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最新专利技术
  • 一种基于物联网的检验样本数据追踪识别方法及系统
    一种基于物联网的检验样本数据追踪识别方法及系统_上海中医药大学附属曙光医院_202510448052.3
    本发明属于数据管理技术领域，公开了一种基于物联网的检验样本数据追踪识别方法及系统。所述的方法包括如下步骤：云数据中心，构建样本追踪识别模型和样本数据分析模型，并部署区块链网络；物联网网关，采集实时交接记录，并云数据中心；云数据中心，进行篡改...
    2025-12-05
  • 一种基于人工智能的临床检验数据管理方法及系统
    一种基于人工智能的临床检验数据管理方法及系统_上海中医药大学附属曙光医院_202510448353.6
    本发明属于数据管理技术领域，公开了一种基于人工智能的临床检验数据管理方法及系统。所述的方法包括如下步骤：云数据中心，构建临床检验数据管理引擎和临床检验知识图谱，并部署区块链存储网络；数据服务器，使用OPC UA协议，将实时临床检验数据上传至...
    2025-12-05
  • 一种六边形环状热管冷却反应堆
    一种六边形环状热管冷却反应堆_中国人民解放军海军工程大学_202510448491.4
    本发明属于热管堆技术领域，公开了一种六边形环状热管冷却反应堆，该1、该装置包括：热管的管壁、丝网吸液芯、热管的蒸汽腔结构、铀钼合金燃料、热管的外管壁、热管内壁面贴附的吸液芯和铀钼合金。本发明采用六边形环状热管耦合六边形燃料元件组成。首先在结...
    2025-12-05
  • 一种高载流量防腐蚀铠装的中压海底电缆
    一种高载流量防腐蚀铠装的中压海底电缆_远东海缆有限公司_202510444649.0
    本发明涉及海底电缆技术领域，尤其是一种高载流量防腐蚀铠装的中压海底电缆，包括三根线芯，所述线芯包括阻水导体、导体屏蔽层、抗水树绝缘层、绝缘屏蔽层、第一半导电缓冲阻水层、金属屏蔽层和第二半导电缓冲阻水层。本发明的一种高载流量防腐蚀铠装的中压海...
    2025-12-05
  • 一种低膨胀系数高绝缘性能的无机高阻层及其制备方法
    一种低膨胀系数高绝缘性能的无机高阻层及其制备方法_南阳金牛电气有限公司_202510448119.3
    本发明公开了一种低膨胀系数高绝缘性能的无机高阻层及其制备方法，一种低膨胀系数高绝缘性能的无机高阻层，包括以下组分，按摩尔百分比计，氧化锌45‑55%、氧化硅25‑35%、氧化锑5‑15%、氧化铋1‑10%、氧化铁1‑4%和氧化镍1‑10%。...
    2025-12-05
  • 一种基于月壤晶化现象制备优异软磁非晶纳米晶合金的方法和软磁非晶纳米晶合金
    一种基于月壤晶化现象制备优异软磁非晶纳米晶合金的方法和软磁非晶纳米晶合金_中国科学院宁波材料技术与工程研究所_202510445747.6
    本发明公开了一种基于月壤晶化现象制备优异软磁非晶纳米晶合金的方法和软磁非晶纳米晶合金，该方法包括：按照Fe基非晶纳米晶合金的原子百分比进行配料、熔炼得到母合金锭，通过单辊急冷法、吸铸法或磁控溅射法将母合金锭转化为Fe基非晶合金；将所述Fe基...
    2025-12-05
  • 一种安全电力变压器
    一种安全电力变压器_惠民腾顺建筑工程有限公司_202510445562.5
    本发明涉及电力变压器技术领域，且公开了一种安全电力变压器，包括箱体，箱体的外壁固定装配有散热板，箱体的顶部设有压力释放组件，箱体的顶部固定装配有接触柱。该安全电力变压器，在箱体内腔中的压力激增时，会向上推动压力板，从而使得压力板沿着泄压管的...
    2025-12-05
  • 非对称型超级电容器
    非对称型超级电容器_容创未来(沧州)新能源有限公司_202510448682.0
    本发明提供一种非对称型超级电容器，正极材料采用活性炭材料，负极材料采用介孔碳材料，电解质的阳离子尺寸大于阴离子，正极活性炭材料主要吸附尺寸较小的阴离子，负极介孔碳材料主要吸附大尺寸溶剂化阳离子；电解液中的阳离子、阴离子的尺寸分别与负极、正极...
    2025-12-05
  • 一种防烧毁一二次融合套柱上断路器
    一种防烧毁一二次融合套柱上断路器_江苏镇德电力设备有限公司_202510446373.X
    本发明涉及断路器技术领域，具体涉及一种防烧毁一二次融合套柱上断路器，包括断路器主体、三个隔离闸刀、三个触头弹片、旋转驱动机构和安装框架，该防烧毁一二次融合套柱上断路器，在前刀板卡入在两个触头弹片上时，能够通过外推机构向内推动两个触头弹片，使...
    2025-12-05
  • 一二次融合户外柱上断路器
    一二次融合户外柱上断路器_浙江康格电气有限公司_202510448704.3
    本申请涉及断路器的技术领域，公开了一二次融合户外柱上断路器，支架，断路器本体外壳，安装于所述支架上，防晒罩，罩设于所述断路器本体外壳上，所述防晒罩开设有散热孔，散热片，安装于所述断路器本体外壳上，沿所述断路器本体外壳高度方向间隔分布，导轨，...
