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最新专利技术
  • 一种硅通孔的制作方法
    一种硅通孔的制作方法_杭州积海半导体有限公司_202510713933.3
    本发明公开了一种硅通孔的制作方法，属于半导体及MEMS制作工艺技术领域，该硅通孔的制作方法，包括以下步骤：提供硅衬底；在硅衬底的第一面上形成至少两个堆叠的掩膜层；刻蚀掩膜层形成开口，每个开口至少贯穿所在的掩膜层，不同掩膜层的开口具有不同的C...
    2025-10-27
  • 半导体结构及其制造方法
    半导体结构及其制造方法_合肥晶合集成电路股份有限公司_202510714236.X
    本申请涉及一种半导体结构及其制造方法，包括：提供第一晶圆，所述第一晶圆包括中部区域和边缘区域，所述边缘区域位于所述中部区域周围，所述第一晶圆的表面形成有金属互连层，且所述金属互连层的位于所述边缘区域内的部分具有空洞；于所述金属互连层上形成介...
    2025-10-27
  • 高性能锂电池加工用导电浆料及其制备方法
    高性能锂电池加工用导电浆料及其制备方法_赣州旭航诚新能源有限公司_202510715128.4
    本发明涉及锂电池加工技术领域，具体为高性能锂电池加工用导电浆料及其制备方法：包括以下重量份原料组成：40～60份锂源活性材料、4～6份粘结剂、4～6份导电剂、40～60份溶剂、1～3份添加剂、0.2～0.4份消泡剂。本发明中，乙酸酐与鼠李糖...
    2025-10-27
  • 电池单体、电池装置、用电设备
    电池单体、电池装置、用电设备_宁德时代新能源科技股份有限公司_202510718693.6
    本申请提供一种电池单体、电池装置、用电设备，电池单体包括外壳、电芯组件、防护结构；外壳具有容纳腔；电芯组件设置于容纳腔内；防护结构设置在外壳与电芯组件之间；防护结构包括网栅结构、热响应安全剂和热敏膜；网栅结构具有多个网孔，热响应安全剂填充于...
    2025-10-27
  • 电池装置、用电装置及储能装置
    电池装置、用电装置及储能装置_宁德时代新能源科技股份有限公司_202510715779.3
    本申请提供一种电池装置、用电装置及储能装置，属于电池技术领域。电池装置包括多个电池单体、箱体、接线盒、电连接端子、电连接件以及上盖。多个电池单体位于箱体的边框和第一梁限定出的第一容纳腔，电连接多个电池单体的接线盒位于第一梁远离电池单体的一侧...
    2025-10-27
  • 一种固态电池用功能化隔膜的制备方法
    一种固态电池用功能化隔膜的制备方法_江西星烽新能源有限公司_202510722528.8
    本发明涉及固态电池领域，尤其涉及一种固态电池用功能化隔膜的制备方法。本发明以陶瓷固态电解质和纳米材料作为活性填料，与含氟聚合物复合，在一定温度下搅拌一定时间，涂附在隔膜上烘干以制备复合固态电解质膜。本发明为通过室温加工实现高离子电导率和良好...
    2025-10-27
  • 电池隔膜及其制备方法和二次电池
    电池隔膜及其制备方法和二次电池_宁德卓高新材料科技有限公司_202510712097.7
    本发明涉及电池技术领域，尤其是涉及一种电池隔膜及其制备方法和二次电池。电池隔膜，包括基膜和设置于基膜至少一侧表面的涂层；涂层包括非氟聚合物颗粒和硅烷偶联剂改性的无机填料颗粒，涂层的面密度为1.5～2.5g/m2；涂层中...
    2025-10-27
  • 一种紫外光固化交联型锂离子电池隔膜及其制备方法和锂离子电池
    一种紫外光固化交联型锂离子电池隔膜及其制备方法和锂离子电池_湖南毅华新能源有限公司_202510713013.1
    本发明公开了一种紫外光固化交联型锂离子电池隔膜及其制备方法和锂离子电池，所述紫外光固化交联型锂离子电池隔膜，包括基膜和涂覆于所述基膜表面的紫外光固化交联型涂层，所述基膜表面羟基密度≥5个/nm²，接触角≤35°，所述紫外光固化交联型涂层包括...
    2025-10-27
  • 多孔复合隔膜及其制备方法、二次电池
    多孔复合隔膜及其制备方法、二次电池_宁德卓高新材料科技有限公司_202510712329.9
    本发明涉及电池技术领域，尤其是涉及一种多孔复合隔膜及其制备方法、二次电池。多孔复合隔膜，包括基膜、第一涂层和第二涂层；第一涂层和第二涂层相对设置于基膜的两面；第一涂层和第二涂层包括含有第一单体单元和第二单体单元的共聚物；第一单体单元在侧链上...
    2025-10-27
  • 一种带放电计数功能的防雷内置柱式限压器
    一种带放电计数功能的防雷内置柱式限压器_山东和兑智能科技有限公司_202510713092.6
    本发明涉及一种带放电计数功能的防雷内置柱式限压器，属于限压器技术领域，包括避雷器、支柱绝缘子、引弧组件、放电组件，所述引弧组件套设在避雷器下端，所述支柱绝缘子上端与避雷器底端固定连接，所述放电组件套设在支柱绝缘子上，所述引弧组件和放电组件之...
