaTiO3/SiNx复合介质层调控阈值电压，同时在漏极金属侧设置三维电荷耦合结构优化电场...
    2025-12-01
  • 一种GaN基HEMT器件及其制备方法
    一种GaN基HEMT器件及其制备方法_华南师范大学_202511143174.8
    本发明提供了一种GaN基HEMT器件及其制备方法，属于HEMT器件技术领域。本发明提供的GaN基HEMT器件包括自下而上依次设置的衬底、成核层、缓冲层、沟道层、势垒层和金属电极；所述金属电极包括互不接触的源极、栅极和漏极；所述源极和漏极分别...
    2025-12-01
  • LDMOSFET器件及制造方法、芯片
    LDMOSFET器件及制造方法、芯片_北京智芯微电子科技有限公司_202510952046.1
    本发明涉及半导体技术领域，提供一种LDMOSFET器件及制造方法、芯片。所述器件包括：衬底、体区、漂移区、隔离区、源区、漏区和栅极结构，栅极结构包括第一多晶硅层、第二多晶硅层以及ONO介质层；第一多晶硅层位于体区和漂移区的上方，ONO介质层...
    2025-12-01
  • LDMOSFET器件及制造方法、芯片
    LDMOSFET器件及制造方法、芯片_北京智芯微电子科技有限公司_202510952047.6
    本发明涉及半导体技术领域，提供一种LDMOSFET器件及制造方法、芯片。所述器件包括：衬底、体区、漂移区、第一浅槽隔离区、源区、漏区和栅极结构，体区和漂移区形成于衬底，第一浅槽隔离区形成于漂移区内，源区形成于体区的表面，漏区形成于漂移区的表...
    2025-12-01
  • LDMOSFET器件及制造方法、芯片
    LDMOSFET器件及制造方法、芯片_北京智芯微电子科技有限公司_202510952050.8
    本发明涉及半导体技术领域，提供一种LDMOSFET器件及制造方法、芯片。所述器件包括：衬底、体区、漂移区、源区、漏区、场氧化层和栅极结构，栅极结构包括第一多晶硅层、第二多晶硅层以及ONO介质层；第一多晶硅层嵌入体区内，第二多晶硅层嵌入漂移区...
    2025-12-01
  • 金属氧化物半导体场效应管及其制备方法
    金属氧化物半导体场效应管及其制备方法_天狼芯半导体(杭州)有限公司_202511143648.9
    本申请涉及一种金属氧化物半导体场效应管及其制备方法。金属氧化物半导体场效应管包括衬底、第一导电类型的漂移区、第二导电类型的阱区、栅极结构和第一导电类型的隧穿结结构。隧穿结结构位于漂移区内，隧穿结结构包括第一隧穿层和第二隧穿层。第一隧穿层具有...
    2025-12-01
  • 一种屏蔽栅场效应晶体管及制作方法
    一种屏蔽栅场效应晶体管及制作方法_捷捷微电(南通)科技有限公司_202511283780.X
    本申请提供了一种屏蔽栅场效应晶体管及其制作方法，涉及半导体技术领域。该屏蔽栅场效应晶体管包括控制栅与屏蔽栅，控制栅包括多个主体栅极与多个互连栅极，相邻两个主体栅极之间交错排布，且相邻两个主体栅极的端部位置通过互连栅极相连，并形成方形结构；屏...
    2025-12-01
  • 具有自对准多级场板的SiC VDMOSFET动态特性增强结构及其制备工艺
    具有自对准多级场板的SiC VDMOSFET动态特性增强结构及其制备工艺_杭州谱析光晶半导体科技有限公司_202511539583.X
    本发明涉及MOS半导体技术领域，且公开了具有自对准多级场板的SiC VDMOSFET动态特性增强结构及其制备工艺，包括若干个相互并列的MOS元胞，单个所述MOS元胞包括有漏极、半导体外延层、栅极、栅氧场板以及源极，所述半导体外延层包括N衬底...
    2025-12-01
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