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最新专利技术
  • 一种解酒用沙棘组合物、沙棘植物饮及其制备方法与应用
    一种解酒用沙棘组合物、沙棘植物饮及其制备方法与应用_江苏省中国科学院植物研究所_202510356717.8
    本发明公开了一种解酒用沙棘组合物及沙棘植物饮。该沙棘组合物包括以下重量配比的组分：沙棘原浆16g、朝鲜蓟汁粉0.1g、显齿蛇葡萄叶速溶粉0.45g、姜黄0.01g、葛根粉0.02g、枳椇子粉0.03g。本发明解酒用沙棘组合物由沙棘、葛根、枳...
    2025-10-13
  • 一种用于罗氏沼虾种虾多次产后繁殖性能恢复的营养强化饲料制备工艺
    一种用于罗氏沼虾种虾多次产后繁殖性能恢复的营养强化饲料制备工艺_浙江省淡水水产研究所(浙江省淡水渔业环境监测站)_202510353630.5
    本发明涉及一种用于罗氏沼虾种虾多次产后繁殖性能恢复的营养强化饲料制备工艺，它包括有：粗酶液的制备、小麦蛋白的提取、枯草芽孢杆菌提取、虾肠道微生物的提取和富集、坚忍肠球菌提取、黄芪多糖的制备、含有虾青素的强化型恢复饲料的制备，本发明创造性地结...
    2025-10-13
  • 一种用于鳗鱼内外均匀烘烤的热风烘烤炉
    一种用于鳗鱼内外均匀烘烤的热风烘烤炉_长乐聚泉食品有限公司_202510353712.X
    本发明提供了一种用于鳗鱼内外均匀烘烤的热风烘烤炉，包括多个公插头与母舱，公插头和母舱通过插配形成烘烤环腔。公插头由进风多孔管和撑开多孔管构成，鳗鱼套覆在撑开多孔管外，经过清理和腌渍处理。母舱由外套管和多孔内套管组成，围合成进风通道，并通过热...
    2025-10-13
  • 一种植物保护用智能化农药喷洒装置
    一种植物保护用智能化农药喷洒装置_江苏财经职业技术学院_202510357522.5
    本发明公开了一种植物保护用智能化农药喷洒装置，涉及农业技术领域，包括：人工智能系统：对大量的植物保护数据进行学习和预测，以实现智能化的决策和操作；图像处理和识别系统：用于获取作物的图像数据；避障系统：用于对周围环境进行感知和障碍物的识别；地...
    2025-10-13
  • 一种投料组件及投料机器人
    一种投料组件及投料机器人_上海合时智能科技有限公司_202510359987.4
    本发明涉及投料设备技术领域，具体涉及一种投料组件及投料机器人。投料组件，包括具有盖板的料仓，料仓底部设有出料口；第一封口装置，设置在出料口处，用于对出料口进行封堵；旋转下料装置，设置在料仓内，通过旋转带动料仓中的物料通过出料口；投料机器人，...
    2025-10-13
  • 葡萄种植装置和种植方法
    葡萄种植装置和种植方法_广西壮族自治区农业科学院_202510358915.8
    本发明公开了葡萄种植装置和种植方法，属于植物种植技术领域，装置包括支架结构，设置于葡萄植株周围；透光膜，设置于支架结构上；顶部结构，包括可封闭的漏水口、滴水引导组件、集水组件和连动组件，其中，集水组件与连动组件连接，连动组件与漏水口连接，滴...
    2025-10-13
  • 一种蔬菜种植装置及种植方法
    一种蔬菜种植装置及种植方法_湖北永铭胜景生态农业发展有限公司_202510358923.2
    本申请涉及一种蔬菜种植装置，包括柱形导轨、伸缩调节组件、活动环以及喷淋组件，所述伸缩调节组件可移动地设置在柱形导轨上，所述喷淋组件的底部形成有多个滴漏孔，所述伸缩调节组件利用活动环与喷淋组件的一端相连接，所述喷淋组件的另一端与外接安装部位固...
    2025-10-13
  • 一种氮化铝掺杂钪铁电薄膜忆阻器及其制备方法
    一种氮化铝掺杂钪铁电薄膜忆阻器及其制备方法_河北大学_202510365360.X
    本发明提供了一种氮化铝掺杂钪铁电薄膜忆阻器及其制备方法。该忆阻器从下到上的结构为：Si衬底、Pt底电极层、Al0.84Sc0.16N功能层和Pt顶电极层。该忆阻器制备方法为对Si衬底进行预处理；采...
    2025-10-13
  • 一种热电器件及其制备方法
    一种热电器件及其制备方法_京东方科技集团股份有限公司_202510364780.6
    本申请提供了一种热电器件及其制备方法，涉及热电器件技术领域，该热电器件包括：基底、P型热电臂、N型热电臂、第一电极、和第二电极；其中，P型热电臂和N型热电臂设置于贯穿基底的孔内；第一电极设置于基底的第一面，第二电极设置于基底的第二面，第一电...
    2025-10-13
  • 显示面板及显示装置
    显示面板及显示装置_京东方科技集团股份有限公司_202510370294.5
    本公开是关于一种显示面板及显示装置，属于显示技术领域。该显示面板包括衬底、支撑图案、围坝以及位于外围区的第一电致发光层等结构，其中支撑图案包括多个位于外围区的第一支撑结构，该第一支撑结构位于围坝在衬底上的正投影，以及第一电致发光层在衬底上的...
