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最新专利技术
  • 半导体动态随机存取存储器装置
    半导体动态随机存取存储器装置_三星电子株式会社_202510650924.4
    一种半导体装置，包括：晶体管，其包括位于包括第一半导体材料的第一衬底上的第一栅极结构，以及位于第一衬底的在第一栅极结构下方的部分处的第一沟道；位线结构，其位于晶体管上并且在基本上平行于第一衬底的上表面的第一方向上延伸；第二沟道，其包括具有相...
    2025-12-01
  • 半导体装置
    半导体装置_三星电子株式会社_202510653846.3
    一种半导体装置，可包括：位线，其在第一方向上延伸；栅极结构，其包括位于位线上并在垂直于第一方向的第二方向上延伸的栅电极和位于栅电极在第一方向上的侧壁上的栅极绝缘图案；沟道，其位于位线上，沟道在栅极结构在第一方向上的侧壁上在垂直于由第一方向和...
    2025-12-01
  • 用于制造三维动态随机存取存储器阵列结构的方法
    用于制造三维动态随机存取存储器阵列结构的方法_北京超弦存储器研究院_202510781338.3
    本公开提供了一种用于制造三维DRAM阵列结构的方法。该方法包括：在电路基板上交替堆叠第一隔离层和叠层，每个叠层依次包括第一导电层、第二隔离层、公共电极层、第二隔离层和第二导电层；形成贯穿第一隔离层和叠层并延伸至电路基板的位线孔，每个位线孔在...
    2025-12-01
  • 用于制造三维动态随机存取存储器阵列结构的方法
    用于制造三维动态随机存取存储器阵列结构的方法_北京超弦存储器研究院_202510781361.2
    本公开提供了一种用于制造三维DRAM阵列结构的方法。该方法包括：在电路基板上依次形成多个堆叠子阵列和多个第二隔离层，形成堆叠子阵列包括：交替堆叠第一隔离层和叠层，每个叠层包括第一导电层、牺牲层和第二导电层；形成贯穿第一隔离层和叠层的位线孔，...
    2025-12-01
  • 半导体元件
    半导体元件_南亚科技股份有限公司_202510824378.1
    本发明公开一种半导体元件。此半导体元件包括一位元线，沿着一第一方向延伸，以及一氧化物膜，沿着一第二方向延伸且设置在该位元线之上。此半导体元件还包括多个接触垫，沿着该氧化物膜排列。
    2025-12-01
  • 闪存存储器、闪存存储器的形成方法、写入及擦除方法
    闪存存储器、闪存存储器的形成方法、写入及擦除方法_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202410607277.4
    本申请涉及半导体技术领域，尤其涉及一种闪存存储器、闪存存储器的形成方法、写入及擦除方法，该闪存存储器包括：衬底；位于所述衬底上的浮栅氧化层；位于所述浮栅氧化层的内部和表面上的浮栅；所述浮栅包括上端部分和下端部分，所述上端部分位于所述浮栅氧化...
    2025-12-01
  • 基于二维钙钛矿半浮栅型的全光控存储器
    基于二维钙钛矿半浮栅型的全光控存储器_东莞理工学院_202510928362.5
    本发明涉及一种基于二维钙钛矿半浮栅型的全光控存储器，主要用于高效存储与信息处理。该存储器包括最下层为衬底；选择二维钙钛矿纳米片作为光敏浮栅层放置在衬底的上表面；设有电介质层部分置于光敏浮栅层上，充当电荷保护层；选择具有半导体性质的材料放置在...
    2025-12-01
  • 半导体存储装置及半导体存储装置的制造方法
    半导体存储装置及半导体存储装置的制造方法_铠侠股份有限公司_202511416037.7
    本披露涉及半导体存储装置及半导体存储装置的制造方法。实施方式的半导体存储装置具备：积层体，将多个导电层在第1方向上相互隔开积层而成，具有包含多个上升部及多个阶台部的阶梯状端部，且包含最上层的导电层在内的连续的多层第1导电层作为对于NAND串...
    2025-12-01
  • 半导体器件及其制造方法、电子设备
    半导体器件及其制造方法、电子设备_北京超弦存储器研究院_202410635217.3
    一种半导体器件及其制造方法、电子设备，涉及半导体技术领域，半导体器件包括：多个存储单元阵列，分布于不同层、沿垂直于衬底的方向堆叠且周期性分布；存储单元阵列包括位于同一层、在沿平行于衬底的行方向和列方向阵列分布的多个存储单元；其中，存储单元包...
    2025-12-01
  • 半导体结构的形成方法、半导体结构及闪存器件
    半导体结构的形成方法、半导体结构及闪存器件_中芯国际集成电路制造(北京)有限公司_202410621853.0
    本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种半导体结构的形成方法、半导体结构及闪存器件。半导体结构的形成方法通过先形成具有不同深宽比的沟槽结构的初始半导体结构，后续先对高宽深比的沟槽结构进行填充，以在高宽深比的沟槽结构内填充满所述第一隔离材料，在...
