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  • 本申请公开一种噪声控制方法、装置及可读存储介质,涉及车辆降噪技术领域,该方法包括:获取参考信号和物理误差麦克风采集的真实误差信号,参考信号为车辆外部的噪声源信号;根据目标虚拟传感参数和真实误差信号,确定虚拟误差点对应的虚拟误差信号,其中,目...
  • 本申请公开一种噪声控制方法、装置及可读存储介质,涉及车辆降噪技术领域,该方法包括:获取参考信号和物理误差麦克风采集的真实误差信号;利用预设标定波信号和物理误差麦克风采集的目标标定波信号,确定物理误差麦克风对应的次级路径传递参数;根据真实误差...
  • 本发明公开了一种基于语音识别的行车控制系统及方法,属于控制技术领域,通过麦克风阵列采集操作员的语音指令数据,并对语音指令数据进行去噪处理之后,得到去噪之后的语音指令数据,然后采用深度学习算法对去噪之后的语音指令数据进行识别,确定文字指令数据...
  • 本申请提供一种语音意图识别方法、电子设备和存储介质,属于数据处理技术领域,该方法包括:接收语音信息,并根据语音信息的触发信息,确定语音信息对应的目标任务类型;根据目标任务类型,为语音信息设置对应的目标输入提示符,目标输入提示符包括文本转录提...
  • 本发明属于面部表情识别技术领域,具体涉及一种基于声音感知的面部表情识别方法及系统。所述方法采用声学信号作为感知媒介,利用麦克风阵列捕捉声音反射信号,并通过信号处理生成包含面部特征的声谱图,从所述声谱图中提取特征,并利用深度学习网络对面部表情...
  • 本发明公开一种DRAM的调控方法、控制装置及调控设备,涉及DRAM技术领域。所述DRAM包括多个存储单元,所述方法包括:对DRAM中的多个存储单元进行品质等级分类,并确认多个不同品质等级的存储单元的数量和物理地址;基于所述多个存储单元中最低...
  • 本发明公开了一种基于交互注意力的HLA和抗原肽结合预测方法,属于计算生物学技术领域。所示方法包括步骤1,采集HLA等位基因和独特肽段数据,构建HLA和抗原肽结合数据集;步骤2,构建HLA和抗原肽结合预测模型,使用所述HLA和抗原肽结合数据集...
  • 本发明涉及医疗数据技术领域,尤其涉及一种急性感染快速诊断方法、装置及设备,该方法包括:采集目标患者的电子病历、血常规、炎症指标、微生物检测结果以及影像学资料;基于电子病历、血常规、炎症指标、微生物检测结果以及影像学资料,分别提取相应的目标基...
  • 本发明涉及医疗数据处理技术领域,具体涉及一种基于既往电子病史的孕产妇妊娠风险评估方法。本发明对于任一重要体征参数,获得每个时刻局部范围的检测状态异常度;结合相邻时刻之间的时间差异,获得相邻时刻之间的检测状态变化指标;获得正常时间段以及初始异...
  • 本发明公开了一种基于大数据分析的公共卫生疫情防控系统,涉及公共卫生疫情防控技术领域,通过集成医院、社交媒体和气象部门的数据源,系统能够实时收集和融合疫情相关信息,减少了传统监测系统中数据滞后的问题。社交媒体数据和天气、环境数据的融合,使得疫...
  • 本发明公开了一种真空抽气系统及其控制方法、装置和存储介质,其中,真空抽气系统包括机械泵、罗茨泵、第一分子泵、第二分子泵、对应第一分子泵设置的第一真空规和第一插板阀、对应第二分子泵设置的第二真空规和第二插板阀、对应真空腔室设置的第三真空规和第...
  • 本申请提供一种具有除湿功能的网线,包括外护层、中心轴、多个滑动组件;外护层内设有容纳腔;中心轴可转动地设于容纳腔内;多个滑动组件设置于外护层与中心轴之间,滑动组件包括滑动架、线芯和开合结构,滑动架可沿中心轴的径向滑动,滑动架靠近外护层的一端...
  • 本发明涉及铜导体制备技术领域,尤其是一种新能源汽车用超细微铜导体制备工艺。所述新能源汽车用超细微铜导体制备工艺如下:先进行铜合金杆坯的制备,再利用其熔融浇铸、固溶、冷却变形、时效处理得铜合金杆成胚,然后对铜合金杆成胚第一次拉丝处理、第一中间...
  • 本发明公开了一种具有防损张力调节机构的电力缆线绞丝加工装置,涉及电缆绞丝技术领域,针对电力缆线绞丝过程中的子线传导过程进行改进,具体表现在子线传导过程中的后位变线过程和前位夹线过程,后位变线过程的本质是不干涉子线正常传导的基础上通过多组导轮...
  • 本发明公开了一种电缆生产用四头包带装置,涉及电缆包带领域,包括多头线芯架、放带架和包带机,多头线芯架上转动设置有多个线芯盘,包带机包括包带机箱和中空导向管,包带机箱靠近多头线芯架的一端连接有中空导向管,包带机箱内设置有绕带机构,绕带机构包括...
  • 本发明属于变压器相关技术领域,具体公开了一种具有主动冷却的干式变压器,包括底座和安装在底座上方的多个干式变压器主体,多个所述干式变压器主体的上端共同设置有上架杆,所述上架杆外部一侧设置有滑架,所述滑架外壁通过设置的伸缩机构连接有移板,所述移...
  • 本申请公开了一种半导体结构制造方法及半导体结构,方法包括:提供一侧上形成有多个第一掩膜结构的碳化硅衬底,在第一掩膜结构的露出表面上形成第二掩膜结构,以第二掩膜结构和第一掩膜结构为掩膜,对碳化硅衬底进行刻蚀,在碳化硅衬底中形成具有一定刻蚀深度...
  • 本发明公开一种改善湿法腐蚀金属工艺的方法,涉及半导体制造工艺技术领域,该方法包括:在衬底上形成待腐蚀膜层;在所述待腐蚀膜层上形成光刻胶掩模图案,其中,所述光刻胶掩模图案包括位于所述光刻胶掩模图案边缘的不完全改性光刻胶膜层;去除所述不完全改性...
  • 本发明提供了一种高深宽比的硅通孔中种子层的ALD沉积方法,包括如下步骤:在衬底上制备高深宽比的硅通孔,所述硅通孔的深宽比≥10:1;采用ALD在硅通孔内沉积铜膜或钴膜,或先制备绝缘层和扩散阻挡层后沉积铜种子层;其中,沉积铜膜或铜种子层采用的...
  • 本申请公开了一种电池单体、电池装置、用电装置以及储能装置。电池单体包括叠片电芯,叠片电芯包括正极极片、负极极片,正极极片包括正极集流体和设置在正极集流体至少一侧的正极膜层,正极膜层包括含锂过渡金属磷酸盐颗粒,含锂过渡金属磷酸盐颗粒的至少部分...
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