    2025-10-27
  • 一种便于拆卸的高强度电缆桥架
    一种便于拆卸的高强度电缆桥架_江苏众汇电气工程有限公司_202510713338.X
    本发明涉及电缆装配技术领域，具体为一种便于拆卸的高强度电缆桥架，包括桥架本体，桥架本体的底部中心位置处设置有半圆形板，桥架本体和半圆形板组成基架，半圆形板底部中心位置处固定安装有导向横杆，导向横杆上活动套设有可拆式滑动件，导向横杆用于可拆式...
    2025-10-27
  • 一种交流融冰控制方法、系统、设备及存储介质
    一种交流融冰控制方法、系统、设备及存储介质_贵州电网有限责任公司_202510714042.X
    本发明涉及融冰技术领域，公开了一种交流融冰控制方法、系统、设备及存储介质；方法包括通过构建不同的匹配模型来分别进行融冰时间的分析和交流融冰电流的分析，有效提高融冰时间和交流融冰电流的分析精度；对融冰配电变压器的融冰参数进行线路参数误差影响分...
    2025-10-27
  • 一种基于改进图神经网络的配电网网架拓扑辨识方法
    一种基于改进图神经网络的配电网网架拓扑辨识方法_国网上海市电力公司_202510712678.0
    本发明涉及电力系统拓扑辨识技术领域，具体为一种基于改进图神经网络的配电网网架拓扑辨识方法，步骤包括：收集配电网的节点和边的实时电气量数据，对配电网图结构建模；以实时采集数据构建节点、边和超边特征矩阵，输入改进图神经网络拓扑辨识模型，通过图注...
    2025-10-27
  • 一种SCADA-PDMS协同系统和基于消息回执机制定位故障点的方法
    一种SCADA-PDMS协同系统和基于消息回执机制定位故障点的方法_成都交大光芒科技股份有限公司_202510718006.0
    本发明属于铁路供电领域，涉及一种SCADA‑PDMS协同系统和基于消息回执机制定位故障点的方法，包括消息发送组件生成消息报文并发送到第一消息传输组件集，同时将发送通知发送到消息回执接收组件；第一消息传递组件集将接收到的消息报文发送到第二消息...
    2025-10-27
  • 一种基于BERT-Transformer协同架构DDPG的静止同步补偿器控制方法、装置、计算机设备和介质
    一种基于BERT-Transformer协同架构DDPG的静止同步补偿器控制方法、装置、计算机设备和介质_广西大学_202510721010.2
    本发明提出一种基于BERT‑Transformer协同架构DDPG的静止同步补偿器控制方法、装置、计算机设备和介质，该方法采用基于Transformer的双向编码器表示BERT网络作为深度确定性策略梯度DDPG的动作网络，用于生成控制策略，...
    2025-10-27
  • 一种并网系统及其防逆流方法、控制器、程序产品
    一种并网系统及其防逆流方法、控制器、程序产品_南京光献科技有限公司_202510728351.2
    本申请提供一种并网系统及其防逆流方法、控制器、程序产品，涉及并网技术领域。在该防逆流方法中，由于并网系统满足第一预设逆流条件表明并网系统出现逆流，以及，并网系统未满足第二预设逆流条件表明并网系统未出现逆流，所以该防逆流方法相当于在并网系统出...
    2025-10-27
  • 一种应用于非道路机械车辆集成式油冷电驱
    一种应用于非道路机械车辆集成式油冷电驱_乐晟博尔电气(上海)有限公司_202510719702.3
    本发明涉及油冷电驱技术领域，且公开了一种应用于非道路机械车辆集成式油冷电驱，该集成式油冷电驱由油冷扁线电机、电机控制器、电子油泵、油冷器、油底壳组成，油底壳位于油冷扁线电机的底部下方，电子油泵安装于油冷扁线电机的后端盖下方，油冷器与电机控制...
    2025-10-27
  • 基于频率支撑的免锁相环电流源型逆变器控制系统及方法
    基于频率支撑的免锁相环电流源型逆变器控制系统及方法_湖南工商大学_202510717524.0
    本发明提供了基于频率支撑的免锁相环电流源型逆变器控制系统及方法，涉及电力系统、逆变器控制技术领域，包括采集模块、第一坐标转换模块、第二坐标转换模块、功率计算模块、有功频率控制模块、无功电流控制模块、电流控制环模块及脉冲宽度调制模块。本发明通...
    2025-10-27
  • 一种高压大功率分布式功率放大器及其设计方法
    一种高压大功率分布式功率放大器及其设计方法_成都屿西半导体科技有限公司_202510712368.9
    本发明公开了一种高压大功率分布式功率放大器及其设计方法，属于微电子领域。该功率放大器基于特定的GaN高电子迁移率晶体管工艺构建两级级联分布式放大结构。其关键技术点包括创新的晶体管漏极梯度式源漏间距设计，有效提高击穿电压；第二级部分采用两胞并...
    2025-10-27
  • 一种基于改进锁相环的磁编码器谐波抑制方法及系统
    一种基于改进锁相环的磁编码器谐波抑制方法及系统_湖北域控智驱科技有限公司_202510713357.2
    本发明公开了一种基于改进锁相环的磁编码器谐波抑制方法及系统，所述方法包括以下步骤：采集磁编码器输出的角度信号，将磁编码器输出的角度信号与锁相环反馈的估计角度信号进行比较，生成相位误差信号；将所述相位误差信号分解为相位误差和谐波干扰项，通过梯...
    2025-10-27
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