    2025-10-13
  • 显示基板和显示面板
    显示基板和显示面板_京东方科技集团股份有限公司_202510369710.X
    本公开涉及一种显示基板和显示面板。本公开的一种显示基板，包括：像素限定层，至少部分覆盖所述第一电极，且开设有多个像素开口和至少一个容纳开口，像素开口暴露出第一电极的至少部分，容纳开口位于相邻两个像素开口之间，像素限定层的材料包括遮光材料。隔...
    2025-10-13
  • 显示面板以及显示装置
    显示面板以及显示装置_京东方科技集团股份有限公司_202510370391.4
    本公开提供了一种显示面板以及显示装置，显示面板包括：衬底基板；平坦层，位于所述衬底基板的一侧；像素界定层，位于平坦层背离所述衬底基板的一侧，包括多个间隔开的第一开口；垫高层，位于像素界定层靠近平坦层的一侧，垫高层在衬底基板上的正投影位于第一...
    2025-10-13
  • 一种显示面板及其制备方法、显示装置
    一种显示面板及其制备方法、显示装置_京东方科技集团股份有限公司_202510370096.9
    本申请提供一种显示面板及其制备方法、显示装置，属于显示技术领域，包括：衬底；像素界定层，设置在衬底的一侧，且像素界定层在衬底上界定出多个开口区域，像素界定层包括多个第一阶梯结构，第一阶梯结构在衬底上的正投影与开口区域相邻接；其中，第一阶梯结...
    2025-10-13
  • 显示面板及其制备方法、显示装置
    显示面板及其制备方法、显示装置_京东方科技集团股份有限公司_202510369461.4
    本公开提供一种显示面板及其制备方法、显示装置，属于显示技术领域。该显示面板，包括依次层叠设置的衬底基板、驱动层和像素层；其中，驱动层包括顶平坦化层，像素层包括依次层叠于顶平坦化层表面的像素电极层和像素定义层；显示面板包括多个反射结构，任意一...
    2025-10-13
  • 发光面板及其制备方法、发光装置
    发光面板及其制备方法、发光装置_京东方科技集团股份有限公司_202510370384.4
    本公开实施例提供一种发光面板及其制备方法、发光装置。发光面板，包括：驱动背板；绝缘键合层，位于驱动背板的一侧，绝缘键合层设置有第一过孔，第一过孔与对应的控制电极至少部分交叠；发光单元，位于绝缘键合层上，发光单元与第一过孔不交叠，发光单元包括...
    2025-10-13
  • 发光背板及其制备方法、显示装置
    发光背板及其制备方法、显示装置_成都京东方显示科技有限公司_202510364968.0
    本发明实施例提供了发光背板及其制备方法、显示装置，发光背板包括：第一基板，第一基板上设置有多个发光单元；其中，每一发光单元包括发光体，以及包裹发光体的光学透镜；光学透镜包括第一介质层与第二介质层，第二介质层包裹于第一介质层外侧，第二介质层的...
    2025-10-13
  • 用于Micro-LED的巨量转移方法
    用于Micro-LED的巨量转移方法_厦门大学_202510361137.8
    本申请公开了一种用于Micro‑LED的巨量转移方法，通过聚酰胺组合物形成的结合层作为Micro‑LED的保护层，将Micro‑LED芯片进行保护后，再与另一透明基板进行压合，然后通过激光照射聚酰胺组合物形成的结合层，即可释放转移以后的Mi...
    2025-10-13
  • 太阳能电池的制备方法和太阳能电池
    太阳能电池的制备方法和太阳能电池_上饶晶科能源叁号智造有限公司_202510368485.8
    本发明提供了一种太阳能电池的制备方法和太阳能电池，太阳能电池的制备方法包括：对整片电池进行切割处理，得到具有第一切割表面的预处理电池，切割处理的深度小于整片电池的厚度；沿第一切割表面对预处理电池进行热处理，得到多个具有第二切割表面的切片电池...
    2025-10-13
  • 基于氧化镓肖特基二极管阵列的快速日盲紫外成像探测器
    基于氧化镓肖特基二极管阵列的快速日盲紫外成像探测器_中山大学_202510361141.4
    本发明公开了一种基于氧化镓肖特基二极管阵列的快速日盲紫外成像探测器，包括Pt金属层、钝化层、β‑Ga2O3单晶和Ti/Au接触电极，其中：所述Pt金属层与所述β‑Ga2O
    2025-10-13
  • 一种金属SIN层-半导体结构额低损耗源漏GaN功率器件制备方法
    一种金属SIN层-半导体结构额低损耗源漏GaN功率器件制备方法_青岛佳恩半导体有限公司_202510365295.0
    本发明提供一种金属SIN层‑半导体结构额低损耗源漏GaN功率器件制备方法，属于电子元件技术领域，本发明包括：在氮化镓衬底上通过分子束外延生长高纯度GaN层控制点位密度；射频磁控溅射沉积SIN介电层；电子束蒸发沉积金属栅电极并确保精确对准；通...
    2025-10-13
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