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  • 本发明涉及音频处理技术领域,公开了一种无线麦克风智能控制系统及方法,其中,一种无线麦克风智能控制方法包括:通过分布式麦克风网络采集多点声学数据,构建空间声学拓扑模型;基于拓扑分析结果,构建自适应陷波滤波器组实现啸叫抑制;通过分布式声学传感器...
  • 本发明涉及农业环境智能调控技术领域,具体涉及基于云平台的农业环境智能调控方法及系统,包括:通过多源传感器采集农田环境参数及作物图像数据,经边缘计算节点过滤后传输至云平台;对农田环境参数与作物图像数据进行预处理,并提取时域与空域特征;基于多头...
  • 本发明属于短信业务智能调度技术领域,具体涉及一种基于5G网络切片的短信智能调度系统及方法。该发明通过对短信业务流量的精准预测和智能调度,有效提升了5G网络切片环境下的短信业务处理效率,通过对流量变化率时间序列的平滑处理和指数加权移动平均处理...
  • 本发明公开了一种基于星地距离的巨型星座网络卫星同步切换方法及装置,属于卫星网络卫星切换技术领域,卫星同步切换方法包括:获取卫星相对地球站的基础运行周期;以基础运行周期的一半为间隔,获取与地球站连接通信的卫星的剩余服务时间;获取剩余服务时间小...
  • 本发明提供一种基于自动驾驶车辆网络连接信息的EUHT基站优化方法,包括:获取自动驾驶车辆的网络连接状态数据;其中,网络连接状态数据包括网络连接类型;当自动驾驶车辆在连续两个时间点的网络连接类型不同时,确定产生网络切换事件,并记录网络切换事件...
  • 本发明属于无线网络调度技术领域,具体涉及无线网络中细粒度数据流实时调度方法及系统,调度方法具体包括:基于分解质因数法对基准周期进行分解,得到基准质因数分解式;基于基准质因数分解式分别对其余时间触发流的原始周期进行缩减,得到目标缩减周期;基于...
  • 本发明涉及一种多维服务质量驱动的FSO/RF空天地一体化鲁棒资源分配方法,属于无线通信网络技术领域,解决了现有的FSO/RF SAGIN云边协同计算方法无法兼顾计算任务处理的高效性、及时性和计算任务传输可靠性及需依赖于精确的CSI条件进行计...
  • 本发明提供了一种虚拟演播智能灯光控制系统,属于智能灯光控制系统领域,本发明的系统包括图像采集模块、图像分析模块、人体定位分析模块、智能灯光控制系统、用户交互界面。通过上述系统,能够自动调节演播场景的灯光调控、灯光亮度与色温,实现自然、有情境...
  • 本发明属于调光器控制技术领域,具体为一种基于调光器控制的分布式LED灯具控制系统,通过电力线载波相位差分析场所内各灯具的物理位置,同步融合对应位置的光照度、目标密度及气体浓度数据,生成坐标绑定的逻辑场景标签,基于所述标签多维特征融合,动态生...
  • 本申请涉及回旋加速器技术领域,具体涉及一种医用回旋加速器束流流强控制方法,该方法包括:实时采集医用回旋加速器在各采集时刻的多种束流控制参数数据;确定任意两种束流控制参数数据之间状态响应的稳定偏差值,进而确定各种束流控制参数数据的置信差异值;...
  • 本发明公开了一种同焊盘双表面处理的高密度电路板制作方法,制作形成具有内层线路的内层芯板,经中间工序加工后,形成多层板,对多层板制作表面线路,包括制作出焊盘图形,焊盘图形包括第一区域和第二区域,再制作阻焊层,整板形成表面线路板;对表面线路板制...
  • 本发明提出了一种PCB板铜电镀方法,包括将PCB板浸入至电镀槽中进行镀铜,将阳极材料中的铜离子析出至PCB板的铜面上,以增厚PCB板的铜面;在检测到已增厚的PCB板的铜面上存在铜粒的情况下,停止电镀作业;降低电镀池中的电流密度,在降低后电解...
  • 本发明公开一种可灵活配置且快速拆卸的模块化集成机箱,包括设置在机箱本体内部的盲插模块和若干功能模块以及设置在机箱本体外侧的若干接口组件,盲插模块具有若干第一对接面和若干第二对接面,第一对接面、第二对接面上分别设置有与功能模块、接口组件盲插的...
  • 本申请公开了一种非对称流体通道的开关电源模块多层协同散热结构,涉及电器元件散热的技术领域,其包括壳体以及设置在壳体内的中间冷却层,中间冷却层的上下两侧均设置有电路层,中间冷却层内设置有冷却液流道,冷却液流道盘绕设置在中间冷却层内,壳体上设置...
  • 本公开提供一种半导体结构的制作方法及半导体结构。半导体结构的制作方法包括:提供基底,基底包括多个有源区、设置于有源区上的栅极结构以及隔离层,相邻栅极结构之间设置有隔离结构,隔离层覆盖栅极结构和隔离结构,并将栅极结构与隔离结构之间的空间填充;...
  • 本发明涉及半导体高压器件技术领域,特别是涉及一种混合式高压LDMOS器件及其制备方法;本发明所述混合式高压LDMOS器件在N型漂移区内部设置浅槽隔离区的同时,在P型漂移区和所述N型漂移区表面设置厚氧化层,混合了浅槽隔离层和场板表面的厚氧化层...
  • 本申请涉及半导体领域,公开一种半导体器件及其制备方法以及外延片。该半导体器件包括衬底和设于衬底表面的p型半导体薄膜。该p型半导体薄膜的化学式为β‑(MzRhxGa1‑x‑z)...
  • 本申请涉及一种半导体器件及其制造方法,包括:提供包括高阻区的衬底,于高阻区内形成高阻区凹槽;于高阻区凹槽内依次形成第一介质层和高阻部件,第一介质层形成于高阻区凹槽底部,且第一介质层的表面低于衬底表面,所述高阻部件位于第一介质层上,且高阻部件...
  • 本申请涉及一种背接触光伏电池及其制备方法、光伏组件。本申请的背接触光伏电池的制备方法,包括:提供电池预成品,电池预成品的第一表面上间隔设置有正极栅线以及负极栅线;于第一预设区域对电池预成品施加小于击穿电压的反向电压;使用激光光源于第二预设区...
  • 本发明公开了一种绿光Micro‑LED外延结构及其制备方法、绿光Micro‑LED,涉及半导体光电器件领域。外延结构依次包括衬底、缓冲层、非掺杂GaN层、N型GaN层、电子传输层、多量子阱层和P型GaN层;电子传输层依次包括第一子层、第二子...
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