    2025-12-05
  • 石英管壁内活性金属杂质去除方法及石英管与高压放电灯
    石英管壁内活性金属杂质去除方法及石英管与高压放电灯_永州维尔利电子有限公司_202510442960.1
    本发明提供了石英管壁内活性金属杂质去除方法及石英管与高压放电灯。其中方法包括：步骤S1、对石英管进行适度加热，活化石英管分子组织；步骤S2、在石英管被加热期间，在石英管外周表面(11)加载负高压电压，使石英管壁内(12)活性金属杂质在电场作...
    2025-12-05
  • 基于二氧化钒实现硅通孔的异构集成制备方法
    基于二氧化钒实现硅通孔的异构集成制备方法_合肥工业大学_202510448262.2
    本发明公开了基于二氧化钒实现硅通孔的异构集成制备方法，涉及纳米器件技术领域，方法步骤如下：S1：在刻蚀衬底片上依次溅射底层金属镀层、二氧化钒镀层和顶层金属镀层；S2：在刻蚀衬底片上涂覆正性光刻胶，并开设硅通孔孔洞轮廓，后干法刻蚀去除部分底层...
    2025-12-05
  • 一种引线框架的铜带的双压轮压膜装置
    一种引线框架的铜带的双压轮压膜装置_泰州麒润电子有限公司_202510447579.4
    本发明公开了一种引线框架的铜带的双压轮压膜装置，涉及引线框架压膜技术领域，包括热压轮，其设置有两组，用于对铜带和膜进行热压贴合；收卷设备，用于收卷压膜后的铜带；刮除机构，设置于热压轮与收卷设备之间，刮除机构设置有两个且上下对称；刮除机构包括...
    2025-12-05
  • 一种半导体结构及其制备方法
    一种半导体结构及其制备方法_湖北通格微电路科技有限公司_202510448350.2
    本申请提供一种半导体结构及其制备方法，基于通孔布局图案在玻璃基板中形成通孔；在第一表面和第二表面上分别形成第一金属层和第二金属层，以及在通孔内形成连接金属层；对第一金属层和第二金属层同时进行刻蚀处理，得到第一图案化金属层和第二图案化金属层；...
    2025-12-05
  • 基于氮化硅陶瓷AMB覆铜基板制备SiC功率模块方法
    基于氮化硅陶瓷AMB覆铜基板制备SiC功率模块方法_珠海市沃德科技有限公司_202510448904.9
    本发明涉及一种基于氮化硅陶瓷AMB覆铜基板制备SiC功率模块方法，包括以下步骤：对预设的氮化硅陶瓷基板进行等离子体活化处理，得到具有纳米级粗糙度的活化表面层；通过真空溅射沉积对所述活化表面层进行钛‑铜过渡层构建，得到具有梯度过渡结构的金属化...
    2025-12-05
  • 大尺寸晶圆上的中小规模集成电路Die原位检测方法
    大尺寸晶圆上的中小规模集成电路Die原位检测方法_上海芯风尚微电子技术有限公司_202510443347.1
    本发明针对大尺寸晶圆上中小规模集成电路芯片的高效检测问题，提出一种基于随机化抽样和动态调整的原位检测方法。该方法的核心在于动态调整随机化抽检概率：可靠性高的区域降低抽检频次，可靠性低的区域提高抽检频次。同时，引入惩罚与奖励机制，对可靠性差的...
    2025-12-05
  • 一种HDVIP红外探测器芯片组件及刻蚀过程的监控方法
    一种HDVIP红外探测器芯片组件及刻蚀过程的监控方法_安徽昱升光电科技有限公司_202510443939.3
    本发明公开了一种HDVIP红外探测器芯片组件及刻蚀过程的监控方法，涉及探测器领域，该方法具体包括如下步骤：S1读出电路的设计；S2贴片，将读出电路与碲镉汞芯片使用填充胶层贴合并固化；S3单点减薄，利用单点金刚石设备对碲镉汞芯片上的外延碲镉汞...
    2025-12-05
  • 一种芯片去除装置及芯片去除方法
    一种芯片去除装置及芯片去除方法_深圳市三晋通科技有限公司_202510446905.X
    本发明涉及半导体技术领域，公开了一种芯片去除装置及芯片去除方法。所述芯片去除装置包括：定位模块，所述定位模块用于识别和定位待处理的芯片在工作平台上的具体位置；标记模块，所述标记模块用于对每个待处理芯片表面进行唯一识别标记，以确保在去除过程中...
    2025-12-05
  • 半导体封装模块、半导体系统及其制造方法
    半导体封装模块、半导体系统及其制造方法_环旭(深圳)电子科创有限公司_202510446111.3
    提供一种半导体封装模块、半导体系统及其制造方法，半导体封装模块包括线路基板、金属基板以及多个金属柱。线路基板包括第一开口，且第一开口连通线路基板的相对两侧。金属基板设置于线路基板的表面，且金属基板包括第二开口。第二开口连通金属基板的相对两侧...
    2025-12-05
  • 一种全固态锂硫电池钴负载碳纳米花正极的制备方法及应用
    一种全固态锂硫电池钴负载碳纳米花正极的制备方法及应用_南京大学_202510449754.3
    该发明隶属于全固态锂硫电池正极领域，具体涉及一种全固态锂硫电池钴负载碳纳米花正极的制备方法及应用。本发明制备的钴负载碳纳米花材料具有大的比表面积以及丰富的催化活性位点。与现有技术相比，本发明具有以下优点：(1)通过设计具有高比表面积(702...
    2025-12-05
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