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  • 本发明公开了一种含磷酸酯基团的聚合物固态电解质及其制备方法和应用,属于固态电解质技术领域。本发明的聚合物固态电解质的原料至少包括丙烯酸酯磷酸酯功能单体、丙烯酸酯单体;所述丙烯酸酯磷酸酯功能单体的结构通式如式(1)所示: 2025-10-28
  • 本发明提供了一种锂离子电池,包括正极片、负极片、隔膜和电解液,所述负极片包括集流体和形成在所述集流体至少一侧表面上的负极活性材料层;所述负极活性材料层中包括负极添加剂,所述负极添加剂选自环状硅氧烷和链状硅氧烷中的一种或多种;所述电解液中包括...
  • 本发明涉及化学电池技术领域,具体而言,涉及一种钒液电堆储能系统控制方法及系统、设备、介质,主要包括获取若干目标数据及目标数据对应的判断阈值,根据目标数据及目标数据的判断阈值得到当前目标数据的异常率;建立异常率评价模型并设置评价值阈值,通过异...
  • 本发明公开了一种环保型锂转干电池及其制备方法,本发明通过防护壳体的双层散热结构设计,吸热外层采用相变材质,利用其固‑液相变过程高效吸收热量,吸热内层填充冷却水,并结合旋转叶片的动态搅拌设计,进一步增强冷却水的流动性与散热效果,避免因高温导致...
  • 本发明属于固体氧化物电池技术领域,涉及一种质子传导型可逆固体氧化物电池用氧电极材料,为钙钛矿型氧化物,化学式为PrzBa1‑ 0.5zSr1‑0.5z...
  • 本发明公开了一维纳米结构锂离子导体材料的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)选取含锂、镧、锆、钛、铝、磷、氮元素的金属盐或其硝酸盐、硫酸盐作为前驱体原料,并根据目标固态电解质的化学计量比进行配比;(2)制备一维纳米锂离子导体;(3)制...
  • 本发明提供一种负极片、电池,所述负极片包括负极集流体以及设置在所述负极集流体至少一个表面上的负极活性层,所述负极活性层包括负极活性材料、第一粘结剂和第二粘结剂,所述负极活性材料包括硅基材料和石墨材料;其中,所述第一粘结剂包括丙烯腈‑丙烯酸类...
  • 本发明公开了一种表面原位生成细菌纤维素保护层的金属负极材料及制备方法,所述方法包括:在灭菌后的培养基中加入Komagataeibacter sucrofermentans细菌母液,恒温静态培养后,生物合成细菌纤维素;将金属片放入培养基中,经...
  • 本发明涉及锂离子电池技术领域,具体涉及一种高电压正极及其制备方法。本发明提供的一种高电压正极,包括基底材料和包覆在基底材料表层的包覆层,所述包覆层包括掺杂有稀土金属氧化物的氧化锆,以基底材料的质量计,所述包覆层的添加量为2000‑3000p...
  • 本申请提供一种锂金属负极及其制备方法、前驱体溶液、锂离子电池和涉电设备,涉及新能源技术领域。本申请提供的锂金属负极的第一保护层包括ZrF6 2‑和LiF致密的保护膜,有效提高界面稳定性,提升电化...
  • 本发明提供一种正极片及电池,所述正极片包括正极集流体、以及位于正极集流体的至少一侧表面的正极涂层,所述正极涂层包括正极活性层、以及位于所述正极片的外缘与所述正极活性层之间的第一陶瓷层,所述正极活性层包括正极活性物质和导电剂;所述正极活性物质...
  • 本申请实施例提供了一种二次电池及用电设备,其中,本申请实施例所提供的二次电池,通过在正极极片的边缘区域处设置质量更大的活性离子补充物质,实现对不同区域活性离子的针对性补充,保证极片活性离子充分、活性离子分布均匀,降低引起电池结构松动的风险,...
  • 本公开提供了一种半导体装置和装置制备方法。其中,所述半导体装置包括:第一芯片,所述第一芯片中形成有第一导热件;第二芯片,所述第二芯片中形成有与所述第一导热件热连通的第二导热件,其中,所述第一芯片接合在所述第二芯片的第一侧上,所述第二芯片的面...
  • 本发明提供了一种低应力双面冷却功率模块及制造方法,其包括:相对设置第一覆铜陶瓷基板和第二覆铜陶瓷基板,第一覆铜陶瓷基板上设有至少两个功率芯片,每个功率芯片两侧均设有C状的辅助支撑柱连接层;第二覆铜陶瓷基板的下表面设置有与每个功率芯片相对设置...
  • 一种晶圆运送装置检测系统包含多个侦测器、填充装置、晶圆运送装置及控制中心。多个侦测器分别设置工艺的多个工艺设备之间。填充装置执行充填程序。晶圆运送装置包含本体及感测器。晶圆运送装置传输工艺的晶圆。感测器检测晶圆运送装置内部的气体浓度。若气体...
  • 本发明提供了一种晶圆缺陷检测方法、装置和设备,涉及半导体技术领域,所述晶圆缺陷检测方法,包括:获取第一批次晶圆的第一晶圆缺陷图,第一晶圆缺陷图指示第一批次晶圆中晶圆的晶体原生缺陷COP分布情况;根据第一晶圆缺陷图,得到第一批次晶圆的第一CO...
  • 本发明提供了一种晶圆缺陷检测方法、装置和设备,涉及半导体技术领域,所述晶圆缺陷检测方法,包括:对第一晶圆进行扫描,得到所述第一晶圆的缺陷分布图;对所述缺陷分布图进行分析,得到所述第一晶圆的缺陷特征信息,其中,所述缺陷特征信息包括以下至少一项...
  • 本发明涉及质谱仪和加速器质谱仪技术领域,尤其涉及一种以速度选择器作为分析器的加速器质谱仪系统,包括进样器、离子源、加速器、磁分析器、吸收膜、速度选择器以及探测器;本发明为了加速器质谱的小型化与简单化,首次提出的一种基于速度选择器的加速器质谱...
  • 本申请属于硬脆难加工光学元件加工技术领域,具体涉及一种硬脆元件超声辅助磁控等离子体抛光方法与装置,该方法包括:混合工作气体与压缩氧气并稳压输送至等离子导管;通过高压钨针电极电离气体,生成等离子体射流,并调节放电参数;利用环形超声阵列形成高强...
  • 本发明涉及磁通脱扣器技术领域,公开了一种用于智能量测开关上的磁通脱扣器,包括智能量测开关壳体,所述智能量测开关壳体的内侧固定连接有中间隔片,所述中间隔片的一侧壁固定安装有通线片,所述智能量测开关壳体的内侧设置有磁推感应组件,所述磁推感应组件...
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