    2025-12-01
  • 存储单元的形成方法、存储单元及闪存存储器
    存储单元的形成方法、存储单元及闪存存储器_中芯国际集成电路制造(上海)有限公司_202410628422.7
    本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种存储单元的形成方法、存储单元及闪存存储器。该存储单元的形成方法通过提供一初始晶圆结构；初始晶圆结构包括结构区和环绕结构区的晶边区；初始晶圆结构至少包括由下至上依次设置的衬底、浮栅材料层、层间绝缘层、控制...
    2025-12-01
  • 一种提高铁电畴壁存储器开态电流的方法
    一种提高铁电畴壁存储器开态电流的方法_绍芯实验室_202511030680.6
    本申请涉及一种提高铁电畴壁存储器开态电流的方法，属于铁电存储器器件优化领域。该方法通过在[100]方向斜切角为0.2°～0.5°的SrTiO₃[001]衬底上，依次外延生长5 nm厚的SrTiO₃种子层与100 nm厚的BiFeO₃(BFO...
    2025-12-01
  • 磁阻式随机存取存储器电路与布局结构
    磁阻式随机存取存储器电路与布局结构_联华电子股份有限公司_202410697668.X
    本发明提出了一种磁阻式随机存取存储器电路，其中每个存储器单元包含三个晶体管，分别为依序串联的第一晶体管、第三晶体管以及第二晶体管，该第一晶体管与该第三晶体管的连接处为第一节点，该第二晶体管与该第三晶体管的连接处为第二节点，且该第一晶体管与该...
    2025-12-01
  • 半导体元件及其制作方法
    半导体元件及其制作方法_联华电子股份有限公司_202410713440.5
    本发明公开一种半导体元件及其制作方法，其中半导体元件包含一基底、多个存储器单元、一介电层以及一凹槽。基底定义有一存储器区域，其中存储器区域具有一边界。多个存储器单元设置于存储器区域中。介电层设置多个存储器单元上，其中介电层的一顶表面高于各多...
    2025-12-01
  • 存储芯片及包括堆叠的存储芯片的存储器堆叠
    存储芯片及包括堆叠的存储芯片的存储器堆叠_爱思开海力士有限公司_202510389391.9
    本公开涉及存储芯片及包括堆叠的存储芯片的存储器堆叠。一种存储介质包括堆叠在基板之上的第一存储芯片、堆叠在第一存储芯片之上的第二存储芯片和堆叠在第二存储芯片之上的第三存储芯片。第一存储芯片、第二存储芯片和第三存储芯片以阶梯状堆叠。第一存储芯片...
    2025-12-01
  • 一种电容器、功率结构和开关电源电压调节器电路电路
    一种电容器、功率结构和开关电源电压调节器电路电路_上海晶丰明源半导体股份有限公司_202511118874.1
    本发明提供一种电容器、功率结构和开关电源电压调节器电路，所述电容器包括半导体衬底、外延区域和沟槽栅，半导体衬底和外延区域均为第一导电类型，外延区域设置于衬底的上表面的至少一部分，外延区域构成电容器的第一极板；沟槽栅形成于至少部分的外延区域中...
    2025-12-01
  • 一种低导通电阻高反向耐压氢终端金刚石肖特基二极管及其制备方法
    一种低导通电阻高反向耐压氢终端金刚石肖特基二极管及其制备方法_江南大学_202510927817.1
    本发明公开了一种低导通电阻高反向耐压氢终端金刚石肖特基二极管及其制备方法，利用双欧姆电极及肖特基电极与其中一块欧姆电极短路形成了一种具低导通电阻、高反向耐压的氢终端金刚石肖特基二极管。肖特基电极覆盖在介质层上的部分可以在导通状态下增加空穴浓...
    2025-12-01
  • 低电场强度二极管芯片扩散工艺
    低电场强度二极管芯片扩散工艺_常州银河电器有限公司_202511068315.4
    本发明涉及一种低电场强度二极管芯片扩散工艺，步骤如下：硅片预处理；液态硼源旋涂；热扩散；硼面减薄；硅片处理；液态磷源旋涂；二次热扩散；双面减薄及表面处理；氧化退火处理。本发明采用前硼再磷的扩散方法，在硼扩散后进行双面减薄，去除硼浓度较高的表...
    2025-12-01
  • 一种LDMOS工艺TVS器件及其制造方法
    一种LDMOS工艺TVS器件及其制造方法_苏州立研微电子科技有限公司_202511039951.4
    本发明提供一种LDMOS工艺TVS器件及其制造方法，属于TVS半导体制备技术领域；包括P型硅衬底，所述P型硅衬底的表面开设有深N阱，所述深N阱用于为源/漏高压N+区提供隔离，防止与P型衬底之间发生穿通或过早击穿，并作为寄生NPN BJT的集...
    2025-12-01
  • 半导体装置
    半导体装置_三菱电机株式会社_202510506331.0
    本发明提供抑制电极间的短路，提高可靠性的半导体装置。本公开所涉及的半导体装置在半导体基板形成有晶体管，半导体基板具有形成有晶体管的活性区域和活性区域的周围的终端区域，终端区域具备半导体基板之上的第一层间绝缘膜、其上的第二层间绝缘膜、与晶体管...
    2025-12-01
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